复合磁电垒纳米结构中的电子自旋过滤器

采用转移矩阵法,我们研究了在偏压存在的情况下,由沉积在InAs半导体异质结上的两条铁磁条带和一条肖特基金属条带构建的电子自旋过滤器中电子的自旋过滤特性.研究发现,该电子自旋过滤器中,电子自旋极化的大小和幅度与偏压密切相关,这些有趣的性质对如何制造一个偏压可调的电子自旋过滤器十分有益.

反平行磁电垒结构中二维电子气体的输运性质

本文对反平行磁电垒结构中二维电子气体的输运性质进行了详细的研究.利用传递矩阵的方法计算了电子气体隧穿磁电垒结构的传输概率和电导率,讨论了电势垒高度的变化对传输概率和电导率的影响.结果表明,该系统中不存在自旋过滤和自旋极化现象,电子气体可实现理想的共振隧穿,波矢过滤等.

磁电垒结构中自旋极化输运性质的研究

研究了电子隧穿几类磁电垒结构的自旋极化输运性质 ,导出统一的传输概率公式 ,揭示了非均匀磁场的分布与自旋过滤的关系 ,同时表明采用有效朗德因子较大的半导体材料可以显著增强磁电垒结构的自旋过滤效果 .

磁电势垒结构中光场辅助电子自旋输运特性

基于Floquet理论和传输矩阵方法,理论研究了光场对电子隧穿两类磁电垒结构的自旋极化输运特性的影响,计算结果表明光场对两类磁电垒结构中电子的输运有显著影响:首先,原来不存在自旋过滤特性的结构应用光场后会产生低能区域明显的自旋过滤效应;其次,原来存在自旋过滤特性的结构应用光场后自旋过滤明显增强,增幅超过一个数量级.这些为新的自旋极化源的产生和自旋过滤现象的深入研究有一定的指导性意义.