高纯三氯氢硅生产中磷硼杂质的去除

根据生产实践,总结分析了磷、硼杂质在三氯氢硅中的存在形式以及磷硼元素对多晶硅品质的影响。磷系化合物主要是以高沸物存在,少量以低沸物存在,通过加大各塔塔底的排放可以除去;硼系化合物80%左右是以高沸形式存在,15%左右是以低沸形式存在,还有5%左右的杂质沸点是同一工况下高于三氯氢硅,但低于四氯化硅的沸点。除硼成了三氯氢硅提纯的关键因素,合理控制各塔的排高排低除去硼杂质,降低精馏塔单位产品能耗,提高精馏塔的生产能力。

电子级多晶硅原料中痕量硼磷杂质的脱除研究进展

三氯氢硅和氢气中痕量硼磷杂质的含量是影响多晶硅品质的主要因素。提高硼磷杂质的脱除效率有利于电子级多晶硅的大规模生产,实现我国能源信息产业升级。综述了三氯氢硅和氢气中硼磷杂质脱除方法的研究进展,重点介绍了各类提纯方法的特点。其中,反应-吸附-精馏耦合技术集合了精馏法和化学提纯法的优点,是三氯氢硅精制过程中最具有发展前景的方法;吸附法凭借其负载的活性物质对硼磷杂质的高选择性,成为氢气精制最常使用的工艺。最后,系统探讨了吸附剂结构特点及与吸附性能的构效关系,在此基础上总结并展望了多晶硅原料中硼磷杂质脱除面临的挑战和发展方向。

探究吸附装置安装位置对多晶硅除硼磷的影响

多晶硅生产中最难去除的杂质是硼、磷。为提高吸附装置对硼、磷杂质的吸附效果,降低多晶硅原料氯硅烷中的杂质含量,提升多晶硅的品质,对吸附装置在提纯系统中安装位置的合理性进行了分析研究。对提纯系统中部分物料输送管道进行改造,使不同组分的物料进入相同结构的吸附装置进行吸附。调试吸附装置处于最佳工作状态后,对吸附后物料中硼、磷杂质含量的总和、吸附率以及吸附装置反冲洗频率进行对比分析。实验结果表明,当吸附装置安装在回收塔产品进入精馏塔的中间管道处时,吸附装置对硼、磷杂质的吸附效果最佳,且系统运行稳定。吸附装置在提纯系统中最佳安装位置的确定,提高了吸附装置对硼、磷杂质的吸附效果以及系统运行的稳定性,为多晶硅品质的提升奠定了基础。