Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9非晶薄带磁电感效应的影响因素

研究了交流电频率、磁场强度以及薄带长度等因素对Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶薄带的磁电感效应及磁电感效应变化幅度的影响。结果表明:非晶薄带的磁电感效应随着频率的升高和薄带的加长而增强,随着磁场强度的增大而减弱;磁电感效应变化幅度随着磁场强度的增大而增大;当频率低于30 kHz时,磁电感效应变化幅度随着频率的升高及薄带的加长而增大;当频率高于30 kHz时,磁电感效应变化幅度随着频率的升高而减小,随着薄带的加长先增大后减小。

Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9非晶薄带的磁电感效应

研究了输入交流电波形和非晶薄带片数等对Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9非晶薄带磁电感效应和磁电感效应变化幅度的影响,以及当输入电压为正弦交流电压时,非晶薄带的磁电感效应变化幅度的重复性和温度、湿度的稳定性。结果表明:磁电感效应随着非晶薄带片数的增多而增强,随着磁场强度的增大而减弱,正弦交流电压比三角交流电压的强;磁电感效应变化幅度随着非晶薄带片数的增多而减小,在不同频率下正弦交电压和三角交流电压的强弱发生变化;当输入电压为正弦交流电压时,磁电感效应变化幅度的不重复性误差很小,且受温度和湿度的影响很小。

Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9铁基非晶薄带巨磁电感效应的影响因素

在频率为30 kHz时,研究了线圈匝数、输入电压幅值、限流电阻以及退火等因素对Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9铁基非晶薄带巨磁电感效应的影响。结果表明:非晶薄带的巨磁电感效应随着线圈匝数的增多和输入电压幅值的增大而增强;随着限流电阻的增大而减弱;巨磁电感效应变化幅度随着输入电压幅值的增大而增大,随着线圈匝数的增多以及限流电阻的增大呈现出先增大后减小的趋势;退火后非晶薄带的巨磁电感效应及其变化幅度都比淬火态的增大。

FeCrSiB纳米晶薄膜中的纵向和垂直巨磁电感效应

材料的交流阻抗随外加直流磁场的改变而变化的特性称磁阻抗效应.1992年日本名古屋大学毛利佳年雄教授等人最先报道了这一现象.最初对这一效应研究得最多的是具有零或负磁致伸缩系数的钴基非晶态软磁合金细丝,特别是长度只有几毫米的小尺寸细丝.当丝通以高频电流时,丝两端感生的电压振幅随沿丝长方向所加外磁场强度的改变而变化,这种变化无磁滞效应,是快响应、高灵敏度的.对这种特别大的磁阻抗效应人们称之为巨磁阻抗效应.在趋肤效应可以忽略的低频情况下,阻抗中的电阻分量受外磁场影响很小,交流电压的磁场关系主要来自细丝的电感分量,因而这时称巨磁电感效应.由于巨磁阻抗效应在交流磁传感器件中有着广阔的应用前景,因而它一出现就受到了人们的重视,目前所研究的材料品种已扩大到非晶薄带和薄膜中,而纳米晶合金薄膜中的巨磁阻抗效应至今还未见报道.

纵向驱动巨磁阻抗效应的解释

测定了Fe73 Cu1 Nb1 .5V2 Si1 3 .5B9纳米微晶带纵向驱动磁阻抗的相频曲线和不同频率的相位随外磁场变化的曲线 .从相频曲线的峰位可确定出样品趋肤效应的临界频率 .从临界频率随外磁场的变化 ,解释了纵向驱动巨磁阻抗效应与趋肤效应的关系 .从不同频率驱动场下磁阻抗的相位随外磁场变化的规律得出 ,低频纵向驱动巨磁阻抗效应是磁电感效应 ,与磁损耗相应的 μ″随外磁场的变化是引起高频纵向驱动巨磁阻抗效应的重要原因 .