双幂指数散射截面在离子射程分布计算中的应用

应用双幂指数散射截面求解输运方程 ,推导出离子射程分布函数矩的递推公式 ,表明双幂指数截面与传统的单幂截面一样 ,可以用来求解输运方程 .此外 ,采用 Padé逼近 ,由分布函数的矩成功地组合了分布函数 ,计算精度都达到 1 0 -8以上 ,这说明 ,在由矩组合分布函数的计算方面 ,Padé逼近可能是最佳的运算工具 .通过大量的计算发现 ,当入射离子能量比较低时 (几百电子伏特 ) ,离子注入深度要比用传统单幂截面所计算的值浅一些 ,分布范围也窄一些 ,这与作者对溅射原子出射深度以及 Frenkel-对产生计算所得的结论相符 .但当选择特征长度为深度单位时 ,用单、双截面计算的无量纲归一化离子射程分布函数相当符合 。

应用双幂指数散射截面计算离子射程分布

应用作者本人最近提出的双幂指数散射截面求解了离子射程分布输运方程.尽管当ｍ＝０．２时单、双幂指数两种散射截面相差甚大，但只要利用一适当长度单位，两种截面所给出的分布函数却相差很小．另外，采用了Ｐａｄｅ＇逼近重新组合射程分布函数，计算精度都达到１０－8以上．

全离子注入NPN型偶载场效应晶体管的离子注入工艺研究

通过trim软件和高斯模型对离子注入后快速退火载流子分布进行设计 ,初步构造出离子注入的分布图像 ,通过与实验结果比较 ,进一步完善模型 .选用高斯与半高斯混合模型 ,得到了与实验结果更吻合的模拟方案 .从而找到了研制NPN型偶载场效应晶体管 (VDCFET)离子注入的最佳条件 ,并研制了性能良好的VDCFET .