混成式三维神经元微探针阵列的制备

提出了一种混成式三维神经元探针阵列结构和相应的制备流程。制备流程主要包括倒焊互连工艺和多刀片切割工艺,采用倒焊工艺将厚硅片直接倒焊到读出电路上,采用多刀片切割工艺直接将硅片切割成硅针阵列。该制备流程不包含高温工艺和硅腐蚀工艺,不损伤电路,实现了硅针阵列与电路直接集成。通过集成电路可以简化接口,降低引脚数量,制备的神经元探针阵列的规模可以不受引线口数量限制,可以覆盖一个完整的脑功能区。制作了规模为10×10的神经元探针阵列,探针的中心距为400μm。探针的底座高度为30μm,底座宽度为360μm,底座之间的空隙为40μm。探针宽度为100μm,高度为1 470μm。针尖的角度为25°。初步测试结果表明探针阵列是满足神经元信号探测。