磷砷注入对沟槽MOSFET静态参数的影响

为了降低沟槽MOSFET器件导通电阻,提出了在传统沟槽MOSFET器件体区注入N型杂质的方案,优化了体区杂质浓度分布,从而降低导通电阻。经仿真验证,选择N+源区注入后注入砷,在能量为300 keV,剂量为7×10^(12)cm^(-2)条件下,特征导通电阻能降低13%,阈值电压降低21.8%;选择接触孔刻蚀后注入磷,在能量为100 keV,剂量为4×10^(12)cm^(-2)条件下,特征导通电阻降低4.3%,阈值电压几乎不变。