采用化学法分别去除GH4169合金及TC4合金基材表面的WC–Co等离子喷涂层。通过正交试验对去除液配方和处理温度进行优化。GH4169基WC–Co涂层的最优去除工艺条件为:HNO3 30 m L/L,H2O2 550 m L/L,处理温度35°C。TC4合金基WC–Co涂...采用化学法分别去除GH4169合金及TC4合金基材表面的WC–Co等离子喷涂层。通过正交试验对去除液配方和处理温度进行优化。GH4169基WC–Co涂层的最优去除工艺条件为:HNO3 30 m L/L,H2O2 550 m L/L,处理温度35°C。TC4合金基WC–Co涂层的最优去除工艺条件为:HNO3 70 m L/L,H2O2 550 m L/L,处理温度30°C。采用上述工艺可有效去除GH4169和TC4表面的WC–Co涂层,对基体无明显的化学腐蚀,不会导致基体吸氢。1 L去除液可处理约10 dm2 0.3 mm厚的WC–Co涂层。展开更多
文摘采用化学法分别去除GH4169合金及TC4合金基材表面的WC–Co等离子喷涂层。通过正交试验对去除液配方和处理温度进行优化。GH4169基WC–Co涂层的最优去除工艺条件为:HNO3 30 m L/L,H2O2 550 m L/L,处理温度35°C。TC4合金基WC–Co涂层的最优去除工艺条件为:HNO3 70 m L/L,H2O2 550 m L/L,处理温度30°C。采用上述工艺可有效去除GH4169和TC4表面的WC–Co涂层,对基体无明显的化学腐蚀,不会导致基体吸氢。1 L去除液可处理约10 dm2 0.3 mm厚的WC–Co涂层。