禁带变窄效应对突变AlGaAs/GaAs HBT电流影响的研究

重掺杂使导带、价带带边同时发生了收缩,从而产生禁带变窄效应(BGN)。对于基区重掺杂Npn突变AlGaAs/GaAsHBT,BGN引起导带和价带突变界面势垒形状及高度都发生了改变,这对基区、集电区电流产生重要的影响。文中基于Jain-Roulston禁带收缩模型及热场发射-扩散载流子输运机制,对这一现象进行了深入的研究。通过与其它计算程序常用的几种BGN模型比较得出为了更好描述电流传输,利用Jain-Roulston的BGN模型,考虑禁带变窄量在导带、价带有不同的分配,从而对电流有不同的影响是必要的。

双极器件中硅基区和锗硅基区的禁带变窄量

采用一种新的方法计算双极器件中离子注 B硅基区和原位掺 B的锗硅基区禁带变窄量 .在器件基区的少子迁移率、多子迁移率和方块电阻已知的情况下 ,应用这种方法只需测量室温和液氮温度下的电学特性就可以获得禁带变窄量 .这种方法从双极晶体管的集电极电流公式出发 ,利用 VBE做自变量 ,在室温和液氮温度下测量器件的Gum mel图 ,选取 ln IC随 VBE变化最为线性的一部分读出 VBE及相应的 IC数值 ,获得两条 VBE- ln IC直线 ,通过求解两条直线的交点可以计算出基区的禁带变窄量ΔEG.利用这种方法测试了硅双极器件和锗硅基区双极器件 ,其基区禁带变窄量分别为 41me V和 12 5 me V,这个测量结果与文献中的数值符合较好 .

低温下硅双极晶体管基区高注入禁带变窄效应

重掺杂效应是引起基区禁带变窄的主要原因，但是高注入也将引起禁带变窄效应，这一影响在低温下尤其明显。本文建立了低温下硅双极晶体管基区高注入禁带变窄效应的计算理论模型，获得的计算值与实验结果相一致。

重掺杂能带结构的变化对突变HBT电流影响

基于禁带变窄量在导带和价带之间的分布比例与掺杂浓度相关的Jain-Roulston模型,研究了重掺杂能带结构的变化对突变异质结HBT电流影响.研究表明禁带变窄量在导、价带间分布模型选用的不同,计算结果之间有明显的差别,基于Jain-Roulston分布模型的结果同实验测量符合很好.因此对于突变HBT性能分析,必须精确考虑重掺杂禁带变窄量在能带上的具体分布.

基区重掺杂对InGaAs/InAlAs突变HBT电流输运的影响

基区重掺杂产生禁带变窄效应(BGN),从而导致HBT突变异质结界面的势垒高度发生改变,这会严重影响载流子的电流输运.该文基于Jain-Roulston禁带收缩模型及电流输运机理,对电子的传输进行了深入的分析,并与实验数据进行了比较,结果表明:在基区重掺杂的条件下,考虑BGN对电流输运的影响,对于准确描述电流的输运现象是非常有必要的.

低温双极晶体管的正向渡越时间研究

分析了禁带变窄效应和少子陷阱效应对低温双极晶体管正向渡越时间的影响，在此基础上，建立了综合两种效应的正向渡越时间模型，理论计算结果与实测值一致。

光放大、控制与器件

TN29 2001010537吸收因子对砷化镓高功率高速光导开关延迟时间的影响=Influences of absorption factors on delaytime in GaAs high-power high-speedphotoconductive switches[刊,中]/杜正伟,龚克(清华大学微波与数字通信国家重点实验室.北京(100084)),孟凡宝,杨周炳(中国工程物理研究院应用电子学研究所.四川,成都(610003))∥电子学报.-2000,28(5).-125-126,124用由于禁带变窄引起的吸收边漂移造成的电子吸收来研究了砷化镓高功率高速光导开关和延迟时间,给出了初始开态场、照射激光波长的温度对延迟时间的影响的简单公式。图2参4(李瑞琴)

光电子技术与器件 红外技术与器件

TN211 2005010523 卷云在红外波段的散射特性=Single-scattering properties of cirrus clouds in infrared region[刊,中]／薛方芳(中科院安徽光机所国家863计划大气光学重点实验室．安徽,合肥(230031)),魏合理…∥激光与红外．-2004,34(4).- 286-291 用T矩阵(T-matrix)、Lorenz-Mie等效球和几何光学 (GOM)相结合的方法计算了六角冰晶尺度在1-10000 μm范国内、波长在红外2．5-13 μm范围内的散射特性。依据实际测定的30种卷云粒子尺度分布。