溅射时间对磁控溅射V_(2)O_(5)离子储存薄膜结构与性能的影响

在ITO玻璃基体上采用磁控溅射法制备用于电致变色玻璃的V_(2)O_(5)离子储存薄膜,重点研究了溅射时间(2~5 h)对V_(2)O_(5)薄膜结构与性能的影响。研究结果表明:随着溅射时间延长,V_(2)O_(5)薄膜的厚度随着溅射时间延长而增厚,透过率随着厚度增加而呈现降低趋势;溅射4~5 h下制备的V_(2)O_(5)薄膜离子储量高于20 mC/cm^(2)。综合考虑离子储存量和可见光透过率,磁控溅射法制备离子储存V_(2)O_(5)薄膜的溅射时间控制为4 h为宜。

退火温度对磁控溅射V2O5离子储存薄膜显微结构与电化学性能的影响

本文采用磁控溅射法制备了V2O5离子储存薄膜,着重研究了退火温度(350℃、400℃和450℃)对V2O5薄膜显微结构与电化学性能的影响。结果表明,随着退火温度升高,薄膜结晶化程度呈现先升高后降低的趋势,400℃时V2O5薄膜的晶粒分布均匀,结晶化程度最高,循环伏安结果表明400℃退火的V2O5薄膜电化学性和循环稳定性最佳。

TiO_2对V_2O_5离子储存电极薄膜性能的影响

采用溶胶-凝胶技术制备出(TiO2)x-V2O5复合离子存储电极薄膜,主要研究了有机、无机Ti源,TiO2掺杂量(x为0、0.05、0.1、0.2、0.3mol)等对V2O5薄膜结构与性能的影响。通过场发射扫描电镜(FE-SEM)、循环伏安测试(CV)、紫外-可见光谱等手段研究了薄膜的表面形貌、电化学性能和光学性能。结果表明,TiO2掺杂降低了V2O5薄膜离子储存容量,采用无机Ti源四氯化钛较有机Ti源钛酸丁酯掺杂的复合薄膜具有更高的可见光透过率以及离子储存容量,与V2O5薄膜相比,透射率增大了20%。随着无机Ti源掺量增多,薄膜离子储存容量降低,但在循环过程中降低趋势减缓并逐渐保持稳定,50次循环后纯V2O5薄膜储存容量降低了25%,掺杂TiO2后平均降低16%,V2O5薄膜循环稳定性有所提高。TiO2掺杂显著降低了V2O5阴极的着色效应,随着TiO2掺量的增加,复合薄膜光透过性增强。