单层碳纳米管的磁输运特性

依据磁场中Boltzmann输运方程及单层磁纳米管 (SWNTs)的能量色散关系 ,对单个SWNTs中轴向磁场诱发的低温磁阻进行了数值计算。分析表明 :当电子以低能输运时 ,SWNTs的磁阻有明显的Aharonov Bohn(A -B)效应 。

Co-C纳米复合薄膜的微结构、磁性能和磁输运特性

采用磁控溅射法在硅基片上制备了Co原子分数为13.0%的Co-C纳米复合薄膜.在真空条件下,对薄膜进行退火处理,退火温度从473K逐步提高至773K,保温时间30min.形貌观察表明,未经退火处理的薄膜中,Co颗粒均匀分布在非晶C基体中,Co颗粒尺寸为1.5-3.0nm;673K退火后,Co颗粒尺寸增大.磁性能测试表明,未经退火处理的薄膜磁性较弱,随着退火温度升高,薄膜的磁化强度和矫顽力均明显增大;当退火温度增加至673—773K时,薄膜呈现出低温铁磁性、室温超顺磁性的典型颗粒体系磁性特征.磁输运特性研究表明,未经退火处理的薄膜在温度为4.2K,磁场为3980kA/m时表现出1.33%的负磁电阻,随着退火温度升高,样品磁电阻值下降;电阻与温度关系在4.2—60K范围内符合lnR-T^(-1/4)线性关系,磁输运遵循变程跳跃(variable range hopping)传导机制.

源于非晶合金的透明磁性半导体

磁性半导体兼具磁性和半导体特性,通过操控电子自旋,有望实现接近完全的电子极化,提供一种全新的导电方式和器件概念.目前磁性半导体的研究对象主要为稀磁半导体,采用在非磁性半导体中添加过渡族磁性元素使半导体获得内禀磁性的方法进行制备.但大部分稀磁半导体仅具有低温磁性,成为限制其在室温可操控电子器件中应用的瓶颈.针对这一关键科学问题,本文提出与传统稀磁半导体制备方法相反的合成思路,在磁性非晶合金中引入非金属元素诱发金属-半导体转变,使磁性非晶获得半导体电性,研制出具有新奇磁、光、电耦合特性的非晶态浓磁半导体,揭示其载流子调制磁性的内禀机理,发展出可在室温下工作的p-n结及电控磁器件.

同质及异质外延生长InSb中可控的p型和n型掺杂

本文对在ＩｎＳｂ及ＧａＡｓ衬底上用分子束外延生长的ＩｎＳｂ分别以Ｂｅ和Ｓｉ作ｐ型和ｎ型的掺杂作了研究。当衬底温度超过３４０℃时，利用二次离子质谱技术，在ＩｎＳｂ衬底上生长时，发现Ｂｅ向表面有反常迁移现象。而在ＧａＡｓ衬底上生长的掺Ｂｅ的ＩｎＳｂ薄膜中未发现这种迁移。在掺Ｓｉ的ＩｎＳｂ膜中也未发现掺杂剂的再分布现象。ＩｎＳｂ中Ｂｅ的掺杂效率约是ＧａＡｓ中的一半，若想使Ｓｉ在ＩｎＳｂ中的掺杂效率达到其在ＧａＡｓ中的掺杂效率，在整个生长过程中，需将衬底温度维持在＜３４０℃。利用低温生长技术，可生长出呈现二维电子气体特性的Ｓｉ△－掺杂结构。

Ag_(2+δ)Te薄膜的低温纵向磁电阻效应

采用高真空电子束蒸发镀膜方法制备了不同结构的ＡｇＴｅ 多层膜，通过热处理得到了不同自掺杂浓度δ的非磁性Ａｇ２＋ δＴｅ 薄膜．Ａｇ２．１Ｔｅ 薄膜在低温下有很大的负纵向磁电阻，并且出现电阻率和磁电阻的多重峰现象．这可能与Ａｇ 的掺杂浓度δ和测量温度有很大关系，用掺杂的能带理论解释了有关的多重峰现象．

新秀集

朱力行田东平，４２岁，西安交通大学理学院凝聚态物理研究所所长、教授。他先后获得西安交通大学理学学士学位，中国科技大学理学硕士学位。１９８９年至１９９４年赴联邦德国攻读并获得多特蒙德大学理学博士学位并从事博士后研究工作。１９９４年１１月回国，后又数次赴...