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钙钛矿型氧化物La0.9Sn0.1MnO3庞磁阻薄膜电子结构XPS研究
1
作者 崔大复 刘凤芹 《北京同步辐射装置年报》 2000年第1期219-222,共4页
用XPS和同步辐射技术研究了钙钛矿型氧化物La1-xSnxMnO3薄膜的电子结构。特别地,我们采用角分辨X-射线光电子谱技术(ARXPS),研究了薄膜表面最顶层原子种类和排列状况。结果表明,La1-xSnxMnO3薄膜的表面最顶层为MnO2原子平面。在... 用XPS和同步辐射技术研究了钙钛矿型氧化物La1-xSnxMnO3薄膜的电子结构。特别地,我们采用角分辨X-射线光电子谱技术(ARXPS),研究了薄膜表面最顶层原子种类和排列状况。结果表明,La1-xSnxMnO3薄膜的表面最顶层为MnO2原子平面。在此基础上,我们进一步在原子水平上探讨了薄膜的层状外延生长机理。 展开更多
关键词 钙钛矿型氧化物 La0.9Sn0.1MnO3 磁阻薄膜 电子结构 XPS 同步辐射 外延生长
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强磁体磁阻薄膜的研制
2
作者 吴东阁 王晓雯 李绍恒 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2003年第6期10-11,共2页
强磁体薄膜是制造强磁体磁阻器件的基础,也是制造强磁体磁阻器件的最关键的一道工艺,对于制备低功耗的强磁体磁阻器件,要求薄膜厚度很薄,约40nm,这对薄膜的制备工艺提出了更高的要求。本文主要论述了用真空蒸镀的方法制取低功耗强磁体... 强磁体薄膜是制造强磁体磁阻器件的基础,也是制造强磁体磁阻器件的最关键的一道工艺,对于制备低功耗的强磁体磁阻器件,要求薄膜厚度很薄,约40nm,这对薄膜的制备工艺提出了更高的要求。本文主要论述了用真空蒸镀的方法制取低功耗强磁体磁阻器件用的强磁体薄膜的理论基础,并在所用材料、蒸镀方法、材料的配比、蒸发基底温度、热处理温度、膜层厚度等对薄膜的磁各向异性(△ρ/ρ_0)的影响进行了详细阐述。 展开更多
关键词 强磁体磁阻薄膜 真空蒸镀 热处理温度 结晶化处理 研制 强磁体磁阻传感器
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坡莫磁阻薄膜的热处理研究
3
作者 章岚 郭懋端 徐梅娣 《功能材料》 EI CAS CSCD 1993年第5期399-401,共3页
研究了坡莫磁阻薄膜的热处理工艺对电磁性能和组织结构的影响。通过溅射样品退火处理前后的X射线和TEM分析表明退火后(111)织构加强,堆垛层错减少,晶粒长大,缺陷减少。退火后电阻率下降,各向异性磁阻提高,但软磁性能没有改善,这些是与... 研究了坡莫磁阻薄膜的热处理工艺对电磁性能和组织结构的影响。通过溅射样品退火处理前后的X射线和TEM分析表明退火后(111)织构加强,堆垛层错减少,晶粒长大,缺陷减少。退火后电阻率下降,各向异性磁阻提高,但软磁性能没有改善,这些是与微结构变化相联系的。 展开更多
关键词 坡莫磁阻薄膜 堆垛层错 热处理
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高温超导体和巨磁阻薄膜激光感生热电电压的最佳膜厚研究 被引量:9
4
作者 王茺 张鹏翔 张国勇 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期1727-1730,共4页
根据高温超导体 (HTSC)和巨磁阻 (CMR)薄膜中激光感生电压信号的时间关系公式 ,进一步导出产生最大激光感生电压所需的薄膜最佳厚度的方程式 .结果表明 ,感生电压不是简单地与厚度的倒数成正比 ,而是存在一个最佳厚度 .该方程给出了影... 根据高温超导体 (HTSC)和巨磁阻 (CMR)薄膜中激光感生电压信号的时间关系公式 ,进一步导出产生最大激光感生电压所需的薄膜最佳厚度的方程式 .结果表明 ,感生电压不是简单地与厚度的倒数成正比 ,而是存在一个最佳厚度 .该方程给出了影响器件响应设计的主要因素 ,讨论了决定最佳厚度的薄膜参数 。 展开更多
关键词 高温超导体 磁阻薄膜 最佳厚度 薄膜参数
原文传递
