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基于半导体光二极管CaAsP的实时自相关仪 被引量:6
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作者 赵江山 张志刚 +1 位作者 柴路 王清月 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第12期1467-1469,共3页
阐述了利用双光子吸收原理和基于半导体 (CaAsP)光二极管的自相关测量方法 与传统的使用非线性晶体和光电倍增管的二次谐波测量方法相比 ,测量方法更加简单、实用、可靠 在实验中得到了较好的
关键词 半导体 CaAsP 实时自相关仪 自相关测量 光二极管 超短光脉冲 磷化合物 激光脉冲
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过渡金属Pd掺杂AsP结构及其吸附甲醛和一氧化碳的性能研究
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作者 钟光诚 舒敬坤 +3 位作者 谷新磊 刘鑫 倪宇翔 王辉 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2021年第2期1-7,共7页
基于第一性原理方法,研究了单层本征磷砷AsP和过渡金属钯(Pd)掺杂磷砷AsP的结构,并对比研究了本征和掺杂后的AsP吸附甲醛(HCHO)和一氧化碳(CO)气体分子的稳定性、能带结构、态密度以及电荷差分密度.研究结果表明:经Pd掺杂后AsP由半导体... 基于第一性原理方法,研究了单层本征磷砷AsP和过渡金属钯(Pd)掺杂磷砷AsP的结构,并对比研究了本征和掺杂后的AsP吸附甲醛(HCHO)和一氧化碳(CO)气体分子的稳定性、能带结构、态密度以及电荷差分密度.研究结果表明:经Pd掺杂后AsP由半导体转变为导体;本征AsP吸附一氧化碳最稳定的位置为P-As键顶上,吸附甲醛最稳定的位置为P原子顶上;本征吸附时气体分子与基底之间的距离在3Å左右,气体分子与基底之间未形成化学键.过渡金属Pd原子掺杂AsP后形成两种结构,分别为Pd原子替换超胞结构中的As原子或P原子.两种掺杂结构分别吸附一氧化碳或甲醛气体分子时,除了Pd原子替换AsP中的As原子形成的结构吸附甲醛的吸附能未明显增加外,其余掺杂结构吸附一氧化碳或甲醛的吸附能和电荷转移较本征吸附时均显著增强,吸附CO分子时,C原子与Pd原子之间形成了化学键.特别是,Pd原子替换AsP中的P原子形成的结构对一氧化碳和甲醛气体分子的吸附性能明显强于Pd原子替换AsP中的As原子所形成的结构. 展开更多
关键词 磷化砷 掺杂 气体分子吸附 密度泛函理论
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GaAs/InP的键合界面热应力分析 被引量:5
3
作者 于丽娟 晏磊 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期120-125,共6页
采用双层条状金属热应力模型,用MATLAB方法对退火过程中GaAs/InP晶片间的应力和双轴弹性形变能进行模拟和分析。结果表明:将InP剪薄至200μm,GaAs剪薄至175μm,剪应力取得了一个相对的小值,而剥离应力更是被完全消除,这时正应力也相对... 采用双层条状金属热应力模型,用MATLAB方法对退火过程中GaAs/InP晶片间的应力和双轴弹性形变能进行模拟和分析。结果表明:将InP剪薄至200μm,GaAs剪薄至175μm,剪应力取得了一个相对的小值,而剥离应力更是被完全消除,这时正应力也相对较小。而按照一定的比例适度剪薄两侧晶片的厚度,可以使得两侧的双轴形变能减小到原来的一半以下。通过减薄键合晶片的厚度可以得到较好的键合质量。另外,不管那一种应力都随退火温度的升高而快速增加,所以实验中一定保持低的退火温度,通常小于300°C为宜。 展开更多
关键词 化镓/磷化 键合 热应力 退火温度 晶片厚度
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InP DHBT技术的最新进展 被引量:1
4
作者 赵小宁 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第7期441-445,共5页
阐述了目前InP DHBT器件技术的研究进展,介绍了I型InP/InGaAs DHBT技术的研究水平和Ⅱ型InP/GaAsSb DHBT技术的开发现状。综述了InP DHBT在功率放大器、分布放大器、静态分频器和压控振荡器领域的应用,指出了其在高速数据传输系统中的... 阐述了目前InP DHBT器件技术的研究进展,介绍了I型InP/InGaAs DHBT技术的研究水平和Ⅱ型InP/GaAsSb DHBT技术的开发现状。综述了InP DHBT在功率放大器、分布放大器、静态分频器和压控振荡器领域的应用,指出了其在高速数据传输系统中的重要性。为了适应高速数据传输系统的飞速发展,满足10/40/100Gbit/s高速系统的技术需求,对我国研发InPDHBT技术提出初步建议。 展开更多
关键词 磷化 双异质结双极型晶体管 磷化铟/镓 放大器 高速数据传输系统
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2~4μm波长的InAsPSb异质结激光管材料的液相外延
5
作者 王永珍 金长春 吕贵进 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第4期327-331,共5页
采用液相外延方法,生长出外延层与衬底之间的失配度△α/α≤1.6×10-3界面平直、组分恒定的InAsPSb/InAs外延晶体.单异质结外延层,得到了3.09μm波长的激光输出,双异质结外延片也得到了较好的伏-安... 采用液相外延方法,生长出外延层与衬底之间的失配度△α/α≤1.6×10-3界面平直、组分恒定的InAsPSb/InAs外延晶体.单异质结外延层,得到了3.09μm波长的激光输出,双异质结外延片也得到了较好的伏-安特性曲线. 展开更多
关键词 液相外延 异质结 激光管 磷化
