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氮化铝薄膜的光学性能
被引量:
11
1
作者
颜国君
陈光德
+1 位作者
邱复生
Zhaoyan Fan
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第2期221-223,共3页
分别使用X衍射仪和紫外(190nm^800nm)分光光度仪,测量了用分子束外延法生长在SiC(001)基底面上的AIN薄膜的X衍射、透射谱和不同温度下的吸收谱.X衍射表明实验所用的AIN薄膜在c-轴存在应变和应力,该应变和应力主要是由于AIN的晶格常量与...
分别使用X衍射仪和紫外(190nm^800nm)分光光度仪,测量了用分子束外延法生长在SiC(001)基底面上的AIN薄膜的X衍射、透射谱和不同温度下的吸收谱.X衍射表明实验所用的AIN薄膜在c-轴存在应变和应力,该应变和应力主要是由于AIN的晶格常量与基底SiC的晶格常量不匹配所致.透射谱表明AIN薄膜的禁带宽度大约为6.2eV;而其对应的吸收谱在6.2eV处存在一个明显的台阶,此台阶被认为是AIN薄膜中的带边自由激子吸收所产生,忽略激子的结合能(与禁带宽度相比),则该值就对应为AIN的禁带宽度.而其对应的不同温度下(10k^293k)的吸收谱的谱线的形状和位置无明显的变化表明温度对AIN薄膜的禁带宽度亦无明显的影响,这主要是由于在AIN薄膜中存在着应力所致.
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关键词
AIN薄膜
透射谱
吸收谱
禁带带宽
自由激子
下载PDF
职称材料
题名
氮化铝薄膜的光学性能
被引量:
11
1
作者
颜国君
陈光德
邱复生
Zhaoyan Fan
机构
西安交通大学理学院应用物理系
美国西北大学电子与计算机工程系
美国堪萨斯州立大学物理系
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第2期221-223,共3页
文摘
分别使用X衍射仪和紫外(190nm^800nm)分光光度仪,测量了用分子束外延法生长在SiC(001)基底面上的AIN薄膜的X衍射、透射谱和不同温度下的吸收谱.X衍射表明实验所用的AIN薄膜在c-轴存在应变和应力,该应变和应力主要是由于AIN的晶格常量与基底SiC的晶格常量不匹配所致.透射谱表明AIN薄膜的禁带宽度大约为6.2eV;而其对应的吸收谱在6.2eV处存在一个明显的台阶,此台阶被认为是AIN薄膜中的带边自由激子吸收所产生,忽略激子的结合能(与禁带宽度相比),则该值就对应为AIN的禁带宽度.而其对应的不同温度下(10k^293k)的吸收谱的谱线的形状和位置无明显的变化表明温度对AIN薄膜的禁带宽度亦无明显的影响,这主要是由于在AIN薄膜中存在着应力所致.
关键词
AIN薄膜
透射谱
吸收谱
禁带带宽
自由激子
Keywords
AIN film
Transmittance spectrum
Absorption spectrum
The direct band-gap energy
Free exciton
分类号
O472 [理学—半导体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氮化铝薄膜的光学性能
颜国君
陈光德
邱复生
Zhaoyan Fan
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
11
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职称材料
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