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SmCo(Al,Si)/Cr硬磁薄膜的结构与性能
1
作者
王翔
李佐宜
+1 位作者
林更琪
蔡长波
《华中理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第2期22-24,共3页
在优化后的磁控溅射和退火条件下 ,制备SmCo(Al,Si) /Cr硬盘磁记录介质及硬磁薄膜 .实验结果表明 ,Sm摩尔分数为 31.6 % ,Cr缓冲层为 6 6nm ,Sm(Co ,Al,Si) 5磁性层为 30nm时 ,制得的Sm(Co ,Al,Si) 5/Cr薄膜的矫顽力Hc 为 187.8kA/m ,...
在优化后的磁控溅射和退火条件下 ,制备SmCo(Al,Si) /Cr硬盘磁记录介质及硬磁薄膜 .实验结果表明 ,Sm摩尔分数为 31.6 % ,Cr缓冲层为 6 6nm ,Sm(Co ,Al,Si) 5磁性层为 30nm时 ,制得的Sm(Co ,Al,Si) 5/Cr薄膜的矫顽力Hc 为 187.8kA/m ,剩磁比S =Mr/Ms≈ 0 .94;在 5 0 0℃保温 2 5min退火后 ,矫顽力Hc 达10 42 .5kA/m ,剩磁比S≈ 0 .92 。
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关键词
硬磁薄膜
矫顽力
磁控溅射
SMCO(AL
SI)/CR
结构
缓冲层
磁记录畴体积
磁性层
剩磁比
下载PDF
职称材料
题名
SmCo(Al,Si)/Cr硬磁薄膜的结构与性能
1
作者
王翔
李佐宜
林更琪
蔡长波
机构
华中科技大学电子科学与技术系
出处
《华中理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第2期22-24,共3页
基金
国防预研基金重点资助项目 !
教育部高等学校博士点专项科研基金资助项目
教育部薄膜与微细技术开放实验室基金资助项目
文摘
在优化后的磁控溅射和退火条件下 ,制备SmCo(Al,Si) /Cr硬盘磁记录介质及硬磁薄膜 .实验结果表明 ,Sm摩尔分数为 31.6 % ,Cr缓冲层为 6 6nm ,Sm(Co ,Al,Si) 5磁性层为 30nm时 ,制得的Sm(Co ,Al,Si) 5/Cr薄膜的矫顽力Hc 为 187.8kA/m ,剩磁比S =Mr/Ms≈ 0 .94;在 5 0 0℃保温 2 5min退火后 ,矫顽力Hc 达10 42 .5kA/m ,剩磁比S≈ 0 .92 。
关键词
硬磁薄膜
矫顽力
磁控溅射
SMCO(AL
SI)/CR
结构
缓冲层
磁记录畴体积
磁性层
剩磁比
Keywords
permanent thin film
coercivity
magnetron sputtering
分类号
O484.43 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SmCo(Al,Si)/Cr硬磁薄膜的结构与性能
王翔
李佐宜
林更琪
蔡长波
《华中理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
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职称材料
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