磁激活增强等离子体化学气相沉积设备的研制

针对PECVD中等离子体的密度沿径向分布均匀性较差、空间气氛化学活性较差的问题,在PECVD的基础上加入电子发射源和正交电磁场以控制电子的运动,从而增强等离子场的强度和范围,使反应场的活力增加,以提高反应空间的活化能力,继而提高膜层质量.结果表明,该方法可以使等离子场的分布发生改变,可控制、调整等离子体密度及范围.

磁激活等离子体增强化学气相沉积设备的研制

针对PECVD中等离子体的密度沿径向分布均匀性较差、空间气氛化学活性较差的问题,在PECVD的基础上加入电子发射源和正交电磁场以控制电子的运动,从而增强等离子场的强度和范围,使反应场的活力增加,以提高反应空间的活化能力,继而提高膜层质量。结果表明,该方法可以使等离子场的分布发生改变,使等离子体密度及范围做到可控制且可调整。

光化学汽相沉积中光激活物质的理论解析

基于光激活物质空间迁移长度的概念，推导出方形反应空间中到达基片上单位面积的光激活物质总数的解析表达式，对光化学汽相沉积中淀积速率和基片位置的关系进行了模拟和分析． 模拟结果同实验结果符合良好．

利用等离子增强化学汽相沉积生长初期快速结晶的纳米晶硅(英文)

成功地利用传统的等离子增强化学汽相沉积技术制备了纳米晶硅。为了提高生长初期的结晶速度,在PECVD设备和干法刻蚀设备中,利用H2/SF6等离子体对Si Nx薄膜表面进行处理。在制备纳米/微米晶粒结晶硅时常用的氢气稀释条件下,沉积得到了纳米晶硅。利用XRD和TEM观察了氢化纳米晶硅(nc-Si∶H)的微结构,发现实验成功得到了小于10 nm的晶体硅。为了检测结构和电学特性,测试了纳米晶硅薄膜的亮态和暗态电导率。室温下,电导率从非晶硅的10-10S/cm增加到10-5S/cm。

从美国ASTeX Inc．公司的发展看微波等离子体在高新技术领域的应用前景

本文就美国“应用科学技术公司ＡＳＴｅＸＩｎｃ．”近几年来在研制、生产和销售先进的微波源，系列反应腔和成套微波等离子体加工设备等方面的快速发展状况，说明微波等离子体在新材料、微电子等高新科技领域的应用前景，并对比分析我国的现状和发展方向。

甚高频等离子体增强化学气相沉积法沉积μc-Si∶H薄膜中氧污染的初步研究

对不同的本底真空条件下 ,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术沉积的氢化微晶硅 (μc_Si∶H)薄膜中的氧污染问题进行了比较研究 .对不同氧污染条件下制备的薄膜样品的x射线光电子能谱与傅里叶变换红外吸收光谱测量结果表明 :μc_Si∶H薄膜中 ,氧以Si—O ,O—O和O—H三种不同的键合模式存在 ,不同的键合模式源自不同的物理机理 .μc_Si∶H薄膜的Raman光谱、电导率与激活能的测量结果进一步显示 :沉积过程中氧污染程度的不同 ,对 μc_Si∶H薄膜的结构特性与电学特性产生显著影响 ;而不同氧污染对 μc_Si∶H薄膜电学特性的影响不同于氢化非晶硅 (a_Si:H)薄膜 .

等离子体化学气相沉积及其在沉积超硬膜方面的应用

本文简要介绍了等离子体化学气相沉积的基本原理和几种主要类型的工艺特点，着重介绍了等离子体化学气相沉积在沉积超硬膜方面的新进展，主要包括制备氮化钛类薄膜、立方氮化硼薄膜、类金刚石薄膜及金刚石薄膜。

甲烷浓度对等离子喷射金刚石厚膜生长稳定性的影响

采用高功率直流电弧等离子体CVD工艺制备了不同厚度的无裂纹自支撑金刚石厚膜.实验中观察到在金刚石厚膜生长过程中出现了形貌不稳定性,其程度随甲烷浓度的不同而变化.从理论和实验两个方面对这种不稳定性进行了讨论,认为直流电弧等离子体的高温造成碳源高饱和度是生长不稳定性的根本原因.实验结果表明,在沉积金刚石厚膜时,为了稳定地获得高质量的厚膜,甲烷浓度不宜过高.

多模光纤关键技术的发展动向

多模光纤的发展及应用 1971～1980年,是多模光纤的研发期。在此期间,国际上开发了MCVD、OVD、VAD、PCVD等四种化学汽相沉积预制棒新工艺;从多组分氧化物玻璃光纤转向石英玻璃光纤;研究了多模光纤传输理论与光纤设计,其中特别重要的是,开发了通过微分模时延测量结果的分析来优化预制棒工艺。

超声速等离子体射流的数值模拟

基于可压缩的全Naiver Stokes方程 ,利用PHOENICS程序对由会聚 辐射阳极形状等离子体炬产生的超声速等离子体射流进行了数值模拟 .考虑了等离子体的黏性、可压缩性以及变物性对等离子体射流特性影响 .研究了超声速等离子体射流的流场结构特性以及不同环境压力对等离子体射流产生激波结构的影响 .结果表明 。

基于引擎机制的PECVD工作过程的虚拟仿真

讨论了卧式PECVD的工作原理,对虚拟加工过程中仿真实现的关键技术进行了研究.基于Open Inventor开发平台强大的引擎机制,用程序实现了连续式等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)系统(In-line PECVD System)的虚拟加工工作过程的仿真,从而保证物理样机的设计成功率、减少物理样机的设计与试制时间.

PECVD变结构腔室压力分布规律研究

在真空半导体产业发展过程中,决定产品质量的关键因素是生产工艺过程的参数控制,等离子体增强化学气相沉积(PECVD)中比较重要的一个参数为腔室内压力值。通过变结构腔室压力测量试验验证,得到正确可行的针对变结构腔室三维模型的网格剖分方法和仿真算法。影响腔室内压力分布的四个变量中,依次改变粘滞阻力系数、入口初始压力、入口流量和排气口压力的大小,分析计算腔室内压力分布特性。变结构腔室中压力分布规律,为PECVD腔室结构设计及腔室压力控制提供理论依据。

CVD金刚石膜制备方法及其应用

介绍了金刚石膜的应用和低压下化学汽相沉积金刚石膜的主要方法及其最新进展，并对各种方法的优缺点作了简要评述。

多晶硅太阳电池的氮化硅钝化

全面介绍了等离子增强化学汽相沉积 ( PECVD)纳米氮化硅 ( Si Nx∶ H)光电薄膜的技术发展及现状 ,分析了 PECVD法沉积的 Si Nx∶