硼磷硅玻璃在俄歇电子谱分析中的电子束和离子束辐照效应

本文研究了硼磷硅玻璃(BPSG)膜在俄歇电子谱(AES)分析中电子束和离子束辐照效应.结果表明,能量电子和离子非常容易引起辐照损伤.电子束辐照会引起还原和脱附效应以及磷硼的表面分凝;离子束辐照仅仅引起还原效应,不会产生磷和硼的表面堆积现象.这说明磷和硼的表面分凝是与低能电子组成的表面负电荷有关.

硅基SiO_2平面光波导中硼磷硅玻璃覆盖层的制备和研究

利用等离子体增强化学气相沉积方法,在S iH4/N2O反应气体中掺入PH3和B2H6制备了用于硅基S iO2平面光波导的硼磷硅玻璃覆盖层.分析了磷掺杂和硼掺杂对折射率的影响,提出了选择掺杂气体流量匹配折射率的方法.研究了退火温度和气氛对膜层性能的影响,高温退火使膜层的折射率趋于稳定,对光的吸收损耗减小;采用氧气退火可以抑制和消除氮气退火时膜层中出现的不透明的微晶粒,改善膜层质量.采用多步沉积退火方法,消除了台阶覆盖中出现的空洞和气泡,得到了台阶的覆盖性和覆盖平坦度都较好的硼磷硅玻璃膜层.

磷硅玻璃钝化工艺的探讨

本文讨论了PSG钝化膜的结构特点,分析了PSG具有钝化作用的原因;并把PSG与SiO2进行比较,证明了PSG的优越性。介绍了三种PSG制造工艺,并比较了各自的优缺点,指出各工艺所适合的产品。对于想了解PSG钝化工艺的人们有一定的帮助。

硼磷硅玻璃缺陷分析与研究

在晶圆制造中广泛运用掺杂有硼和磷的二氧化硅即硼磷硅玻璃作为绝缘介质,一般用于金属布线前的绝缘层。掺杂硼磷的作用是降低回流温度,减少热预算。但在实际运用中,由于硼磷硅玻璃性质不够稳定,常常受到环境的影响,其中的三氧化二硼和五氧化二磷容易和空气中的水汽反应生成硼酸和磷酸继而形成缺陷,造成电路短路,最终导致产品低良率,给公司造成损失。文章就硼磷硅玻璃受环境影响的异常现象进行分析研究,找到缺陷形成的根本原因及预防方法。

HDP-CVD磷硅玻璃特殊磷掺杂分布的机理研究

研究了HDP-CVD PSG薄膜在栅极周围类似"花朵"状的磷含量分布的机理。实验结果表明,"花朵"状的磷含量分布是HDP-CVD反应腔中Bias RF将栅极间隙顶部的氧化物轰击溅射到间隙底部,掉落在间隙底部拐角处的氧化物再淀积的PSG薄膜中磷含量比其他区域低而形成的。这种"花朵"状的磷含量分布沿着栅极两边间隙底部拐角往上生长,是HDP-CVD PSG薄膜所特有的,它的形成与底部材料以及图形疏密分布无关。

用热脱附谱研究磷硅玻璃薄膜

用热脱附谱 (TDS)研究H2 O在磷硅玻璃 (PSG)中被吸附的问题 .PSG是在 4 0 0℃左右用化学气相淀积(CVD)方法生长的 ,在生长过程及以后的工序中容易吸收H2 O ,使器件失效 .TDS是由 2 5℃开始以 2 0℃ /min均匀升温到 80 0℃获得的 .由TDS的残余气体分析 (RGA)模式可以推出H2 O在PSG中的可能结合形式 .建立生长、吸附、扩散和脱附等几个模型 ,通过实验测量了PSG中脱附的H2 O随时间、温度、湿度等环境条件的变化 .在VLSI多层布线中这些结果决定了许多工艺参数 ,如烘烤时间、金属淀积前的等待时间等 .

清除硅片表面磷硅、硼硅玻璃层的新方法

一般生产硅二极管厂家,大都采用两次扩散法在硅片表面上形成PN结,经高温扩散后的硅片表面会形成一层磷硅玻璃层和硼硅玻璃层,这两种玻璃层往往采用喷砂法加以去除,然后转入下道工序。从电化学角度入手应用电解的方法去除硅表面磷硅玻璃层和硼硅玻璃层获得成功,经几年应用,效果明显,下面对此工艺作一介绍。

在线式链氧下料机缺陷硅片剔除机构优化设计

链氧工艺是应用于PERC电池片生产过程中一项新工艺,链氧工艺后易产生大量带有崩边缺角等缺陷的硅片,这些硅片会造成后续设备运行异常,严重影响工厂电池片生产效率及工艺品质。基于此,提出了一种配合视觉检测的在线式链氧下料机缺陷硅片剔除机构,解决了在链氧工艺环节硅片连续不间断传送过程中,缺陷硅片难以剔除的技术问题。

MIC薄膜多晶硅材料的动态镍吸除技术基本机理及其应用

首先阐述了MIC薄膜多晶硅材料动态镍吸杂技术的基本机理和主要工艺过程,然后以多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT)为例研究了动态吸杂技术的应用.在研究金属诱导晶化多晶硅材料(MIC poly-Si)和以之为有源层的poly-Si TFT的过程中,发现在MIC多晶硅薄膜中含有部分残余的镍成份.而大部分存在于对撞晶界的残余镍成份会造成大量的缺陷,这将导致TFT器件性能乃至整个系统的稳定性和可靠性的降低.为了改善MIC薄膜及器件质量,我们采用磷硅玻璃(PSG)动态镍吸杂技术,有效地吸除镍,降低多晶硅中镍的残留量,改善对撞晶界的缺陷密度,降低用之制备TFT的漏电流.该技术工艺过程简单,处理成本低,适合于大批量的工业化生产,有望成为制备高稳定性微电子器件与电路系统的必需工艺技术.

