微型薄膜磁阻传感元件在磁化和反磁化过程中的磁畴结构研究

微型薄膜磁阻传感元件在磁化和反磁化过程中的磁畴结构研究余晋岳，周勇，宋柏泉，徐东（上海交通大学信息存储研究中心）摘要：应用Ｂｉｔｔｅｒ粉纹技术观察和分析了微型磁阻传感元件在磁化和反磁化中磁畴结构变化的全过程，研究表明和元件中的Ｂａｒｋｈａｕｓｅｎ跳跃...

微型薄膜磁阻传感元件的磁畴和畴壁状态的转变过程

用Ｂｉｔｅｒ粉纹技术研究了长×宽为４０μｍ×３００μｍ，厚度为４０ｎｍ的微型ＮｉＦｅ磁阻元件，在难轴方向反磁化过程中曲折状磁畴的转变过程，观察和分析了曲折状畴形成、Ｎｅｅｌ壁合并。