微型NiFe磁阻(MR)薄膜传感元件在反磁化过程中的钩形畴活动
5
作者 余晋岳 蔡炳初 +4 位作者 张明生 章吉良 赵小林 周狄 魏福林 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期15-17,共3页
从NiFe磁阻(Magneto-Resistive)薄膜传感元件的实际结构出发,全面观察和分析了它在难轴方向反磁化过程中磁畴结构的转变过程发现,由于实际元件是不规则形状的,特别是由于引线形状各向异性的影响,即使在传感器形状比(aspectrati... 从NiFe磁阻(Magneto-Resistive)薄膜传感元件的实际结构出发,全面观察和分析了它在难轴方向反磁化过程中磁畴结构的转变过程发现,由于实际元件是不规则形状的,特别是由于引线形状各向异性的影响,即使在传感器形状比(aspectratio)大于50:1时,传感器中仍然不是单畴的。实验中具体观察了从引线衍生到传感器有效区域的钩形畴活动和它的不可逆转变,说明它是产生Barkhausen跳跃的一个潜在的物理原因。这是过去文献中所未曾充分注意和研究过的。 展开更多
关键词 传感元件 反磁化 磁畴 钩形畴 传感器 磁阻薄膜
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薄膜磁阻效应计算机控制自动测试 被引量:1
6
作者 崔甲武 宋金璠 +1 位作者 周雁青 张绍武 《济南大学学报(自然科学版)》 CAS 2002年第2期200-202,共3页
采用单片机 80 31模拟三角波输出而产生超低频扫场电源 ,克服阻容元件线差波形不稳定 ,用 8位单片机与 16位数模转换器进行接口 ,给出了控制系统、D/A转换、恒流和功率驱动电路以及软件设计 ,以四探针、六探针法测量 。
关键词 薄膜磁阻效应 探针 单片机
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薄膜磁阻传感器及其应用 被引量:3
7
作者 过璧君 《磁性材料及器件》 CSCD 1994年第3期27-33,40,共8页
80年代以来得到迅猛发展的一种新型磁性传感器—薄膜磁阻传感器,在数控机床、精密机械定位系统、磁记录、办公自动化设备、家用电器等方面的应用十分广泛.在日本已经形成庞大产业.这是一个社会效益和经济效益都十分看好的高科技领... 80年代以来得到迅猛发展的一种新型磁性传感器—薄膜磁阻传感器,在数控机床、精密机械定位系统、磁记录、办公自动化设备、家用电器等方面的应用十分广泛.在日本已经形成庞大产业.这是一个社会效益和经济效益都十分看好的高科技领域.本文介绍了薄膜磁阻传感器的工作原理、技术指标及其应用技术,并简要介绍了电子科技大学在这方面所进行的一些工作。 展开更多
关键词 磁电阻效应 薄膜磁阻元件 编码器 磁头 传感器
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薄膜磁阻传感器及其应用(续) 被引量:1
8
作者 过璧君 《磁性材料及器件》 CSCD 1994年第4期41-45,51,共6页
薄膜磁阻传感器及其应用(续)过璧君(电子科技大学成都).4.薄膜磁阻传感器的应用下面介绍体积不同的磁阻薄膜传感器的特性,然后按照器件的功能分别介绍它们的应用场合。4.1不同体积的薄膜磁阻传感器的特性(1)微型薄膜磁阻... 薄膜磁阻传感器及其应用(续)过璧君(电子科技大学成都).4.薄膜磁阻传感器的应用下面介绍体积不同的磁阻薄膜传感器的特性,然后按照器件的功能分别介绍它们的应用场合。4.1不同体积的薄膜磁阻传感器的特性(1)微型薄膜磁阻传感器.这类传感器大多是用条形的磁... 展开更多
关键词 薄膜 薄膜磁阻传感器 传感器 应用
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Fe/Cu巨磁阻多层薄膜的XPS研究
9
作者 郑大方 佟富强 +2 位作者 张伟 葛昕 陈旭 《吉林大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期91-93,共3页
利用磁控溅射方法在Si衬底上制备了Cu/Fe多层薄膜,采用XPS方法及Ar离子对薄膜样品进行刻蚀.研究表明,在多层薄膜的溅射界面存在合金,并观测到溅射层向基体扩散的现象.
