FeNiCrSiB/Cu/FeNiCrSiB膜的磁畴结构和巨磁阻抗效应

用高频溅射法制备了ＦｅＮｉＣｒＳｉＢ／Ｃｕ／ＦｅＮＩＣｒＳｉＢ膜，经３５０℃退火２０ ｍｉｎ后得到性能优良的巨磁阻抗材料．磁畴结构观察表明，样品中心为均匀的细条畴，靠近边缘，磁畴方向转向横向．这种畴结构有利于磁力线的闭合，是获得显著的巨磁阻抗效应的重要原因之一。磁阻抗测量表明，样品在１３ＭＨｚ的频率下，分别获得了６３％和７７％的纵向和横向磁阻抗比。

NdFeB磁体磁化及温度处理后磁畴结构的变化

采用磁力显微镜(Magnetic force microscopy,MFM)和X射线衍射(XRD)研究了烧结NdFeB磁体磁化及125℃高温处理后的磁畴结构,分析了磁化及温度处理对磁体物相成分及磁畴结构的影响。结果发现,磁化及高温处理后磁体的相结构没有发生变化,而磁畴结构却发生明显变化;开路磁通的变化是磁畴结构变化引起的。

退火温度对Fe-7Al-0.5Ti合金阻尼性能和磁畴结构的影响

利用倒扭摆仪研究了不同退火温度对Fe -7Al- 0 .5Ti合金阻尼性能的影响,并借助水基磁流体分析了磁畴结构变化,利用扫描电镜分析了晶界析出物的形态及组成。结果表明, 1000℃退火保温 2h时,Fe -7Al- 0 .5Ti合金阻尼性能出现峰值。热处理温度越高,组织内应力和缺陷的减少使得磁畴的排列越来越整齐,磁畴宽度也越大,但晶界附近少量含Ti碳化物析出,导致局部成分和结构的非均匀化,不仅使得该区域磁畴细化,而且阻碍了畴界的移动,从而影响了阻尼性能的提高。

利用磁力显微镜观察铁镍合金丝的磁畴结构

本文介绍了磁力显微镜的起源和基本原理,以及应用状况。尝试了用磁力显微镜观察铁镍合金和铁镍合金丝的纵截面磁畴结构,并比较了退火前后合金丝的磁畴结构的变化。分析了拉拔应力以及退火对铁镍合金磁织构的影响。

微型薄膜磁阻传感元件在磁化和反磁化过程中的磁畴结构研究

微型薄膜磁阻传感元件在磁化和反磁化过程中的磁畴结构研究余晋岳，周勇，宋柏泉，徐东（上海交通大学信息存储研究中心）摘要：应用Ｂｉｔｔｅｒ粉纹技术观察和分析了微型磁阻传感元件在磁化和反磁化中磁畴结构变化的全过程，研究表明和元件中的Ｂａｒｋｈａｕｓｅｎ跳跃...

静载荷下硅钢片的磁畴结构变化

利用Bitter粉纹法观察了未经磁化、受力程度不同的无取向硅钢片试件的磁畴结构,对比分析了应力对磁畴及磁场值△B的影响。结果表明:无取向硅钢试件在未受力或应力集中较小时,晶粒内磁畴以180°剑状畴为主,同一晶粒内畴壁相互平行;随着应力集中程度增加,畴壁长度和间距发生改变,出现了迷宫畴,并且随着应力集中程度越大,迷宫畴的数量越多,表面磁场值△B越大。试验为探讨磁记忆检测的微观机理提供了依据。

横向拉应力对晶粒取向Si－Fe的磁畴结构及磁声发射强度的影响

观察了晶粒取向３％Ｓｉ－Ｆｅ在横向磁化场及横向拉应力作用下，磁畴结构和磁声发射强度的变化。在横向拉应力下，横向条状畴形成并增长。应力增大，横向条状畴碎化形成点状畴结构。磁畴与磁声发射强度变化相对应，揭示了磁场发射强度受横向拉应力影响的实质。

微细条形NiFe薄膜元件在磁化和反磁化过程中磁畴结构的变迁过程

详细观察了长条形NiFe薄膜元件 (宽 12 0 μm ,厚40nm)沿难轴方向 (长方向 )磁化和反磁化过程中磁畴结构变迁的全过程。观察表明 ,在磁化过程中 ,磁化转动和不可逆畴壁位移同时存在 ;在反磁化过程中 ,畴壁合并、封闭畴转变和畴壁极性转变是最主要的不可逆因素 ,也是造成元件输出讯号中Barkhausen噪声的主要物理根源。

