热处理对Fe_(79.5)P_(12)C_6Cu_(0.5)Mo_(0.5)Si_(1.5)软磁合金薄带的巨磁致阻抗效应(GMI)的影响

研究了不同温度热处理对Ｆｅ７９．５Ｐ１２Ｃ６Ｃｕ０．５Ｍｏ０．５Ｓｉ１．５的巨磁阻抗的影响，发现ＧＭＩ不仅与磁导率有关，而且也受到磁各向异性的作用。

一种新型的纵向驱动巨磁致阻抗效应

采用纵向驱动磁化场的方法对纳米Fe73Cu1Nb1.5V1Si13.5B9微晶带的磁阻抗效应进行测定 ,其ΔZZ =Z(H) -Z(Hmax)Z(Hmax) 可达 16 0 0 % ,超过Co基非晶的最大值 36 0 %三倍多 .实验结果表明 ,纵向磁阻抗曲线的形状和大小与材料的磁结构。

纳米软磁合金薄带的巨磁致阻抗效应

自从在CoFeSiB非晶丝(带)及FeCuNbSiB的纳米晶丝(薄膜)材料中发现巨磁致阻抗效应以来,GMI效应在实际运用中有广阔的前景,而且在理论上探讨GMI的起因也是非常有意义的,所以受到普遍的关注。非晶(纳米晶)软磁合金具有高的磁导率,在一定频率的交流驱动电流作用下,外加直流磁场阻碍了交流电流所感生的磁通量的变化,从而降低磁导率,提高趋肤深度,降低了交流阻抗,引起效应。及非晶薄带在不同的温度下热处理可以形成纳米级软磁合金,降低各向异性常数和磁致伸缩系数,提高磁导率,有利于GMI效应的出现。本文对以上三类材料进行不同温度下的热处理,研究GMI效应随外加磁场及驱动电流频率(f)的变化关系,并探讨GMI的来源。定义。

纳米晶Fe_（73．5）Cu_1Nb_3Si_（13．5）B_9软磁合金薄带的巨

非晶态和纳米晶ＦｅＣｕＮｂＳｉＢ中首次研究了其磁致阻抗效应，阻抗Ｚ（ｆ，Ｈ）与交流驱动电流的频率ｆ以及外加直流磁场Ｈ均有密切关系。磁致阻抗ΔＺ／Ｚ＝（Ｚ（Ｈｍａｘ）－Ｚ（ｏ））／Ｚ（Ｈｍａｘ）随ｆ的变化是首先快速增加，在３００～５００ｋＨｚ附近达到最大，然后下降。纳米晶的变化比非晶态要大。对５５０℃退人３ｈ的样品，在３００ｋＨｚ处可获得的最大碰致阻抗为－２２７％（Ｈ＝７５Ｏｅ），而退火５ｈ的样品在１ＭＨｚ、Ｈ＝１０Ｏｅ时，最大磁致阻抗为＋２５０％。