化合物半导体中离子射程参数与化学键中离子特性间关系研究

本文基于分子轨道法线性组合理论,推导出不同原子组成的分子的久期方程,从而得出分子波函数线性组合的特征常数N和λ的定量关系式,以及成键合能量和反键合能量的方程式.并通过这两能量之差,使N,λ系数与晶体对称势V共价所产生的平均能隙Eb,反对称蛰V离子所产生的能隙C和其总能隙Eg等相联系起来,导出了λ与分数光谱离子性fi和C/Ek比值间的关系式.由λ,N 可导出fi与化合物半导体中离子射程参数间的关系式. 应用上述一些关系式结合闪锌矿和纤锌矿结构特性,可以很好地解释两种结构的偏离系数γ(即化合物半导体中实际电子阻止本领对Bragg电子阻止本领的偏离系数)间互成倒数和压电系数e_(pol)的符号相反的原因.因此从C/Eh,γ,e_(pol),对fi三曲线转折点完全一致,可以清晰地看出半导体化合物的价键和晶体结构特性决定了它的一系列物理、化学特性.

离子射程标度关系在多元素靶上的推广研究

作者首先将基于离子输运双群模型中，对轻离子在单元素靶上得到的离子Ｂｏｌｔｚｍａｎ方程与标度输运截面这个单一参量之间的关系，推广到重离子以及多元素靶的情形；再应用射程参数的标度关系对Ｂｉ和Ａｕ垂直入射到ＳｉＯ２靶上的情况，计算了相应的射程以及射程歧离，并与有关的实验数据进行了比较，以进一步检验这个标度关系．