过滤真空弧等离子体沉积成膜系统的磁过滤管道传输特性的实验

介绍了采用90°螺旋管的过滤真空弧等离子体沉积成膜系统，对磁过滤管道的传输特性进行了实验研究．实验观察到，弧源聚焦磁场和过滤管道正偏压越高，过滤管道的传输效率越高．但聚焦磁场高过一定阈值时，会出现起弧不稳现象，此阈值的大小同过滤管道磁场及偏压的大小有关．过滤管道正偏压在40～60V范围内，管道磁场在7～11mT时传输效率较高，偏压越高达到最佳传输效率所需的过滤管道磁场越高．

磁过滤真空弧等离子体钛沉积膜改善H13钢腐蚀机理的研究

利用磁过滤真空弧等离子体沉积成膜系统 ,在H13钢基体上沉积一层 36 0nm的钛膜。透射电镜 (TEM)分析结果表明 ,沉积膜膜层的微观结构呈晶须状。在 pH =5.6的NaAc/HAc缓冲液中阳极极化扫描曲线测量表明 ,沉积膜样品的腐蚀电流密度峰值较H13钢降低 1— 2个数量级 ,抗腐蚀性能大幅度提高 ,离子注入进一步降低了沉积膜样品的峰值腐蚀电流密度 ,提高了沉积膜样品的抗腐蚀性。SEM对腐蚀样品的表面形貌进行了分析 ,并对沉积膜样品的抗腐蚀机理进行了研究。

磁过滤真空弧等离子体钛沉积膜的XPS研究

通过磁过滤真空弧等离子体沉积技术 ,在单晶Si和H13钢衬底上生长一层Ti沉积膜。利用扫描电镜、X射线衍射仪和X射线光电子能谱仪对膜层进行了测量和分析。结果表明 ,加上磁过滤器的沉积膜表面平整光洁 ,无“液滴”出现。在靶室真空度不高的情况下 ,膜层中的Ti以TiO的形式存在 ,并且TiO晶粒沿 <110 >方向择优取向。膜层表面的TiO进一步与大气中氧发生反应形成TiO2 。

磁过滤等离子体沉积和注入技术

利用阴极真空弧放电技术能够产生高密度的金属等离子体。经过 90度的磁过滤器 ,可以除去金属等离子体中的大颗粒微粒 ,从而为制备高质量的、致密的各种薄膜提供了一种全新的技术。利用该技术制备薄膜具有非常广泛的应用。本文介绍了阴极真空弧放电技术的应用 。

过滤管道作为第二阳极的磁过滤阴极真空弧沉积系统

建立了一台磁过滤脉冲阴极真空弧沉积装置 .通过在 90°磁过滤管道和阴极之间加一30～ 60V的正偏压使系统沉积速率得到了大幅度提高 .研究和观察表明 ,此时在过滤管道和阴极之间产生了阴极真空弧放电 ,并因此使阴极消耗率大幅度增大 .对此放电回路及其和MEVVA阳极

过滤管道磁场在改进真空弧沉积系统中的作用

在 90°磁过滤管道和MEVVA源阴极之间加 30～ 60V的正偏压可使磁过滤管道起到阴极弧放电第二阳极的作用。在此情况下 ,就磁过滤管道磁场对MEVVA源阳极 阴极和磁过滤管道 阴极两个回路弧放电和磁过滤管道等离子体传输效率的影响进行了实验研究。研究结果表明 :随磁过滤磁场升高 ,磁过滤管道和阴极之间的弧放电规模降低 ,系统的等离子体传输效率升高 。

磁过滤真空弧沉积中过滤管道的第二阳极作用研究

利用一台磁过滤真空弧沉积装置 ,初步研究了磁过滤管道对系统弧放电的影响。实验证明 ,磁过滤管道在阴极真空弧沉积中不仅起到消除大颗粒的作用 ,还作为阴极真空弧放电的第二阳极对弧放电产生影响。给出了磁过滤阴极真空弧放电的等效电路 。

磁过滤阴极真空弧沉积装置研究中的等效电路方法

提出了模拟磁过滤阴极真空弧放电等离子体沉积装置阴极弧放电过程的等效电路 ,并用此电路定性研究了各参数对弧放电的影响 。

真空阴极弧离子镀的发展及应用

叙述了真空阴极弧离子镀技术的原理,种类,宏观颗粒的产生以及磁过滤器的应用。重点分析了系统效率,等离子体传输影响因素和真空阴极电弧离子镀技术在薄膜研究和制造中的应用。

类金刚石薄膜的气相沉积新型工艺发展

类金刚石薄膜有着与金刚石薄膜相近的优异性能,且其制备条件相对而言比较温和,因此其制备工艺的发展一直得到广大研究者的关注。在各类型制备工艺中,低温气相沉积法由于其制备条件容易实现,生产设备可大规模生产化而得到了广泛的应用。简述了传统制备类金刚石薄膜的低温工艺,重点介绍了现阶段微波电子回旋等离子体沉积和真空磁过滤弧沉积等新型工艺发展现状。

纳米弹性复合DLC薄膜的制备及其摩擦性能研究

利用磁过滤阴极真空弧沉积系统在硅片及以硅片为基底的2种弹性体材料表面沉积厚度为2．7nm的DLC膜，采用原子力显微镜和拉曼光谱仪对薄膜的形貌及成分进行分析，用纳米力学测试系统测量薄膜的弹性模量和硬度，用UMT-2型多功能微摩擦磨损试验机考察其摩擦性能．结果表明，以γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷（187）为偶联剂的薄膜试样表面比以γ-氨丙基三乙氧基硅烷（APS）为偶联剂的薄膜试样表面更致密且粗糙度更低，薄膜的最上层为DLC膜．在硅表面沉积DLC薄膜可以显著降低其表面的摩擦系数（0．117～0．137），在低载荷条件下，含偶联剂及弹性体的DLC薄膜的摩擦系数低于硅表面沉积DLC的薄膜，且以187为偶联剂的薄膜试样的摩擦性能更佳；在高载荷条件下，硅表面沉积DLC的薄膜具有更优异的摩擦性能．