禁带变窄效应对突变AlGaAs/GaAs HBT电流影响的研究

重掺杂使导带、价带带边同时发生了收缩,从而产生禁带变窄效应(BGN)。对于基区重掺杂Npn突变AlGaAs/GaAsHBT,BGN引起导带和价带突变界面势垒形状及高度都发生了改变,这对基区、集电区电流产生重要的影响。文中基于Jain-Roulston禁带收缩模型及热场发射-扩散载流子输运机制,对这一现象进行了深入的研究。通过与其它计算程序常用的几种BGN模型比较得出为了更好描述电流传输,利用Jain-Roulston的BGN模型,考虑禁带变窄量在导带、价带有不同的分配,从而对电流有不同的影响是必要的。

低温下硅双极晶体管基区高注入禁带变窄效应

重掺杂效应是引起基区禁带变窄的主要原因，但是高注入也将引起禁带变窄效应，这一影响在低温下尤其明显。本文建立了低温下硅双极晶体管基区高注入禁带变窄效应的计算理论模型，获得的计算值与实验结果相一致。

低温双极晶体管的正向渡越时间研究

分析了禁带变窄效应和少子陷阱效应对低温双极晶体管正向渡越时间的影响，在此基础上，建立了综合两种效应的正向渡越时间模型，理论计算结果与实测值一致。

光电子技术与器件 红外技术与器件

TN211 2005010523 卷云在红外波段的散射特性=Single-scattering properties of cirrus clouds in infrared region[刊,中]／薛方芳(中科院安徽光机所国家863计划大气光学重点实验室．安徽,合肥(230031)),魏合理…∥激光与红外．-2004,34(4).- 286-291 用T矩阵(T-matrix)、Lorenz-Mie等效球和几何光学 (GOM)相结合的方法计算了六角冰晶尺度在1-10000 μm范国内、波长在红外2．5-13 μm范围内的散射特性。依据实际测定的30种卷云粒子尺度分布。