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高响应度InGaAs PIN光电探测器的研制
6
作者 王承栋 杨集 +3 位作者 冯士维 张跃宗 庄四祥 张弓长 《微纳电子技术》 CAS 2007年第7期196-197,209,共3页
分析了影响探测器响应度的各因素,在此基础上设计了InGaAs/InP PIN探测器的外延材料结构并优化了增透膜厚度和p-InP区欧姆接触电极图形的设计,以达到提高响应度的目的。采用MOCVD技术和闭管扩散等工艺制备了器件并测量了其响应度。结... 分析了影响探测器响应度的各因素,在此基础上设计了InGaAs/InP PIN探测器的外延材料结构并优化了增透膜厚度和p-InP区欧姆接触电极图形的设计,以达到提高响应度的目的。采用MOCVD技术和闭管扩散等工艺制备了器件并测量了其响应度。结果显示,器件的光谱响应范围为1000-1600nm,在1500nm激光的辐照下,5V反向偏压时器件的响应度可达0.95A/W以上。 展开更多
关键词 探测器 光响应度 铟镓/磷化
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一种对负载不敏感的高功率平衡功率放大器 被引量:3
7
作者 章国豪 郑耀华 +2 位作者 李思臻 林俊明 陈思弟 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期321-326,共6页
针对卫星通信终端,采用功率合成架构设计了一个高输出功率的平衡功率放大器。功率合成架构通过在两路放大器的输出匹配网络中引入土45。的相移,可使该平衡功率放大器具有对负载失配容忍度更高和对负载变化不敏感等特性。该平衡功率放... 针对卫星通信终端,采用功率合成架构设计了一个高输出功率的平衡功率放大器。功率合成架构通过在两路放大器的输出匹配网络中引入土45。的相移,可使该平衡功率放大器具有对负载失配容忍度更高和对负载变化不敏感等特性。该平衡功率放大器采用InGaP/GaAsHBT工艺,工作电压为5v°测试结果表明:在1.5~1.7GHz频段内的增益为32dB左右,饱和输出功率为38dBm,功率附加效率为43%,当负载失配时仍能保持良好的射频特性。 展开更多
关键词 高功率 磷化铟镓/化镓异质结晶体管 功率放大器 功率合成 卫星通信
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无杂质空位扩散法造成InGaAsP/InP多量子阱结构带隙蓝移规律的研究 被引量:1
8
作者 张晓丹 赵杰 +1 位作者 王永晨 金鹏 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期119-123,共5页
采用光荧光谱 (PL)和光调制反射谱 (PR)的方法 ,研究了由Si3 N4 、SiO2 电介质盖层引起的无杂质空位(IFVD)诱导的InGaAsP四元化合物半导体多量子阱 (MQWs)结构的带隙蓝移。实验中Si3 N4 、SiO2 作为电介质盖层 ,用来产生空位 ,再经过快... 采用光荧光谱 (PL)和光调制反射谱 (PR)的方法 ,研究了由Si3 N4 、SiO2 电介质盖层引起的无杂质空位(IFVD)诱导的InGaAsP四元化合物半导体多量子阱 (MQWs)结构的带隙蓝移。实验中Si3 N4 、SiO2 作为电介质盖层 ,用来产生空位 ,再经过快速热退火处理 (RTA)。实验结果表明 :多量子阱结构带隙蓝移和退火温度、复合盖层的组合有关。带隙蓝移随退火温度的升高而加大。InP、Si3 N4 复合盖层产生的带隙蓝移量大于InP、SiO2 复合盖层。而InGaAs、SiO2 复合盖层产生的带隙蓝移量则大于InGaAs、Si3 N4 复合盖层。同时 ,光调制反射谱的测试结果与光荧光测试的结果基本一致 ,因此 。 展开更多
关键词 无杂质空位诱导无序 光荧光谱 光调制反射谱 铟镓磷化合物 磷化 多量子阱结构 单片集成光电器件
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基于HBT工艺的北斗手持终端功率放大器设计 被引量:1
9
作者 陈思弟 郑耀华 章国豪 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2015年第4期334-339,共6页
针对北斗卫星通信手持终端,基于InGaP/GaAs HBT工艺,采用功率合成的方式设计了两种输出功率为5 W的功率放大器,其中一种采用两路完全对称的功率放大器合成,另一种在两路功率放大器的输出端引入了90°的相位差。实测结果表明,在输出... 针对北斗卫星通信手持终端,基于InGaP/GaAs HBT工艺,采用功率合成的方式设计了两种输出功率为5 W的功率放大器,其中一种采用两路完全对称的功率放大器合成,另一种在两路功率放大器的输出端引入了90°的相位差。实测结果表明,在输出端引入90°相移的功率放大器获得了极好的抗烧毁能力,其在负载开路情况下仍能可靠工作。该功率放大器的功率附加效率为43%,增益为30dB,饱和输出功率为37.8dBm。 展开更多
关键词 北斗卫星通信 功率放大器 可靠性 磷化铟镓/化镓异质结双极型晶体管
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5.8~6.2GHz高效率InGaP/GaAs HBT J类功率放大器 被引量:1
10
作者 郑瑞青 郑耀华 章国豪 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2015年第4期340-345,共6页
介绍了一个工作在5.8~6.2GHz的高效率磷化镓铟/砷化镓异质结双极型晶体管(InGaP/GaAs HBT)功率放大器。设计了具有良好带宽性能的J类输出匹配网络,并通过InGaP/GaAs HBT单片微波集成电路(MMIC)技术和射频基板封装技术得以实现。在5.... 介绍了一个工作在5.8~6.2GHz的高效率磷化镓铟/砷化镓异质结双极型晶体管(InGaP/GaAs HBT)功率放大器。设计了具有良好带宽性能的J类输出匹配网络,并通过InGaP/GaAs HBT单片微波集成电路(MMIC)技术和射频基板封装技术得以实现。在5.8~6.2GHz的频率范围内,用连续波(CW)信号测试放大器得到的1dB压缩点输出功率都大于31dBm,饱和输出功率都大于32dBm、最大的附加功率效率(PAE)都大于56%。 展开更多
