不同栅介质工艺对4H-SiC MOS电容可靠性的影响

本文研究了氮掺杂、磷掺杂、磷掺杂与Si3N4复合介质相结合三种不同栅介质工艺对SiC MOS电容可靠性的影响。通过I-V特性测试及经时击穿(TDDB)测试评价不同栅介质工艺的SiC MOS电容可靠性。结果表明,将磷掺杂工艺和SiO2/Si3N4复合栅介质结合,能有效提升栅介质的绝缘性和寿命,其中磷掺杂处理很好地钝化了SiC/SiO2界面处的碳团簇和界面态,而Si3N4介质能有效提高器件的绝缘性。将两者相结合,I-V特性测试的击穿场强达到14.5MV/cm-1,TDDB测试结果表明在0.2MV/cm·s的斜坡电压下,经过78s后样品击穿。