高效离子感应消痛贴外敷治疗398例颈椎病疗效观察

目的观察高效离子感应消痛贴外敷治疗颈椎病的临床疗效。方法对398例颈椎病患者使用高效离子感应消痛贴外敷于颈部进行治疗。结果经3个疗程治疗后,治愈率为63.06,总有效率为93.97。结论高效离子感应消痛贴外敷治疗颈椎病疗效确切,其持续的离子感应物理治疗能达到软化骨刺、抑制骨质增生、缓解疼痛、修复受损软组织的作用,值得临床推广应用。

离子感应熄火保护装置的故障诊断与维修

介绍了离子感应熄火保护装置的结构和原理,分析了离子感应熄火保护装置灶具的故障原因,并提出相应的处理措施,解决了故障诊断困难、维修效率低的问题。

乳康灵离子感应贴联合他莫昔芬与单用他莫昔芬治疗乳腺增生的疗效对比研究

目的比较乳康灵离子感应贴联合他莫昔芬与单用他莫昔芬治疗乳腺增生的临床疗效。方法试验组(108例)采用乳康灵离子感应贴联合他莫昔芬治疗乳腺增生症,对照组(102例)单用他莫昔芬治疗乳腺增生症,以1个月为1个疗程,均使用3个疗程后观察二者的临床疗效。结果试验组有效率28.7%,治愈率69.4%,总有效率98.1%;对照组有效率39.2%,治愈率48.0%,总有效率87.2%。两组总有效率比较差异有统计学意义(P<0.05)。结论乳康灵离子感应贴联合他莫昔芬治疗乳腺增生有较好的疗效,临床疗效明显、方便、无创,治愈率高。

离子感应贴膜的制作及其医学应用研究

采用离子堆积技术制备的离子感应贴膜,可使贴膜具有高达1600 SEV静电压.使用该贴膜48 h后,其静电压为500 SEV左右.该离子感应贴膜对不同部位骨质增生的患者进行治疗,有效率可达90%以上.该产品在抑制骨质增生、消除肿痛和炎症方面,显示出明显的治疗效果.

感应耦合等离子体增强磁控溅射法制备MoO_(3)高透亲水光学薄膜

将磁控溅射和感应耦合相结合形成感应耦合等离子体增强磁控溅射技术(ICPMS),制备了MoO_(3)高透亲水光学薄膜。使用分光光度计、水接触角测试仪、扫描电子显微镜、X射线衍射仪和X射线能谱仪,分别表征薄膜的光学性能、润湿性能、显微形貌、晶体结构和化学成分。通过正交实验法,以MoO_(3)薄膜的氧钼比、光学透过率、水接触角为指标,探究了感应耦合等离子体(ICP)氧氩比、ICP功率、靶位工作压强和ICP前处理时间工艺参数对MoO_(3)薄膜性能的影响。结果表明:氧氩比是影响性能的主要参数,其次是工作压强,影响最小参数是ICP功率。最优工艺参数是氧氩比400/300、靶位工作压强为0.15 Pa、功率为1500 W、前处理时间为18 min。研究为高透亲水光学薄膜应用,提供具体实验设计和工艺方法指导。

感应离子电流盐渍腌菜工艺研究

利用交变磁通在盐渍液回路体系产生的感应电动势驱动Na^＋、Cl^-形成离子电流,对4种常见腌菜进行了快速盐渍加工。选取盐渍液质量分数、处理时间和孔隙率为影响因素,考察了经过该方法浸渍处理的4种蔬菜的渗盐量并通过响应面分析建立了针对孔隙率为5.4%～8.2%的蔬菜渗盐量预测模型。结果表明：随盐渍液质量分数的增加体系磁能转换为电能的效率增高,蔬菜的渗盐量增大。对厚度为24 mm且孔隙率在6%的蔬菜,采用离子电流浸渍处理后最快可在30 min时使蔬菜的渗盐量达到5%左右,渗盐量随盐渍液质量分数和孔隙率的增大呈现增加的趋势。选取孔隙率为7.3%的茄子作为实测验证对象,通过数据拟合表明该模型能较好地预测经过离子电流浸渍处理后蔬菜的盐分含量。

射频感应等离子体制备球形钨粉的工艺研究

采用射频感应等离子体球化颗粒形状不规则的钨粉（平均粒度尺寸5-12μm）,研究了加料速率、物料分散方式、钨粉颗粒大小等因素对球化率的影响。当加料速率大于95 g/min时,粉体的球化率随着加料速率的增大急剧减小,加料速率增大到135.75 g/min时,样品钨粉球化率仅为30%。当携带气量为0.12m^3/h时,分散效果较佳,其球形度相应也较好,球化率几乎达到100%;随着钨粉球化率提高,其松装密度有所增大。通过对不同粒度分布的原粉进行球化处理,得出结论：钨粉原粉粒度分布均匀,则相应制备出的球形钨粉的粒度分布也比较均匀。