关键词 Fe/Cu多层薄膜 磁阻多层薄膜 磁控溅射 结构分析 XPS方法 微观结构
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微型薄膜磁阻传感元件的磁畴和畴壁状态的转变过程
10
作者 余晋岳 宋柏泉 +1 位作者 周勇 蔡炳初 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第7期95-99,共5页
用Biter粉纹技术研究了长×宽为40μm×300μm,厚度为40nm的微型NiFe磁阻元件,在难轴方向反磁化过程中曲折状磁畴的转变过程,观察和分析了曲折状畴形成、Neel壁合并。
关键词 磁阻传感元件 磁畴 畴壁 反磁化 薄膜磁阻
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一种检测薄膜型InSb-In磁阻元件灵敏度的便捷方法
11
作者 颜健毅 黄钊洪 《传感器世界》 2006年第2期25-28,共4页
本文设计了一种检测方法,它提拱精确可控制、且在一定的条件下磁感应强度的大小是稳定的磁场,同时设计了一种低噪声的放大电路对磁阻元件的输出进行测量。利用这个装置,可以精确地测量薄膜式InSb-In磁阻元件的灵敏度。本文检测并讨论了... 本文设计了一种检测方法,它提拱精确可控制、且在一定的条件下磁感应强度的大小是稳定的磁场,同时设计了一种低噪声的放大电路对磁阻元件的输出进行测量。利用这个装置,可以精确地测量薄膜式InSb-In磁阻元件的灵敏度。本文检测并讨论了磁阻式Insb-In磁阻元件在一定的磁偏置的条件下,外加磁感应强度B与磁阻元件的电阻值的变化率间的关系,从而提出了一种精确、便捷的薄膜型InSb-In磁阻元件的测量方法。 展开更多
关键词 薄膜磁阻元件 INSB-IN 灵敏度 检测 均匀磁场 磁感应强度
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基于薄膜磁阻传感器的微弱磁场测量仪的硬件设计 被引量:3
12
作者 白慧 段军政 王红雨 《现代电子技术》 2003年第23期90-91,94,共3页
介绍了薄膜磁阻传感器的结构与工作原理 ,及其用于微弱磁场测量仪的硬件设计方法。该测量仪选用 Philips公司的磁阻传感器 KMZ5 1进行设计 ,不仅能够测量地磁场 。
关键词 微弱磁场测量 薄膜磁阻传感器 地磁场 KMZ51
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薄膜磁阻传感器及其应用
13
作者 过璧君 《实用测试技术》 1994年第3期36-39,共4页
薄膜磁阻传感器及其应用过璧君(电子科技大学,成都610054)薄膜磁阻传感器是70年代中期才得到迅速发展的新型磁性传感器。由于它具有灵敏度高、体积小、可靠性高、温度稳定性好、工作频带宽、耐恶劣环境能力强以及易于与数字... 薄膜磁阻传感器及其应用过璧君(电子科技大学,成都610054)薄膜磁阻传感器是70年代中期才得到迅速发展的新型磁性传感器。由于它具有灵敏度高、体积小、可靠性高、温度稳定性好、工作频带宽、耐恶劣环境能力强以及易于与数字电路匹配等优点,以致于虽然它出现远... 展开更多
关键词 薄膜磁阻传感器 磁阻传感器 应用
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薄膜磁阻元件及电流传感器 被引量:1
14
作者 黄新平 应振洲 《传感器世界》 1999年第1期39-41,共3页
本文综述IETEX公司薄膜磁阻元件及电流传感器的工作原理、结构和技术特性、应用。
关键词 磁阻效应 薄膜磁阻元件 磁阻电流传感器
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薄膜磁阻齿轮传感器
15
作者 黄新平 俞理清 《传感器世界》 2001年第1期51-52,共2页
齿轮传感器是Ni—Fe合金薄膜磁阻元件的一种重要的应用。本文介结采用Ni—Fe合金薄膜的磁敏电阻元件制成的齿轮传感器的原理、结构、特点、技术参数和应用。
关键词 薄膜磁阻元件 齿轮传感器 磁阻效应 NI-FE合金
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具有p-n结特性的La_(1-x)Ca_xMnO_3/SrNb_xTi_(1-x)O_3巨磁阻多层膜的透射电镜研究
16
作者 虞红春 刘立峰 +4 位作者 李莹 田焕芳 周玉清 吕惠宾 李建奇 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期403-403,共1页
关键词 SNTO材料 磁阻薄膜 LCMO材料 P-N结 激光分子束外延法 薄膜生长 结构分析 晶胞参数
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ZMC系列磁阻电流传感器及其应用 被引量:2
17
作者 黄新平 陈浩 《国外电子元器件》 1999年第5期2-3,共2页
本文介绍美国ZETEX公司生产的ZMC系列薄膜磁阻电流传感器的原理、结构、特点、技术参数和应用电路。
关键词 磁阻效应 薄膜磁阻元件 磁阻电流传感器 传感器
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磁旋转编码器在汽车测速系统中的应用 被引量:8
18
作者 张宇 闵子建 +1 位作者 陈庆永 郑鹉 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2008年第9期76-77,98,共3页
