微通道板离子壁垒膜及其对入射离子的阻止作用

给出了三代微光像管中微通道板离子壁垒膜对入射正离子阻止作用的描述,引进了核阻止本领、电子阻止本领和平均射程的概念。结合Tomas-Fermi屏蔽势进行了分析讨论和Monte-Carlo模拟计算,给出Al2O3和SiO2薄膜对不同能量垂直入射时的核、电子阻止的定量结果。得出了Al2O3薄膜阻止本领比SiO2阻止本领高的结论。证实了选用Al2O3离子壁垒膜的科学性和可行性。

微通道板离子壁垒膜及其特性

介绍了微光像管中微通道板离子壁垒膜及其形成技术,研究了其粒子(电子和离子)透过特性。给出了死电压概念、死电压曲线、死电压与膜厚关系曲线以及半视场对比测试结果;给出采用X射线光电子能谱(XPS)进行成分分析的结果。介绍了离子壁垒膜的离子透过特性,给出了表征膜层对离子阻止能力的离子透过率的概念,提出了离子透过率测试的原理方案和相关技术等问题。

微通道板离子壁垒膜粒子阻透特性的蒙特卡罗模拟(英文)

在三代微光像管中,微通道板(MCP)输入面上覆盖一层超薄离子壁垒膜(IBF),目的是保护光电阴极,延长像管使用寿命。为了深入研究离子壁垒膜的特性,本文对Al2O3和SiO2两种离子壁垒膜的粒子阻透能力进行了蒙特卡罗模拟,结果表明:5 nm厚Al2O3和SiO2离子壁垒膜的死电压分别为230～240 V和220～230 V之间;输入能量0.24 keV时背散射电子数最高达19%左右;输入能量0.8 keV时,Al2O3膜电子透过率为87.16%,SiO2膜为88.12%,电子透过的极限膜厚前者为15 nm,后者为16 nm;对于输入能量0.26 keV的C+、N+、O+离子,Al2O3膜的离子阻当率为95%～99%;Al2O3离子壁垒膜在厚度5 nm时具有较好的电子透过率和较高的离子阻挡率。

在多孔基底上形成免污离子壁垒超薄膜技术的新途径

文中介绍了在多孔基底MCP输入面上制作免污离子壁垒膜层的新工艺的基本原理和方法 ,给出了膜层成分分析和带膜MCP特性测试结果 ,并初步讨论了电子通过与膜厚的关系。

离子壁垒膜对三代微光像增强器成像的影响

讨论了离子壁垒膜对三代微光像增强器性能的影响,根据光学传递函数的讨论可知光学传递函数的相位传递函数为零,光学传递函数就等于调制传递函数。表明离子壁垒膜传递图像不产生图像的失真,对像质影响较小。然而结果也表明了由于离子壁垒膜造成了有膜微光像增强器分辨率和信噪比都有所下降。

三代微光管分辨力特性初步分析

三代微光管分辨力特性初步分析向世明（中国兵器工业第二○五研究所西安７１０１００）三代微光管是各类微光直视和微光电视成像系统的核心器件，在军用夜视和其他科技领域里，有重要使用价值和广泛的市场前景。本文仅就三代管的ＭＴＦ、分辨力特性、影响因素及其潜力发挥...

光电子技术与器件 光放大、控制与器件

TN152 2005032129 微通道板离子壁垒膜及其特性=MCP ion barrier film and its characteristics[刊,中]／姜德龙(长春理工大学光电子技 术所,吉林,长春(130022)),吴奎…∥发光学报．-2004, 25(6).-737-742 介绍了微光像管中微通道板离子壁垒膜及其形成技 术,研究了其粒子(电子和离子)透过特性。给出了死电压 概念、死电压曲线、死电压与膜厚关系曲线以及半视场对 比测试结果;给出了采用X射线光电子能谱(XPS)