感应等离子工艺参数对制备电容器级钽粉性能的影响

为实现对感应等离子技术制备电容器级钽粉粒度、形貌的控制,进行改变等离子工艺参数的粉体制备工艺试验,研究冷却气体流量、送入粉体的进口位置、等离子气氛对粉体粒度及其形貌的影响。结果表明,感应等离子工艺参数的变化可以显著改变制备粉体的性能。制备的钽粉全部为球形,感应等离子技术可以完成纳米级电容器钽粉的制备。

感应等离子纳米钽粉制备技术研究

为了实现对感应等离子技术制备电容器级钽粉粒度、形貌的控制,进行了改变等离子工艺参数的粉体制备工艺试验,试验中考察等离子功率、送粉速率对制备粉体的粒度、粒度分布及其形貌的影响。试验结果表明:在一定等离子体功率下,随着送粉速率的增加,粉体平均粒径增加,比表面积下降;在一定送粉速率下,随着等离子体功率的增加,粉体平均粒径减小,比表面积增加。感应等离子工艺参数的变化可以改变制备粉体性能。

InSb阵列探测芯片的感应耦合等离子反应刻蚀研究

利用感应耦合等离子（ICP）反应刻蚀（RIE）进行了InSb阵列芯片台面刻蚀,并利用轮廓仪、SEM及XRD对台面形貌以及刻蚀损伤进行分析。采用优化的ICP刻蚀参数,实现的刻蚀速率为70-90 nm/min,刻蚀台阶垂直度-80°,刻蚀表面平整光滑、损伤低。与常规的湿法腐蚀相比,明显降低了侧向钻蚀。台面采用此反应刻蚀工艺,制备了具有理想I-V特性的320×256 InSb探测阵列芯片,在-500 mV到零偏压范围内,光敏元（面积23μm×23μm）的动态阻抗（Rd）大于100 MΩ。

感应等离子体超细钨粉制备技术研究

利用连续式、感应等离子体粉体制备装置进行超细钨粉制备技术的研究,比较测定经感应等离子体技术处理前后粉体的流动性、氧杂质含量和粒度。结果表明,用感应等离子体技术制备的超细钨粉流动性较原料粉体提高20%以上,氧杂质含量显著降低,超细粉体制备装置对于制备粉体的粒度具有较为精确的控制能力。

感应等离子体球化热喷涂粉体材料研究进展

介绍了传统非等离子体法制备球形粉体方法--雾化法和喷雾造粒法,分析了其在热喷涂球形粉体制备过程中存在的优势和局限性。综述了等离子球化技术在热喷涂粉体材料领域中的应用现状,并深入讨论了感应等离子体球化过程中不同的工艺条件对粉体球化率和形貌的影响:原料粉体状态决定了球化后粉体的平均粒径,降低粉体原始粒径可以提高熔融程度,粒径分布较窄的原始粉体有利于得到高球形度粉体;适当增大输入功率和工作气体流量,可降低细小颗粒的粘附现象;工作气体的种类会影响等离子焰炬的热焓值;送粉速率需要结合粉体性质择优选取。这些关键影响因素对热喷涂粉体性能的调控机制,以及深入认识等离子体作用条件下的热喷涂粉体球化机理,提供了有力的理论支撑。总结和展望了感应等离子球化技术在热喷涂陶瓷粉体材料制备中存在的问题和发展方向,感应等离子体球化技术作为制备高纯度、无污染热喷涂球形粉体材料的一种新技术,具有广阔的应用前景。

原料粉体对感应等离子制备钽粉性能影响

利用连续式、感应等离子体技术进行电容器级纳米钽粉制备技术研究,对制备的粉体进行比表面积测试、扫描电镜的形貌观察和粒度分布的统计。结果表明:感应等离子体技术制备的钽粉形貌为球形;手套箱粉体比表面积最高达到40 m2/g以上;随原料粉体粒径的减小,分散性越好,粉体与感应等离子体的能量耦合程度越高。

射频感应等离子体制备球形氧化铝的工艺研究

采用射频(RF)感应等离子体对颗粒形状不规则的氧化铝粉作球化处理,当氧化铝以极短暂时间快速穿越射频等离子体炬时,颗粒因受热而熔化成液滴,快速冷却,形成球形固态颗粒。应用单因素法讨论射频等离子体制备球形氧化铝的工艺参数,研究了制备过程中相关的中气流量、抽风负压、送粉速度和分散方式等主要工艺参数对球形氧化铝粉的影响。用电子扫描显微镜(SEM)观测评估球化效果,测定松装密度和振实密度。

