单根Co(81)Cu(19)/Cu多层纳米线电学性质的原位测量

磁电阻效应是衡量磁结构单体性能的最重要指标。随着对磁电阻效应的不断研究和应用,不仅诞生了与电子自旋相关的自旋电子学理论,同时也促进了电子学器件的快速发展,这不仅为基础物理的理论研究提供了实验根基,也将促进今后大规模高科技产业的形成。随着半导体加工工艺技术的不断提高,电子学器件的基本结构单元已经达到了纳米量级,这将引起一些纳米范畴的特性对其宏观性能的调控和影响。基于此,全面掌握纳米磁结构单体基本的物理特性是非常必要的,对其全面了解和精确测量能够进一步推动自旋电子学器件的应用和发展。本文应用电化学沉积法制备了CoCu/Cu多层纳米线,且在电镜下对单根CoCu/Cu多层纳米线的磁电特性进行了原位测试。通过对多层纳米线电特性的测量,不仅获得了多层纳米线的基本物理参数,还得到了直观、清晰的物理图像,这为磁结构单体今后的发展和应用提供了可靠的理论基础和实际指导。

Al_xGa_(1-x)N/GaN调制掺杂异质结构的子带性质研究

通过低温和强磁场下的磁输运测量研究了Al0 2 2 Ga0 78N GaN调制掺杂异质结构中 2DEG的子带占据性质和子带输运性质 .在该异质结构的磁阻振荡中观察到了双子带占据现象 ,并发现 2DEG的总浓度随第二子带浓度的变化呈线性关系 .得到了该异质结构中第二子带被 2DEG占据的阈值电子浓度为 7 3× 10 1 2 cm- 2 .采用迁移率谱技术得到了不同样品的分别对应于第一和第二子带的输运迁移率 .发现当样品产生应变弛豫时第一子带的电子迁移率骤然下降 ,而且第二子带的电子迁移率远大于第一子带的电子迁移率 .用电子波函数分布和应变弛豫时的失配位错散射解释了上述现象 .同时进一步说明了界面粗糙散射和合金无序散射是决定AlxGa1 -xN GaN异质结构中