关键词 J类功率放大器 效率 磷化镓铟/化镓异质结双极型晶体管 单片微波集成电路
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应用于2G/3G移动通讯的多频多模高谐波抑制功率放大器 被引量:1
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作者 郑瑞青 章国豪 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期531-536,共6页
介绍一个应用于第二代(2G)与第三代(3G)移动通讯的多频多模磷化镓铟/砷化镓异质结双极型晶体管(InGaP/GaAs HBT)功率放大模块,模块主要由单片微波集成电路(MMIC)、射频基板与贴片电容(SMD)组成。该模块包含两个功率放大器,工作在824~915... 介绍一个应用于第二代(2G)与第三代(3G)移动通讯的多频多模磷化镓铟/砷化镓异质结双极型晶体管(InGaP/GaAs HBT)功率放大模块,模块主要由单片微波集成电路(MMIC)、射频基板与贴片电容(SMD)组成。该模块包含两个功率放大器,工作在824~915 MHz的低频段时,功率放大模块支持2G的GSM850与GSM900频段;工作在1 710~2 025 MHz的高频段时,功率放大器模块支持2G的DCS1800、PCS1900频段与3G的TD-SCDMA频段。文中引入一种由二极管、电容和电阻组成的负反馈增益控制电路,用于改变放大器的功率增益大小与增益平坦度。利用射频基板与芯片封装技术,提出了一种易于实现且可调性很大的谐波抑制结构。 展开更多
关键词 功率放大器 多模多频 谐波抑制 磷化镓铟/化镓异质结双极型晶体管 单片微波集成电路
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New dark current component of InGaAs/InP HPDs confirmed by DLTS
12
作者 WANGKaiyuan XUWeihong 《Semiconductor Photonics and Technology》 CAS 1995年第1期20-23,共4页
The dark current of In_(0.47) Ga_(0.53) As/InP heterojunction photodiodes (HPDs) was analysed. We found that there exists a new dark current component──deep level-assisted tunnelling current.DLTS was used to measure... The dark current of In_(0.47) Ga_(0.53) As/InP heterojunction photodiodes (HPDs) was analysed. We found that there exists a new dark current component──deep level-assisted tunnelling current.DLTS was used to measure the In_(0.47)Ga_(0.53)As/InP HPDs. An electronic trap which has a thermal activation energy of O.44 eV, level concentration of 3.10×10 ̄(13)cm ̄(-3) and electronic capture cross section of 1.72×10 ̄(12)cm ̄2 has been found.It's existence results in the new tunnelling current. 展开更多
关键词 Photodiodes Characteristic Measurement Dark Current Tunnelling Current
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High Power InG sP/G s SCH SQW Lasers
13
作者 LIZhong-hui Xiang-wu 《Semiconductor Photonics and Technology》 CAS 2000年第4期193-195,共3页
InG sP/G s SCH SQW lasers have been prepared by LP-MOCVD. The dependence of t hreshold current density on cavity length was explained. Laser diodes are char acterized by the output power of 1 W to 2 W, threshold curre... InG sP/G s SCH SQW lasers have been prepared by LP-MOCVD. The dependence of t hreshold current density on cavity length was explained. Laser diodes are char acterized by the output power of 1 W to 2 W, threshold current density ( J th ) of 330 A/cm 2 to 450 A/cm 2 and external differe ntial quantum efficiency ( η d) of 35% to 75%, and these characteristics ar e in good agreement with the designed requirement. 展开更多
关键词 HETEROSTRUCTURE Quantum well Semicond uctor lasers
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The Search for New Methods of Synthesis Possible of Organometallic Compounds of P, As, Sb, Bi
