外延生长用磷化铟单晶片清洗技术

根据磷化铟晶片的清洗机理,进行了三组磷化铟晶片清洗实验,并使用原子力显微镜（AFM）、表面分析仪和X射线光电子能谱（XPS）对晶片的化学成分、表面粗糙度及均匀性进行了表征,最终确定了氧化-酸剥离的磷化铟清洗工艺,并对清洗过程中晶片表面雾值变化进行研究。结果表明,清洗后的磷化铟晶片表面粗糙度达到0.12 nm,优于国外磷化铟晶片（0.15~0.17 nm）。XPS测试结果显示晶片表面形成了富铟层,富铟层降低了磷化铟晶片表面化学活性,起到了表面稳定作用,提高了外延生长质量。

(111)AInP衬底上MOCVD外延InGaAsP的表面形貌和光学特性

为了研究 (111)衬底的特性以及实现等边三角形微腔激光器 ,利用金属有机化学气相淀积 (MOCVD)研究了 (111)AInP衬底上InGaAsP外延层的表面形貌和光学特性。考虑到(111)AInP衬底的悬挂键密度比较低 ,在生长过程中有意提高了V/Ш比。通过扫描电子显微镜 (SEM )和光荧光 (PL)谱分别研究了外延层的表面形貌和光学特性。实验发现 ,表面形貌和光学特性随V/Ш比和温度的变化非常大。最佳V/Ш比和温度分别为 4 0 0和 6 2 5℃。

生长温度对In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP的LPMOCVD生长影响

利用LPMOCVD技术在InP衬底生长了InxGa1-xAs材料 ,获得表面平整、光亮的In0 53 Ga0 47As外延层。研究了生长温度对InxGa1-xAs外延层组分、表面形貌、结晶质量、电学性质的影响。随着生长温度的升高 ,为了保证铟在固相中组分不变 ,必须增加三甲基铟在气相中的比例。在生长温度较高时 ,外延层表面粗糙。生长温度在 6 30℃与 6 5 0℃之间 ,X射线双晶衍射曲线半高宽最窄 ,高于或低于这个温度区间 ,半高宽变宽。迁移率随着生长温度的升高而增加 ,在 6 30℃为最大值 ,然后随着生长温度的升高反而降低。生长温度降低使载流子浓度增大 ,在生长温度大于 6

电子工艺

Y2000-62210-361 0012783直径为100毫米的 In0.53Ga0.47As/InP 芯片加工工艺的进展=Progress with 100 mm diameter In0.53Ga0.47As/InP wafer processing[会,英]/Olsen,G.H.&Lange,M.J.//Proceedings of 11th International Con-ference on Indium Phosphide and Related Materials.—361-363（UC）介绍了利用在直径为50和75毫米 InP 衬底上生长的 InGaAs/InP 外延层制备出的光探测器的结果。利用100000Ω-cm2的晶格匹配的材料生产出最优分流电阻的芯片。X 射线形貌测试表明,利用直径为100毫米的圆片获得了低缺陷密度（【10000cm-2）的掺铁的磷化铟衬底。