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Si调制掺杂AlGaN/GaN异质结磁阻拍频现象 被引量：3
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作者 姚炜 仇志军 +5 位作者 桂永胜 郑泽伟 吕捷 唐宁 沈波 褚君浩 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期2247-2251,共5页
在低温 (1 5K— 2 5K)和强磁场 (0— 10T)条件下 ,对二维电子气占据两个子带的Si调制掺杂AlGaN GaN异质结构进行磁输运测量 .在一定温度范围内观察到磁阻拍频现象 .根据Sander等人和Raikh等人给出的磁阻振荡的具体表达式 ,拟合实验结果... 在低温 (1 5K— 2 5K)和强磁场 (0— 10T)条件下 ,对二维电子气占据两个子带的Si调制掺杂AlGaN GaN异质结构进行磁输运测量 .在一定温度范围内观察到磁阻拍频现象 .根据Sander等人和Raikh等人给出的磁阻振荡的具体表达式 ,拟合实验结果表明磁阻拍频是由第一子带SdH振荡和磁致子带间散射引起的磁阻振荡导致的 . 展开更多
关键词 氮化镓 异质结构 SdH振荡 .磁致子带间散射 磁阻拍频 半导体
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