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离子射程标度关系在多元素靶上的推广研究
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作者 滕礼坚 侯氢 罗正明 《四川大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1998年第1期128-132,共5页
作者首先将基于离子输运双群模型中,对轻离子在单元素靶上得到的离子Boltzman方程与标度输运截面这个单一参量之间的关系,推广到重离子以及多元素靶的情形;再应用射程参数的标度关系对Bi和Au垂直入射到SiO2靶上的情... 作者首先将基于离子输运双群模型中,对轻离子在单元素靶上得到的离子Boltzman方程与标度输运截面这个单一参量之间的关系,推广到重离子以及多元素靶的情形;再应用射程参数的标度关系对Bi和Au垂直入射到SiO2靶上的情况,计算了相应的射程以及射程歧离,并与有关的实验数据进行了比较,以进一步检验这个标度关系. 展开更多
关键词 离子射程参数 标度关系 多元素靶 离子输运
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双幂指数散射截面在离子射程分布计算中的应用
2
作者 张竹林 《中国矿业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第6期650-653,共4页
应用双幂指数散射截面求解输运方程 ,推导出离子射程分布函数矩的递推公式 ,表明双幂指数截面与传统的单幂截面一样 ,可以用来求解输运方程 .此外 ,采用 Padé逼近 ,由分布函数的矩成功地组合了分布函数 ,计算精度都达到 1 0 -8以... 应用双幂指数散射截面求解输运方程 ,推导出离子射程分布函数矩的递推公式 ,表明双幂指数截面与传统的单幂截面一样 ,可以用来求解输运方程 .此外 ,采用 Padé逼近 ,由分布函数的矩成功地组合了分布函数 ,计算精度都达到 1 0 -8以上 ,这说明 ,在由矩组合分布函数的计算方面 ,Padé逼近可能是最佳的运算工具 .通过大量的计算发现 ,当入射离子能量比较低时 (几百电子伏特 ) ,离子注入深度要比用传统单幂截面所计算的值浅一些 ,分布范围也窄一些 ,这与作者对溅射原子出射深度以及 Frenkel-对产生计算所得的结论相符 .但当选择特征长度为深度单位时 ,用单、双截面计算的无量纲归一化离子射程分布函数相当符合 。 展开更多
关键词 离子射程分布 双幂指数散射截面 离子注入 PADE逼近
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应用双幂指数散射截面计算离子射程分布
3
作者 张竹林 《淮北煤师院学报(自然科学版)》 2000年第1期28-30,共3页
应用作者本人最近提出的双幂指数散射截面求解了离子射程分布输运方程.尽管当m=0.2时单、双幂指数两种散射截面相差甚大,但只要利用一适当长度单位,两种截面所给出的分布函数却相差很小.另外,采用了Pade'逼近重新组合射... 应用作者本人最近提出的双幂指数散射截面求解了离子射程分布输运方程.尽管当m=0.2时单、双幂指数两种散射截面相差甚大,但只要利用一适当长度单位,两种截面所给出的分布函数却相差很小.另外,采用了Pade'逼近重新组合射程分布函数,计算精度都达到10-8以上. 展开更多
关键词 离子射程分布 双幂指数散射截面 Pade'逼近
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化合物半导体中离子射程参数与化学键中离子特性间关系研究
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作者 王德宁 王渭源 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1989年第6期923-930,共8页
本文基于分子轨道法线性组合理论,推导出不同原子组成的分子的久期方程,从而得出分子波函数线性组合的特征常数N和λ的定量关系式,以及成键合能量和反键合能量的方程式.并通过这两能量之差,使N,λ系数与晶体对称势V共价所产生的平均能隙... 本文基于分子轨道法线性组合理论,推导出不同原子组成的分子的久期方程,从而得出分子波函数线性组合的特征常数N和λ的定量关系式,以及成键合能量和反键合能量的方程式.并通过这两能量之差,使N,λ系数与晶体对称势V共价所产生的平均能隙Eb,反对称蛰V离子所产生的能隙C和其总能隙Eg等相联系起来,导出了λ与分数光谱离子性fi和C/Ek比值间的关系式.由λ,N 可导出fi与化合物半导体中离子射程参数间的关系式. 应用上述一些关系式结合闪锌矿和纤锌矿结构特性,可以很好地解释两种结构的偏离系数γ(即化合物半导体中实际电子阻止本领对Bragg电子阻止本领的偏离系数)间互成倒数和压电系数e_(pol)的符号相反的原因.因此从C/Eh,γ,e_(pol),对fi三曲线转折点完全一致,可以清晰地看出半导体化合物的价键和晶体结构特性决定了它的一系列物理、化学特性. 展开更多
