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类硅铑离子的3s^23p^(23)P_(1,2)-3s3p^(35)S_2的跃迁谱线
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作者 黄敏 R.Hutton +2 位作者 邹亚明 K.Ando H.Oyama 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第9期1370-1372,共3页
用束箔法研究了类硅铑离子的 3s2 3p2 3 P1,2 - 3s3p3 5S2 的禁戒跃迁谱线 .谱线识别从已知基态精细结构的分裂、基于分支比的强度比、相似的衰减特性、离子束能量下的谱线预期值方面着手 .识别后 ,通过对已知谱线的波长的等电子系列曲... 用束箔法研究了类硅铑离子的 3s2 3p2 3 P1,2 - 3s3p3 5S2 的禁戒跃迁谱线 .谱线识别从已知基态精细结构的分裂、基于分支比的强度比、相似的衰减特性、离子束能量下的谱线预期值方面着手 .识别后 ,通过对已知谱线的波长的等电子系列曲线插值或外推来获得用于较刻的谱线的波长 ,然后较刻出 3s2 3p2 3 P1,2 - 3s3p3 5S2 展开更多
关键词 3s^23p^23P1 2-3s3p35S2 禁戒跃迁谱线 束箔光谱 CCD探测器 类硅铑离子 跃迁几率 束箔法 原子结构
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