HDDR过程中三元和多元Nd-Fe-B合金磁畴结构的MFM研究

用磁力显微镜研究了三元Nd Fe B合金在HDDR过程的不同阶段(铸态、不充分吸氢歧化、充分吸氢歧化和脱氢再复合)的磁畴结构。在铸态样品表面清楚地观察到了易磁化轴互相垂直的柱状晶表面的两类磁畴图型。当样品不充分吸氢歧化和充分吸氢歧化时,磁畴结构明显发生变化,反映了Nd Fe B的分解产物NdH2,α Fe和Fe2B及其微晶结构的变化。脱氢再复合后形成的微晶的磁畴结构则表明样品保留了铸态样品柱状晶的构型。此外,还对比研究了多元Nd Fe B合金在HDDR过程中的磁畴结构,并根据微磁结构分析,指出过量的Ga元素添加可抑制Nd2(Fe,M)14B相的吸氢歧化,从而导致相应HDDR粘结磁体性能降低。

900℃退火时间对Fe-7Al-0.5Ti合金阻尼性能及其磁畴结构的影响

利用倒扭摆内耗仪研究900℃下不同退火时间对Fe-7Al-0.5Ti合金阻尼性能的影响,借助水基磁流体分析了磁畴结构变化,以此解释阻尼性能变化的原因。采用扫描电镜分析晶界析出物的形态及组成。研究发现,在淬火温度为900℃的前提下,退火时间为2h,Fe-7Al-0.5Ti合金阻尼性能出现峰值。随着保温时间的延长,组织内应力和缺陷的减少使得磁畴的排列越来越整齐,磁畴宽度也越大,但晶内和晶界附近少量含Ti碳化物析出,钉扎畴界的移动,从而影响阻尼性能的提高。

阻尼系数对Gd_(2.34)Tb_(0.66)Fe_5O_(12)饱和磁场和磁畴结构的影响

采用相场方法计算模拟单晶钆铽柘榴石Gd2.34Tb0.66Fe5O12的磁畴结构.利用并行计算、快速傅里叶变换以及高斯迭代法求解Landau-Lifshitz-Gilbert方程以描述磁化过程.通过二维计算模拟发现,阻尼系数影响磁畴结构的形式.

垂直磁记录介质Co－CoO膜的磁畴结构和反磁化机理

应用Ｌｏｒｅｎｔｚ显微术观察了反应蒸镀的Ｃｏ－ＣｏＯ膜的磁畴结构。当垂直各向异性场Ｈ＿ｋ和磁化强度相对垂直取向比增加时，它的磁畴结构从典型的１８０°面内畴变成点状畴，后老是单轴垂直磁各向异性介质的一种典型特征。用ＶＳＭ测量的ＯＲ的角度依赖性显示了垂直磁各向异性的Ｃｏ－ＣｏＯ膜中存在一定量的面内磁化强度分量。结合对矫顽力Ｈ＿ｃ，剩磁矫顽力Ｈ＿（ｃｒ）和磁滞损耗Ｗ＿ｈ的角度依赖性测量结果进行分析，可以得出结论：这种垂直磁各向异性的Ｃｏ－ＣｏＯ膜的反磁化机理是磁矩的涡旋式（Ｃｕｒｌｉｎｇｍｏｄｅ）非一致转动过程。

R_2Fe_(14)B的磁畴结构

本文是文献总结,包括Nd_2Fe_(14)B以及有掺杂的Nd_2Fe_(14)B和其它R_2Fe_(14)B的磁畴结构的研究.

磁性材料的磁结构、磁畴结构和拓扑磁结构

首先对磁性材料中磁结构、磁畴结构和拓扑磁结构之间的联系进行深入的分析。第一,磁畴结构由材料的磁结构、内禀磁性和微结构因素等内容构成;第二,磁畴结构对材料磁化和退磁化过程以及技术磁性造成了重要的影响。拓扑学与材料物理、材料性能之间的关系较为紧密。通过研究发现,大多数学者的研究内容主要集中在拓扑磁性组态,如涡旋、磁泡、麦纫、斯格米子等。研究发现这些拓扑磁结构的拓扑性质与磁性能联系紧密。

