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晶格振动和晶粒尺度对磁记录膜矫顽力的竞争影响研究 被引量:2
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作者 张可言 袁敏 郑瑞伦 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期637-641,共5页
对晶格自旋相互作用的交换积分进行了晶格振动的修正,依此修正,导出了振动对磁记录膜矫顽力的影响关系;分析了磁晶量子尺度效应对磁记录膜矫顽力的影响机制;讨论了振动效应和量子尺度效应相互影响,共同竞争的物理内涵。结果显示:①振动... 对晶格自旋相互作用的交换积分进行了晶格振动的修正,依此修正,导出了振动对磁记录膜矫顽力的影响关系;分析了磁晶量子尺度效应对磁记录膜矫顽力的影响机制;讨论了振动效应和量子尺度效应相互影响,共同竞争的物理内涵。结果显示:①振动的存在将减小薄膜的矫顽力;②磁晶微粒的量子尺度效应将使薄膜的矫顽力增加;③振动效应和量子尺度效应相互影响,共同竞争,为薄膜提供矫顽力;④要提高薄膜完备系的矫顽力,可将磁记录膜制成纳米级薄膜。 展开更多
关键词 晶格振动 晶粒尺度 磁记录膜 矫顽力 影响
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化学镀钴基垂直磁记录膜的微观结构研究 被引量:2
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作者 刘志辉 杨程 《金属材料研究》 1989年第6期3-6,共4页
关键词 磁记录膜 钴基 垂直 化学镀
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高密度磁记录纳米颗粒膜磁性的蒙特—卡罗模拟
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作者 李渭清 王浩 《五邑大学学报(自然科学版)》 CAS 2002年第4期20-24,共5页
用蒙特-卡罗方法对Co-C和CoPt-C纳米颗粒膜的磁特性进行模拟研究. 模拟中,假设磁性颗粒为球形、单畴,易轴随机取向. 对包含hcp结构、直径为3 nm的Co颗粒的Co-C膜给出了湿度从3 K到300 K的磁滞回线,超顺磁驰豫的截止温度约20 K;对包含fc... 用蒙特-卡罗方法对Co-C和CoPt-C纳米颗粒膜的磁特性进行模拟研究. 模拟中,假设磁性颗粒为球形、单畴,易轴随机取向. 对包含hcp结构、直径为3 nm的Co颗粒的Co-C膜给出了湿度从3 K到300 K的磁滞回线,超顺磁驰豫的截止温度约20 K;对包含fct结构CoPt的CoPt-C膜给出了300 K时平均颗粒尺寸从4 nm到6 nm,对应于不同尺寸分布下的磁滞回线. 模拟显示,由于fct结构CoPt-C有特大的各向异性,因而具备超高的矫顽力,可以满足超高密度磁记录的需要. 以上模拟的结果与Co-C颗粒膜和CoPt-C颗粒膜的实验结果一致. 展开更多
关键词 磁记录纳米颗粒 蒙特-卡罗模拟 超顺磁驰豫 铁磁性 高存储密度 磁滞回线
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化学镀垂直磁记录薄膜中晶界相的形成及其作用
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作者 刘志辉 杨程 《薄膜科学与技术》 1992年第3期49-54,共6页
关键词 垂直磁记录膜 化学镀
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双层膜垂直磁记录介质的噪声
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作者 陈胜恩 《磁记录材料》 1999年第4期16-20,54,共6页
通过频谱分析和MFM观察,研究了双层膜垂直磁记录介质的噪声源。双层膜介质噪声分为起因于垂直磁化层和软磁性衬底层的两种噪声。一般认为,前者显示准白型固有噪声频谱,与单层薄膜介质相同的位间反磁畴为噪声源;后者是与随记录密度... 通过频谱分析和MFM观察,研究了双层膜垂直磁记录介质的噪声源。双层膜介质噪声分为起因于垂直磁化层和软磁性衬底层的两种噪声。一般认为,前者显示准白型固有噪声频谱,与单层薄膜介质相同的位间反磁畴为噪声源;后者是与随记录密度增加的纵向记录介质一样的过渡性噪声,但固有噪声频谱包含超低频成份。要实现双层膜介质的低噪声化,除减少垂直磁化层引起的噪声外,还必须降低软磁性衬底层引起的噪声。通过改变制作软磁性衬底层的条件,可降低衬底层引起的噪声。 展开更多
关键词 双层垂直磁记录介质 噪声源 频谱分析
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用阳极氧化法制轩纵向磁记录介质的研究
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作者 郭萍 张琳 《广东有色金属》 1998年第3期42-46,共5页
我们研究了在阳极氧化铝膜电沉积Co液中加入少量的磷,制备纵向磁记录介质,对该纵向磁记录介质进行了测试D50记录密度达到了13KBPI。
关键词 纵向磁记录膜 磁记录介质 阳极氧化
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2001~2002年磁记录材料及应用新进展
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作者 李国栋 《信息记录材料》 2003年第2期41-43,共3页
从 1999年开始每年撰写国内外磁记录材料及其应用的新进展。这里论述 2 0 0 1~ 2 0 0 2年的新进展 ,内容包括 :(1)垂直磁记录 ;(2 )平行磁记录 ;(3)多层膜巨磁电阻材料 ;(4 )磁层间的相互作用对磁记录介质的影响 ;(5 )纳米膜磁记录材料。
关键词 2001-2002年 磁记录材料 应用 进展 垂直磁记录 平行磁记录 巨磁电阻材料 磁层间 纳米磁记录材料
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Ag对CoPt/Ag纳米复合膜的结构与磁性的影响 被引量:2
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作者 薛双喜 王浩 +9 位作者 杨辅军 王君安 曹歆 汪汉斌 高云 黄忠兵 冯洁 W.Y.Cheung S.P.Wong 赵子强 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期5395-5399,共5页
采用直流磁控溅射的方法制备了一系列(CoPt/Ag)n多层膜,然后在不同温度下进行了退火处理,并对其结构和磁性做了初步的表征,研究了Ag的含量以及薄膜中每一单元厚度与总厚度对退火后薄膜的结构以及磁性能的影响.结果表明,膜厚较薄时(大约2... 采用直流磁控溅射的方法制备了一系列(CoPt/Ag)n多层膜,然后在不同温度下进行了退火处理,并对其结构和磁性做了初步的表征,研究了Ag的含量以及薄膜中每一单元厚度与总厚度对退火后薄膜的结构以及磁性能的影响.结果表明,膜厚较薄时(大约20nm)有利于薄膜沿(001)取向生长,Ag的加入不但能够抑制CoPt晶粒的过分长大还可以诱导薄膜的(001)取向,使退火后的薄膜在垂直于膜面方向上的矫顽力大大增强.对于特定组分为Co40Pt43Ag17的薄膜,经600℃退火后已经显示了明显的(001)取向,垂直于膜面方向上的矫顽力为5.6×105A/m,饱和磁化强度为0.65T,并且磁滞回线具有很好的矩形度,剩磁比(s)为0.95. 展开更多
关键词 磁记录材料 磁性薄 CoPt/Ag纳米复合 磁性能 纳米复合 结构 AG 退火处理 直流磁控溅射 取向生长 饱和磁化强度 磁滞回线
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