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题名低功耗高集成度CMOS神经信号放大器
被引量:1
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作者
杜智超
张旭
刘鸣
陈弘达
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机构
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室
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出处
《高技术通讯》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第1期104-110,共7页
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基金
973计划(2011CB933203)
863计划(2012AA030308)
+1 种基金
国家自然科学基金(61076023
61178051)资助项目
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文摘
针对传统电容耦合-电容反馈型神经信号放大电路芯片面积过大、输入电阻低的缺陷,设计并实现了一款16通道带通胞外神经信号放大器。它通过采用新型的交流耦合T型电容网络反馈式拓扑结构,在保证低噪声和高输入阻抗的前提下减少了芯片的面积。芯片每个通道的中频增益为40.6dB,直流增益为0 dB。其-3dB高频截止频率为5kHz,而其低频截止频率可以通过调节晶体管的栅电压而进行优化。在供电电压为±1.65V的情况下,芯片在记录多通道局部场电位(LFPs)时,从1Hz到10kHz频率积分得到的输入参考噪声为4.99μVrms,其每通道功耗为19.8μW。芯片总面积为2062.5μm×525.7μm,平均每通道0.02 mm^2,由0.35-μm CMOS N-well 2P4M工艺实现。相比于传统结构的CMOS神经信号放大器,该设计在集成度及功耗上占优势。
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关键词
神经信号放大器
T型电容反馈网络
高集成度
输入阻抗
低功耗
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Keywords
neural signal amplifier, T-type capacitive-feedback, area-efficient, input impedance, low-power
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分类号
TN722
[电子电信—电路与系统]
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