简要论述了汽车电子系统对传感器的要求,并介绍了磁性编码器的工作原理和性能特点。设计出一种采用新的高电阻率NiFeCr作为缓冲层的坡莫合金薄膜,并将此磁薄膜作为汽车的测速传感器。系统具有结构简单、抗恶劣环境、高速响应、成本低和... 简要论述了汽车电子系统对传感器的要求,并介绍了磁性编码器的工作原理和性能特点。设计出一种采用新的高电阻率NiFeCr作为缓冲层的坡莫合金薄膜,并将此磁薄膜作为汽车的测速传感器。系统具有结构简单、抗恶劣环境、高速响应、成本低和可靠性高的特点。保证汽车在行驶中准确、可靠地测速。 展开更多
关键词 磁编码器 薄膜磁阻 四倍频电路 测速
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Thickness Impacts of Vacancy Defects in Epitaxial La0.7Sr0.3MnO3 Thin Films Using Slow Positron Beam 被引量:1
19
作者 刘建党 成斌 +1 位作者 杜淮江 叶邦角 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 2010年第6期685-688,746,共5页
Thickness effects of thin La0.7Sr0.3MnO3 (LSMO) films on (LaAlOa)0.3(Sr2AlTaO6)0.7 substrates were examined by a slow positron beam technique. Doppler-broadening line shape parameter S was measured as a function... Thickness effects of thin La0.7Sr0.3MnO3 (LSMO) films on (LaAlOa)0.3(Sr2AlTaO6)0.7 substrates were examined by a slow positron beam technique. Doppler-broadening line shape parameter S was measured as a function of thickness and differnt annealing conditions. Results reveal there could be more than one mechanism to induce vacancy-like defects. It was found that strain-induced defects mainly influence the S value of the in situ oxygenambience annealing LSMO thin films and the strain could vanish still faster along with the increase of thickness, and the oxygen-deficient induced defects mainly affect the S value of post-annealing LSMO films. 展开更多
关键词 Thin film Giant magnetoresistance Slow positron beam DEFECT
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ANALYSES OF WAGNER'S MODEL
20
作者 任世伟 姜恩永 +2 位作者 侯登录 金英进 白海力 《Transactions of Tianjin University》 EI CAS 2001年第3期165-166,共2页
To achieve a better understanding of the effects of the colossal magnetoresistivity in the mixed valence manganites,the model of a negative magnetoresistivity scaling proposed by Wagner et al is explored in both mat... To achieve a better understanding of the effects of the colossal magnetoresistivity in the mixed valence manganites,the model of a negative magnetoresistivity scaling proposed by Wagner et al is explored in both mathematical and physical analyses.The inconsistency in Wagners model is discussed and corrected. The behaviors of the large spin polarons in Nd 0.52 Sr 0.48 MnO 3 film at T c are studied and analyzed.The results show that only through necessary corrections can Wagners model become self consistent. A further exploration of the nature of the magnetically aligned clusters will make the model more convincing. 展开更多
关键词 colossal magnetoresistivity FILM rare earth manganites
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