关键词 化合物半导体 离子射程参数 化学键
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多层介质中的离子射程分布
5
作者 夏日源 徐现刚 +3 位作者 张兆林 谭春雨 杨洪 孙秀芳 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1989年第7期1111-1121,共11页
本文提出了一种计算多层介质中注入离子深度分布的新方法。该方法把Monte Carlo模拟与输运方程的数值解法相结合,取其各自的优点,考虑了离子在界面处的反射,给出多层介质中射程分布表达式。理论与实验比较表明,两者符合得很好。
关键词 多层介质 离子射程
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蒙特卡罗粒子输运模拟在离子注入研发中的应用
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作者 李进 吴悦 +2 位作者 郭静 王肇龙 喻晓 《电子工业专用设备》 2023年第6期53-58,127,共7页
离子注入材料的微观过程和现象,如射程分布、能量损失、溅射和次级射线产生,通过实验手段通常难以直接观察,采用蒙特卡罗粒子输运计算方法,可以较为直观地对相关过程进行计算和展示。使用蒙特卡罗粒子输运程序SRIM和FLUKA计算分析离子... 离子注入材料的微观过程和现象,如射程分布、能量损失、溅射和次级射线产生,通过实验手段通常难以直接观察,采用蒙特卡罗粒子输运计算方法,可以较为直观地对相关过程进行计算和展示。使用蒙特卡罗粒子输运程序SRIM和FLUKA计算分析离子注入过程中涉及到的射程分布、能量损失、溅射率、X射线分布等参数,证明蒙特卡罗方法可以有效地用于离子注入相关的设备和工艺设计。 展开更多
关键词 离子注入 蒙特卡罗 物质中的离子阻止和射程 涨落级联
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全离子注入NPN型偶载场效应晶体管的离子注入工艺研究
7
作者 于理科 郭慧民 +2 位作者 任永玲 李国辉 姬成周 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期320-324,共5页
通过trim软件和高斯模型对离子注入后快速退火载流子分布进行设计 ,初步构造出离子注入的分布图像 ,通过与实验结果比较 ,进一步完善模型 .选用高斯与半高斯混合模型 ,得到了与实验结果更吻合的模拟方案 .从而找到了研制NPN型偶载场效... 通过trim软件和高斯模型对离子注入后快速退火载流子分布进行设计 ,初步构造出离子注入的分布图像 ,通过与实验结果比较 ,进一步完善模型 .选用高斯与半高斯混合模型 ,得到了与实验结果更吻合的模拟方案 .从而找到了研制NPN型偶载场效应晶体管 (VDCFET)离子注入的最佳条件 ,并研制了性能良好的VDCFET . 展开更多
关键词 NPN型偶载场效应晶体管 离子注入工艺 VDCFET 离子注入射程分布理论 高斯模型 混合模型
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大容量抗辐射加固SRAM器件单粒子效应试验研究 被引量:2
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作者 余永涛 陈毓彬 +3 位作者 水春生 王小强 冯发明 费武雄 《航天器环境工程》 2018年第5期462-467,共6页
针对宇航用大容量SRAM器件抗单粒子效应性能的试验评估需要,利用重离子加速器对抗辐射加固32 M Bulk CMOS工艺SRAM和16 M SOI CMOS工艺SRAM进行了单粒子效应模拟试验研究,获得SRAM器件单粒子效应特性并进行在轨翻转率预估;对单粒子翻转... 针对宇航用大容量SRAM器件抗单粒子效应性能的试验评估需要,利用重离子加速器对抗辐射加固32 M Bulk CMOS工艺SRAM和16 M SOI CMOS工艺SRAM进行了单粒子效应模拟试验研究,获得SRAM器件单粒子效应特性并进行在轨翻转率预估;对单粒子翻转试验中重离子射程的影响,不同SEU类型的翻转截面差异,在轨翻转率预估的有关因素等进行了分析讨论。结果表明,这2款抗辐射加固SRAM器件都达到了较高的抗单粒子效应性能指标。试验结果可以为SRAM器件的单粒子效应试验评估提供参考。 展开更多
关键词 单粒子效应 大容量SRAM 抗辐射加固 Bulk CMOS工艺 SOI CMOS工艺 离子射程
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低能离子注入育种中次级效应影响的模拟研究 被引量:2
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作者 李成波 李晓明 《原子核物理评论》 CSCD 北大核心 2017年第4期779-783,共5页