VLSI工艺中BPSG薄膜的研究

BPSG(硼磷硅玻璃)薄膜作为一种重要的层间介质,在半导体集成电路中广泛使用。常压化学气相沉积的BPSG薄膜中B、P含量(质量分数)对BPSG的性能有着显著影响。以WJ—999R机台为基础,详细研究了B、P含量的变化对对BPSG薄膜的沉积率、蚀刻率及其对回流效果的影响。研究发现:沉积率随着B含量的增加而增加;当P含量由0至1%时沉积率突然降低,随后随P含量的增加无显著变化。蚀刻率则随B含量的增加而降低,随P含量的增加而增加。B含量对回流效果的影响显著强于P含量的影响,每增加1%的B,玻璃软化温度降低约40℃。过高过低的B、P含量会产生异常,在3%B,5%P含量下BPSG薄膜有着优良的性能。

一种以多晶硅为振动膜的MEMS传声器研制

给出了以磷掺杂的多晶硅为振动膜的电容式MEMS传声器的研制过程。从等效电路模型出发,研究了电容式MEMS传声器的振动特性和灵敏度,给出了传声器灵敏度随振动膜张力、膜与背板间的空气隙厚度、背板声孔大小及背板声孔所占面积而变化的解析表达式。结合硼掺杂硅/硅复合背板结构MEMS传声器,提供了参考制作工艺流程。样品测试在1kHz频率处的灵敏度达到-60dB(相对于1V/Pa)。

基于MEMS技术硅微悬臂梁制作工艺研究

在MEMS常见加工工艺的基础上,提出了单个硅微悬臂梁的制作工艺路线。探讨了双层材料氮化硅和铝之间的断裂和氮化硅和硅基底之间的粘连问题。

微机械可变电容制作工艺中的牺牲层释放和残余应力分析

运用高选择比的特别配方来释放MEMS可变电容制作工艺中的牺牲层,以保护上级板金属铝层,同时很好地释放牺牲层磷硅玻璃。探讨了上级板的粘附问题,对工艺中影响成品率的关键因素残余应力进行了模拟,当温度T为350℃时,平面应力P为811.6 MPa;当温度T为500℃时,平面应力P为1 185.9 MPa。分析了残余应力对上级板的影响和对悬臂梁的等效弹性系数的影响。

基于MEMS技术硅微悬臂梁制作工艺研究

针对非制冷红外热成像中的双材料硅微悬臂梁阵列的结构要求,在MEMS常见加工工艺的基础上,提出了单个硅微悬臂梁的制作工艺路线。工艺中使用高浓度HF溶液释放牺牲层磷硅玻璃(PSG)。探讨了双层材料氮化硅和铝之间的断裂及氮化硅和硅基底之间的粘连问题,对工艺中影响成品率的关键因素残余应力进行了分析。

低损伤选择性发射极太阳电池激光工艺

钝化发射极及背面接触(PERC)太阳电池技术叠加激光选择性发射极(SE)制备工艺是近年发展起来的提升PERC太阳电池效率的有效方法之一,但是在SE的制备过程中易发生磷硅玻璃(PSG)层被激光烧蚀的现象,导致电池性能下降。通过研究激光波长、脉冲频率、激光功率和扫描速度对硅片表面形貌、表面方块电阻、电池性能的影响,探索高效率、低损伤SE太阳电池的制备方法。实验结果表明,在激光波长为1 064 nm、激光功率为2 W、脉冲频率为30 Hz条件下可获得最佳电池性能,SE太阳电池光电转换效率最高达到22.01%,与传统工艺制备的太阳电池相比提升约0.51%。

IGBT器件栅极漏电问题研究

IGBT器件具有输入阻抗高和导通压降低的优点,在大功率电力电子领域具有广泛的应用,但IGBT器件的栅极漏电问题严重影响产品的成品率和可靠性,是产品制造工艺控制的关键。栅极漏电问题主要由栅氧化层质量、多晶硅栅形貌以及栅极与发射极之间的隔离等问题所致,通常造成栅极短路漏电的原因比较容易发现,但栅极轻微漏电的原因比较复杂,需要通过科学的分析,才能找到问题的根源。通过对典型栅极漏电(栅极间呈现二极管特性)问题的调查,总结了解决问题的思路和方法,对IGBT芯片制造者或器件应用者有一定的参考作用。

太阳电池湿法刻蚀工艺的技术探讨

太阳能电池湿刻蚀工艺是一种常用的化学清洗方法。文章简单介绍了湿法刻蚀工艺,然后公开了一种光伏太阳能电池片及其刻蚀方法,详细地分析了太阳能电池湿法刻蚀工艺。根据本发明的光伏太阳能电池片及其刻蚀方法,可有效降低后续的污水处理难度。