Si含量对晶粒取向电工钢薄板铁损和磁畴结构的影响

众所周知,增加无取向电工钢的硅含量能通过改变电阻率和磁致伸缩行为来减小铁损。然而,在晶粒取向电工钢中,高硅含量对铁损的影响却鲜有研究报道。取向电工钢的铁损和无取向电工钢的铁损的主要差别之一是过剩涡流损耗,它与磁畴结构高度相关,在取向电工钢的总铁损中占有更加主导的地位。在本文中,用CVD渗硅法制备高硅取向电工钢,这种方法的优势在于能在不改变试样的晶粒尺寸和晶体结构的情况下改变硅含量。结果表明,硅钢铁损随着硅含量的增加而下降。质量分数为6.5%Si的电工钢的磁滞损耗仅为传统3%Si电工钢的一半左右,但其涡流损耗却与3%Si电工钢的涡流损耗相当或略大。磁畴观测和计算指出这一差别是高硅电工钢的磁畴粗化的结果。

地磁场中应力对磁畴组织结构影响的试验研究

金属磁记忆检测技术是一种能对铁磁构件早期损伤进行有效诊断的无损检测技术。为进一步探索研究金属磁记忆检测的机理,选用粉纹法对Q235平板试样的磁畴结构进行观察,研究地磁场中不同应力状态下该铁磁材料的磁畴结构的变化特征,并且利用高精度弱磁检测装置获取其试件表面的漏磁信号规律。试验结果表明:随外载荷的改变,被观察部位的磁畴类型、畴壁形态有显著性变化,且不同区域的磁畴转变快慢不同但变化趋势相近;同时,随外载荷的增大,试件表面漏磁信号增大。验证了地磁场中铁磁材料的磁畴结构受应力作用发生磁畴移动与转向,并且在应力撤出后这种改变得以保留的规律。为铁磁材料磁记忆检测微观机理的进一步探索研究提供可靠、有效的试验依据。

基于磁畴结构交互作用的激光刻痕取向硅钢磁致伸缩系数计算

基于取向硅钢磁畴结构与磁致伸缩系数的定量关系,综合考虑激光刻痕参数和取向偏差角对应力封闭畴与横向畴2种90°磁畴结构的影响,提出反映刻痕参数与取向偏差角交互作用的磁致伸缩系数计算模型。计算结果表明,取向偏差角的大小决定了激光刻痕条件下磁致伸缩行为是由横向畴还是应力封闭畴主导;激光刻痕产生的局部封闭畴与杂散磁场可降低取向偏差角引起的磁致伸缩系数。刻痕能量密度和刻痕线间距等参数对取向硅钢磁致伸缩系数影响的计算结果与实测结果相吻合,表明本工作所提模型可为降低激光刻痕取向硅钢的噪音提供理论基础。

Cu含量对2:17型SmCo永磁体磁畴结构和矫顽力的影响

采用粉末冶金的方法制得2：17型SmCo永磁体，通过对磁体进行X射线衍射（XRD）、振动样品磁强计（VSM）和磁力显微镜（MFM）等分析，较为系统地研究了Cu含量对Sm（CobdlFe0.20CuxZr0.03）75（x=0．06，0．08）永磁体的磁畴结构及矫顽力的影响。研究结果表明，2：17型SmCo永磁体属于多磁畴晶体，其磁畴结构主要表现为波纹畴结构，磁畴宽度约1～2μm，畴宽远小于晶粒尺寸。Cu含量对磁体的X射线衍射谱没有明显影响，但对磁畴宽度和内禀矫顽力。Hc影响很大，且磁畴宽度与内禀矫顽力iHc。具有一定的对应关系。磁体的X射线衍射谱上显示了2：17相和1：5相特征峰，没有出现会影响磁体磁性能相的特征峰。Cu含量增大，X射线衍射谱并未出现明显的变化。随Cu含量增加，磁体磁畴宽度由2μm减小到1μm，1：5胞壁相的畴壁能降低，内禀矫顽力i以相应增大，表明畴壁钉扎是吸引型钉扎。内禀矫顽力iH。在室温时为2473kA·m^-1，到450℃时减小为457kA·m^-1，热激活能是内禀矫顽力；H。随温度升高而逐渐降低的主要因素。高温下Cu含量越高的磁体的2：17主相和1：5胞壁相间畴壁能差越大，从而使矫顽力随温度的升高衰减减缓。