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作者 Aibassov Yerkin Zhakenovich Yemelyanova Valentina +2 位作者 Tussupbayev Nessipbay Shakieva Tatyana Yerzhanova Zhadyra 《Journal of Chemistry and Chemical Engineering》 2015年第8期500-502,共3页
The authors spent the search for new methods of synthesis possible of organometallic compounds of phosphorus, arsenic, antimony, bismuth. For modifications classical reactions the N (nitrogen) atoms have been replac... The authors spent the search for new methods of synthesis possible of organometallic compounds of phosphorus, arsenic, antimony, bismuth. For modifications classical reactions the N (nitrogen) atoms have been replaced on atoms of P (phosphorus), As (arsenic), Sb (antimony) and Bi (bismuth). The authors have proposed a new mechanism for the possible reactions. 展开更多
关键词 Organometallic chemistry P AS SB BI
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Kinetics of Desolvation of the Glycation of Hemoglobin Catalyzed by Buffer Phosphate and Arsenate
15
作者 Herminia Gil Johanna Pefia Daniel Salcedo 《Journal of Chemistry and Chemical Engineering》 2012年第5期410-416,共7页
The glycation of hemoglobin is catalyzed by buffer phosphate and arsenate. The catalytic constant (kB) for aqueous arsenate is two-fold larger than for aqueous phosphate. The catalytic constant (ks) of phosphate i... The glycation of hemoglobin is catalyzed by buffer phosphate and arsenate. The catalytic constant (kB) for aqueous arsenate is two-fold larger than for aqueous phosphate. The catalytic constant (ks) of phosphate in sorbitol mixtures increase from (1.67 ± 0.11) × 10-10 s-1·M-1 to (5.78 ± 0.39) × 10-10 s-1·M-1 and the catalytic constant is enhanced 3.5 times, relative to that in water; the catalytic constant (kB) of arsenate in sorbitol mixtures increase from (2.98±0.07)× 10-10 s-1·M-1 to (6.62 ± 0.53) × 10-10 s-1·M-1 and the catalytic constant is enhanced 2 times, relative to that in water. The spontaneous rate constants are independent of sorbitol concentration for phosphate and arsenate. The catalytic power of phosphate and arsenate in sorbitol are the same. Desolvation of strongly hydrated species such as HPO42 and HAsO42 should make a contribution to the energy cost of the formation of anion-hemoglobin complexes and can be a possible explanation for higher catalytic potential of HAsO42 in water. The same catalytic constant (ksB) for phosphate and arsenate in sorbitol indicates that the same catalyst base group on the hemoglobin molecule may be involved in the abstraction of proton in the Amadori rearrangement. 展开更多
关键词 Glycation HEMOGLOBIN CATALYSIS DESOLVATION PHOSPHATE arsenate.
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