基于FLUENT的二维感应耦合等离子体炬数值模拟

将等离子体作为磁流体,考虑其流体属性和电磁属性,介绍了利用FLUENT软件包并将其进行二次开发,解算电磁场方程、质量连续性方程、动量守恒方程、以及能量守恒方程的数值模拟方法,得到了以磁矢势为表达形式的电磁场分布、温度分布和速度分布。数值模拟了粉末球化所用的感应耦合等离子体炬电磁场分布、温度分布、速度分布。分析了温度分布、速度分布产生的物理原因,为感应耦合等离子体炬球化粉末颗粒提供理论性指导。

射频感应等离子体制备球形钛粉的工艺研究

采用单因素法对制备球形钛粉的工艺进行研究,通过控制和调节射频等离子体工作的阳极电流与电压、中气流量、边气流量、粉体携带气流量、抽风负压和钛粉送粉速率等参数,以获得制备球形度较佳的钛粉工艺参数。通过射频感应等离子体对粒度为(17.0±2.0)μm的钛粉球化处理研究,制备出球形度好、球化率高、表面粗糙度低的钛粉,钛粉球化率随着抽风负压增加而增加,当抽风负压大于1 800Pa时,钛粉的球化率随着抽风负压的增大迅速降低;同样钛粉球化率也随着钛粉送粉速率增加而增加,当钛粉送粉速率大于90.0g/min时,钛粉的球化率随着钛粉送粉速率的增大而迅速降低。

感应耦合氩气热等离子体速度分布的数值分析

对感应耦合氩气热等离子体的速度分布特性以及各操作参数对等离子体速度分布的影响进行了细致的研究。研究结果表明,与直流电弧热等离子体相比,感应耦合热等离子体速度小,弧流集中,速度峰值出现在等离子体炬下游,在线圈段上游出现明显的回流现象。此外,送气流量、感应电流等操作参数对等离子体速度分布有明显影响。研究结果可为等离子体球化粉末颗粒及其他应用提供理论指导。

感应耦合等离子体刻蚀机二维放电模拟

为研究感应耦合等离子体(ICP)刻蚀机腔室与线圈结构以及工艺参数对等离子体分布均匀性的影响,基于商业软件CFD-ACE+中等离子体与电磁场等模块建立了ICP刻蚀机二维放电模型.仿真研究了典型工艺条件(1.33Pa,200W,200sccm)下氩等离子体电子温度与电子数密度的空间分布,对比了不同气压与功率条件下等离子体参数在硅片表面的一维分布.结果表明,电子数密度随气压与功率的增加而升高;电子温度随气压的增加而降低,随功率增加在较小范围内先降低再升高.通过分析屏蔽板对等离子体参数的影响,发现其有助于提高等离子体密度.进而发现屏蔽板的孔隙率越大,电子温度越高,电子数密度则越低.

超微粉制备中的感应等离子炬温度场数值模拟

为了得到超微粉制备中的感应等离子炬温度场,根据传热学Navier-Stocks方程及电磁理论,在高频感应等离子炬中建立了电热以及流体耦合控制方程.利用有限元方法对制粉过程中的电热效应及流体-热交互耦合进行数值模拟,得到高频等离子炬气动过程中的速度分布及温度场分布.结果表明:在等离子体加热部分存在涡流,温度的最高点不在轴线上,输入功率越高,距离线圈越近;在相同进气流量条件下,输入功率为2 kW时,温度最高点距离线圈0.062 m,输入功率为5 kW时,温度最高点距离线圈0.039 m.

基于 CFDRC 的感应耦合等离子体离子数密度空间分布仿真

为研究感应耦合等离子体(ICP)沉积装置放电腔与线圈结构以及工艺参数对等离子体分布的影响,基于商业软件CFDRC中等离子体与电磁场模块建立了ICP沉积装置2维放电模型。在典型的ICP反应器中,等离子体反应主要由电子、重粒子间的碰撞来决定。利用不带电的流体模型求解分子、原子和基团等中性粒子的动量和质量守恒方程,而对离子带电粒子,考虑电场力的作用来求解动量方程;电子通量密度的计算是通过求解漂移扩散近似方程而获得的。通过此方法仿真研究了典型工艺条件下(气压0.25 Pa,功率90 W,体积流量120 L/s)等离子体离子数密度的空间分布,对比了不同功率(20、60、90、150 W)、不同抽气体积流量(60、100、140、160 L/s)条件下放电腔内ICP等离子体参数的变化规律。模拟结果表明:离子数密度随体积流量的增加而大幅度增加,随功率的增加而缓慢增加;空间离子数密度峰值出现在放电腔中心区域,随体积流量的增大而逐渐下移。