低能离子注入育种作为一种有效的育种方法在实践中进行了大量的尝试并取得了一系列重要成果,但其作用机理一直都存在着巨大的争议,特别是射程很短的低能重离子如何穿透到种子内部触发生物效应。本研究利用SRIM、CASINO、Geant4模拟程序... 低能离子注入育种作为一种有效的育种方法在实践中进行了大量的尝试并取得了一系列重要成果,但其作用机理一直都存在着巨大的争议,特别是射程很短的低能重离子如何穿透到种子内部触发生物效应。本研究利用SRIM、CASINO、Geant4模拟程序对低能离子注入生物样品的离子注入深度进行模拟和定量分析,并对次级粒子可能产生的影响进行了定量模拟研究。结果显示,低能重离子本身射程一般都小于1μm,选用轻离子、提高注入能量、采用干种子进行注入,都有利于增加穿透深度。次级过程中,反冲质子的最大射程比初级入射离子的稍大,不能显著提升穿透能力。次级过程产生的粒子中只有X射线可以明显提高穿透种子的深度,只要剂量足够大,总会有少量X射线穿透到很深的地方。 展开更多
关键词 离子注入育种 低能离子射程 次级粒子 X射线
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High damage threshold HfO_2/SiO_2 multilayer mirrors deposited by novel remote plasma sputtering 被引量:1
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作者 许颖 陈楠 卜轶坤 《Optoelectronics Letters》 EI 2011年第6期405-409,共5页
Sputtering deposition coatings offer significant advantages on electron beam (EB) deposition, including high packing density, environmental stability and extremely low losses. But the inherent high compressive stress ... Sputtering deposition coatings offer significant advantages on electron beam (EB) deposition, including high packing density, environmental stability and extremely low losses. But the inherent high compressive stress affects its application in high power laser system. This paper describes the technical feasibility of high damage threshold laser mirrors deposited by a novel remote plasma sputtering technique. This technique is based on generating intensive plasma remotely from the target and then magnetically steering the plasma to the target to realize the full uniform sputtering. The pseudo-independence between target voltage and target current provides us very flexible parameters tuning, especially for the films stress control. Deposition conditions are optimized to yield fully oxidized and low compressive stress single layer HfO2 and SiO2. The high damage threshold of 43.8 J/cm2 for HfO2/ SiO2 laser mirrors at 1064 nm is obtained. For the first time the remote plasma sputtering is successfully applied in depositing laser mirrors with high performance. 展开更多
关键词 Compressive stress Electron beams Hafnium oxides High power lasers PLASMAS Silicon compounds
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