SiN_xH_y/SiO_2氢离子敏器件及其特性

新型的氢离子敏器件采用 PECVD 法淀积含氢量较高的 SiN_xH_y 膜,同时作为敏感膜与二次钝化保护膜,改善了器件的密封性能.器件敏感灵敏度在56～60 mV/pH 之间,较 LPCVD 法淀积的 Si_3N_4 膜高14%.敏感灵敏度的线性度也有明显的改善.

氧化钨薄膜微型电化学器件的研究

本文论述了WO_3薄膜氢离子敏器件的结构、原理、制备技术和测试分析。利用WO_3薄膜在H+溶液中由绝缘转化为导电特性,成功地研制成氢离子敏器件。这是一种简易而经济的微型pH敏器件技术。

pH的测控和应用

叙述了ｐＨ测量的原理。介绍了工业应用中所遇到的问题和国外为解决这些问题所采取的措施和进展。

化学量传感器

第四讲 离子敏场效应器件 五、以pH-ISFET为基础的ISFET及CHEMFET敏感膜制备工艺 如前所述,在巳制成的Si_3N_4膜pH-ISFET敏感栅上再复盖一层对某种离子或化学物质敏感的介质膜即可制成相应的敏感器件,而且敏感膜是关系到器件灵敏度、选择性、稳定性、重现性等性能优劣的关键。