稀土联合掺杂TiO_2离子存储薄膜的制备及性能

以钛酸四丁酯、硝酸铈和硝酸钐为主要原料,采用溶胶-凝胶法在ITO导电玻璃基片表面制备了Ce,Sm掺杂摩尔分数为2%的Ti O2离子存储薄膜。采用XRD、SEM、循环伏安曲线、紫外-可见透射光谱等技术手段,研究了薄膜的结构、电化学性能和光学性能。结果表明,Ce,Sm掺杂Ti O2薄膜粒度均匀且颗粒细小,相比纯Ti O2薄膜具有更高的无定形程度。在电致变色反应过程中,Ce、Sm掺杂Ti O2薄膜离子存储能力强、循环可逆性好,注入电荷密度为15.12 m C·cm-2,K值为0.7。薄膜具有较好的光学透明度,不同外加电压下薄膜的透射率均在80%左右,可以在电致变色玻璃中作为离子存储材料。

Ce,Sm联合掺杂TiO_2薄膜制备及其电致变色特性

以钛酸四丁酯、硝酸铈和硝酸钐为主要原料,采用溶胶-凝胶法在ITO导电玻璃基片表面制备Ce,Sm联合掺杂TiO_2电致变色薄膜,Ce,Sm掺杂的摩尔分数分别为0,2%,5%和10%.采用电化学工作站和紫外可见分光光度计,研究了薄膜的循环伏安特性和光谱特性.结果表明,Ce,Sm的摩尔分数为2%时,薄膜的峰值电流最大,电荷存储能力最强,注入电荷密度为15.12mC·cm^(-2),循环可逆性K值为0.7.Ce,Sm的摩尔分数为5%和10%时,随着掺杂量的增加,薄膜的峰值电流减小,电荷存储能力变弱.Ce,Sm掺杂TiO_2薄膜在可见光范围内具有更好的光学透明度,着色时颜色很浅,着色态和褪色态的光谱透过率几乎一致,均在90%以上,可以在电致变色玻璃中作为离子存储材料.