反应离化团束沉积技术及其在薄膜制备中的应用

反应离化团束沉积技术是在离化团束沉积技术基础上加入了反应材料。本文讨论了簇团的产生、离化、加速，成膜的机制，及其在薄膜制备中的应用。

离化团束沉积中的分子动力学模拟

离化团束沉积是一种可在室温条件下获得高质量薄膜甚至单晶膜的沉积方法。本文对这种沉积方法的原理、装置及主要应用做了简要的介绍。由于沉积过程还存在大量未解决的问题，所以分子动力学模拟逐渐成为研究它们的有力手段。作者考察了近年来分子动力学模拟在这一领域的应用，着重介绍和讨论了模型的建立、势能及参数的选择，模拟存在的问题及今后工作的重点。

C_(60)薄膜的离化团簇束沉积及离子掺杂

用离化团簇束（ＩＣＢ）沉积法在石英玻璃和云母衬底上形成了Ｃ６０薄膜，ＸＲＤ测试表明膜呈多晶结构，原位电阻测试表明膜的室温电阻率超过１０４Ωｃｍ，具有负的电阻温度系数．用８０ｋｅＶＰ＋，ＢＢｒ３＋，Ａｒ＋和Ｈｅ＋对Ｃ６０膜作剂量范围为０～１０１６ｃｍ－２的离子注入，Ｃ６０膜的电阻率随注入剂量增加而急剧下降，磷注入具有ｎ型掺杂作用，离子与Ｃ６０分子的相互作用导致Ｃ６０分子分裂，引起薄膜表面非晶化．

薄膜材料与器件

O484.1 2000010458激光辅助化学气相沉积金刚石薄膜实验研究=Synthesisof diamond films by laser-assistedchemical vapour deposition[刊,中]/任德明,胡孝勇,刘逢梅,赵景山,王楠楠,马祖光（哈尔滨工业大学光电子技术研究所.黑龙江,哈尔滨（150001））//光电子·激光.—1998,9（6）.—446-449采用激光辅助化学气相沉积法合成了厚度为15μm的金刚石薄膜。实验结果表明:以丙酮为碳源气体,并用XeCl（308 nm）准分子激光解离,H2用灯丝进行预先解离,适当选择和控制各种实验参数,可获得高质量的金刚石薄膜。还讨论了衬底温度以及灯丝温度等实验参数对薄膜生长速率与薄膜质量的影响。图9表1参8（郑锦玉）O484.2 2000010459离化团束沉积中的分子动力学模拟=Molecular dynamicssimulation in ionized clusterbeams deposition[刊,中]/张豪,夏宗宁（清华大学材料科学与工程系.北京（100084））//人工晶体学报.—1998,27（4）.

Si基的RICBD法生长GaN薄膜

讨论了反应离化团簇束沉积 (RICBD)方法的原理和特点 ,利用改进的双气流方式和ZnO缓冲层技术在Si衬底上生长GaN薄膜 ,并用XPS、XRD和PL对样品进行了测试分析 ,证实形成了良好的GaN薄膜。

离子-C_(60)相互作用及其对C_(60)/Si异质结光电特性的影响

用离化团簇束（ＩＣＢ）沉积法制备了Ｃ６０薄膜。ＸＲＤ测试表明，膜呈多晶结构；原位电阻测试表明，膜的室温电阻率超过１０３Ωｃｍ，具有负的电阻温度系数。用８０ｋｅＶｐ＋，ＢＢｒ３＋，Ａｒ＋和Ｈｅ＋对Ｃ６０膜作剂量范围为０—１０１６ｃｍ－２的离子注入，Ｃ６０膜的电阻率随注入剂量的增加而下降，ｐ＋注入使膜呈ｎ型电导，离子与Ｃ６０团簇的相互作用导致Ｃ６０分裂，并使膜表面非晶化。在沉积过程中溅射掺Ａｌ得到ｐ型Ｃ６０膜。Ｃ６０／Ｓｉ样品具有明显的异质结特性，光照对结特性有明显响应。