TN29 2001010537吸收因子对砷化镓高功率高速光导开关延迟时间的影响=Influences of absorption factors on delaytime in GaAs high-power high-speedphotoconductive switches[刊,中]/杜正伟,龚克(清华大学微波与数字通信国家重点实验...TN29 2001010537吸收因子对砷化镓高功率高速光导开关延迟时间的影响=Influences of absorption factors on delaytime in GaAs high-power high-speedphotoconductive switches[刊,中]/杜正伟,龚克(清华大学微波与数字通信国家重点实验室.北京(100084)),孟凡宝,杨周炳(中国工程物理研究院应用电子学研究所.四川,成都(610003))∥电子学报.-2000,28(5).-125-126,124用由于禁带变窄引起的吸收边漂移造成的电子吸收来研究了砷化镓高功率高速光导开关和延迟时间,给出了初始开态场、照射激光波长的温度对延迟时间的影响的简单公式。图2参4(李瑞琴)展开更多
文摘TN29 2001010537吸收因子对砷化镓高功率高速光导开关延迟时间的影响=Influences of absorption factors on delaytime in GaAs high-power high-speedphotoconductive switches[刊,中]/杜正伟,龚克(清华大学微波与数字通信国家重点实验室.北京(100084)),孟凡宝,杨周炳(中国工程物理研究院应用电子学研究所.四川,成都(610003))∥电子学报.-2000,28(5).-125-126,124用由于禁带变窄引起的吸收边漂移造成的电子吸收来研究了砷化镓高功率高速光导开关和延迟时间,给出了初始开态场、照射激光波长的温度对延迟时间的影响的简单公式。图2参4(李瑞琴)