GdFeCo/TbFeCo磁超分辨磁光记录薄膜研究

用磁控溅射法制备了GdFeCo/TbFeCo交换耦合两层薄膜,利用不同温度的克尔磁滞回线和VSM磁滞回线研究了读出层(GdFeCo)变温磁化方向变化过程.结果表明,随温度升高读出层从平面磁化转变为垂直磁化,交换耦合两层薄膜具有中心孔探测磁超分辨的基本性能.转变过程主要受饱和磁化强度(Ms)的影响,在GdFeCo的补偿温度附近,读出层的磁化强度较小,退磁场能也较小,在交换耦合的作用下,使读出层(GdFeCo)的磁化方向发生转变.磁化方向的转变在75℃～125℃的温度范围内变化较快.

磁超分辨(MSR)在磁光数据存贮技术中的应用

采用交换、静态耦合多层膜超磁分辨方法可以超越光学极限实现高密度磁光记录。本文系统地讨论了前孔探测磁超分辨、后孔探测磁超分辨。

CAD磁超分辨及磁畴扩大盘的层间现象

为实现面记录密度１０Ｇｂｉｔ／ｉｎ２以上的高密度磁光记录／读出，提出了磁超分辨和磁畴扩大盘的解决方案。这种盘需要多层结构，各层间的相互作用至关重要。研究了磁超分辨（ＭＳＲ）及磁畴扩大（ＭＡＭＭＯＳ）盘因各层特性及层间相互作用而引起的读出功率、记录功率、读出信号输出、读出磁场等特性的变化。综合各层与特性的关系，提示了实际磁光盘设计所需的各层膜厚及组成等主要条件。结果得知，热流、交换结合力、静磁结合力、矫顽力及中间非磁性层的膜厚等是主要因素。

磁光盘存储技术综述

文中对下一代磁光盘可能采用的技术 :短波长记录读出技术、短波长磁超分辨技术(MSR)、磁畴放大读出技术 (MAMMOS)、畴壁移动检测技术 (DWDD)和超分辨近场结构型(Super -RENS)光存储技术的原理进行了介绍 。

平面磁化/垂直磁化双层耦合膜的磁化方向分析

平面磁化/垂直磁化双层磁光薄膜之间交换耦合作用的控制是中心孔探测型磁超分辨(CAD-MSR)技术的关键。本文根据磁能分布的连续模型,通过一定的数值方法和边界条件解磁能量方程。总结了单层膜磁交换常数、有效各向异性常数和饱和磁化强度对读出层磁化方向的影响规律。计算结果表明,要实现CAD-MSR,平面磁化层的饱和磁化强度必须有随温度升高而下降的趋势,而记录层的饱和磁化强度最好随温度升高而增大。计算结果将对两层耦合膜实验中材料的选取有直接的指导作用。

稀土-过渡族合金双层磁光膜的交换耦合性能分析

稀土 过渡族合金GdFeCo/TbFeCo双层膜交换耦合性能的控制是实现中心孔探测型磁超分辨的关键。分别从理论和实验的角度研究了两层膜的交换耦合性能。理论计算结果表明,在温度升高到接近读出层补偿点时,由于两层之间的交换耦合,读出层磁化方向由室温时的面内变为垂直于膜面。实验得到了类似的结果,理论和实验结果有很好地吻合。另外,还分析了两层膜交换耦合性能的影响因素,分析结果对以后的实验有很好的指导作用。

磁光超分辨近场结构存储技术

介绍分析了近场存储基本原理和现状,对实现磁光近场存储的一种新方法-磁光超分辨近场结构的应用原理、最新进展及发展方向进行了综述。

光存储及恢复技术

TP333.4 97042454磁性多层膜在磁光数据存储技术中的应用=Applicationof magnetic multilayer films to the techniqueof magneto-optic digital storage[刊,中]/卢正启,李佐宜(华中理工大学固体电子学系.湖北,武汉(430074))//大自然探索.—1996,15(3).—35-39讨论了磁性多层膜在短波长记录、磁超分辨、磁场调制直接重写和光强调制直接重写技术中的应用原理和发展前景。磁性多层膜对改进磁光盘的记录特性和功能具有重大作用,是综合运用多种提高记录密度方法和直接重写方式的关键因素。参13(严寒)

新一代iD photo盘简介

磁光盘iD (intelligent, image)photo是数字相机用的下一代存储介质。其直径为50.8mm,容量为730MB,记录方式为光脉冲磁场调制方式,读出方式为CAD(Center Aperture Detecion)型磁超分辨方式。作为下一代存储介质,目前正在研究采用无磁场型MAMMOS(Magnetic Amplifying Magneto-OpticalSystem)技术,并与iD photo兼容的新型iD photo磁光盘。在位长0.13μm、道距0.70μm条件下,具有足够的读出能力。其容量约为iD photo的2倍,达到1.3GB。

GdFeCo/DyFeCo交换耦合两层薄膜磁化方向转变的研究

用磁控溅射法制备了GdFeCo DyFeCo交换耦合两层薄膜 ,对交换耦合两层薄膜变温磁化方向进行了研究 .结果表明读出层GdFeCo随温度上升从平面磁化转变成垂直磁化 ,转变过程中主要受饱和磁矩 (Ms)的影响 .在GdFeCo的补偿温度附近 ,读出层的磁化强度近于零 ,退磁场能减小 ,并在交换耦合的作用下 ,使读出层的磁化方向发生转变 。

GdFeCo/AlN/TbFeCo薄膜的变温磁化性能研究

用磁控溅射法制备了GdFeCo/AlN/TbFeCo静磁耦合多层薄膜。振动样品磁强计和克尔磁滞回线测试装置的测试结果表明 :2 5℃不加外磁场时GdFeCo/AlN/TbFeCo静磁耦合多层薄膜读出层 (GdFeCo)的极向克尔角为零 ,读出层呈平面磁化 ;12 5℃不加外场时读出层的克尔角最大 (0 .5 4°) ,读出层的磁化方向为垂直磁化 ;随着温度增高 ,读出层由平面磁化转变为垂直磁化 ,在 75℃到 12 5℃温度范围内读出层磁化方向很快从平面磁化转变为垂直磁化。对磁化过程的机理研究表明 :饱和磁化强度和有效各向异性常量影响读出层磁化方向的转变过程 ,但主要受读出层饱和磁化强度的影响 ;在较高温度时读出层的磁化强度较小 ,退磁场能较小 ,在静磁耦合作用下 ,使GdFeCo读出层的磁化方向发生转变。制备的GdFeCo/AlN/TbFeCo静磁耦合多层薄膜适合作CAD