杯芳烃银离子敏感场效应晶体管传感器

报道了硫醚取代的杯［４］芳烃化合物的合成，以此化合物为敏感材料，研制了聚氯乙烯膜的银离子敏感场效应晶体管（Ａｇ＋－ＩＳＦＥＴ）传感器。Ａｇ＋－ＩＳＦＥＴ传感器对银离子表现出了优良的能斯特响应，响应斜率为５８ ｍＶ／ｐＡｇ，同时该传感器对碱金属、破土金属及过渡金属离子有极高的选择性，在 １０－２～１０－５ ｍｏｌ／Ｌ范围内有良好的线性关系，检测限为 １０－５．５ｍｏｌ／Ｌ。

应用溶胶-凝胶技术制备的硅钨酸修饰离子敏感场效应晶体管传感器的电化学行为

将Keggin型硅钨酸-阿托品缔和物掺杂到溶胶-凝胶中，滴涂在离子敏感场效应晶体管的栅极表面，制备成传感器。并对传感器的电化学行为，包括pH值的影响和传感器的稳定性进行了研究。结果表明：此传感器既保持了离子敏感场效应晶体管的特点，又具有良好的稳定性和灵敏度。传感器对阿托品响应的线性范围为1.0×10^-3～5．0×10^-6mol·L^-1，响应灵敏度为59．0mV／pc，传感器适宜的pH为3．0～8．0。用所制传感器测定阿托品注射液的含量，结果和药典方法相一致。

麻黄碱离子敏感场效应管传感器的研究(英文)

报道了一种麻黄碱药物场效应管传感器。将药物敏感膜与离子敏感场效应管相结合,用tri-o-e-β-CD修饰传感器,测定麻黄碱。传感器对麻黄碱的线性响应范围是1.0×10^(-1)～3.0×10^(-6)mol/L,响应灵敏度为58.0 mV/pC(C的单位为mol/L),适宜pH范围为3.0～8.0。用所研制的传感器测定麻黄碱片剂的含量,结果和药典方法相一致。

离子敏感场效应晶体管传感器研究进展

近年来,离子敏感场效应晶体管(ISFET)生物传感器因其灵敏度高、速度快、无标记、体积小、成本低等特点而受到了广泛关注,可应用于DNA、蛋白质、酶、细胞、离子等生物识别物的检测。ISFET生物传感器在金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的基础上发展而来,通过溶液和传感层之间产生电荷转移,形成界面电位,从而改变FET的电流。综述了基于ISFET的生物传感器的工作原理,对器件类型进行了分类,分析了各种器件结构的特性,并列举了最新的应用进展,对未来实现高性能、微型化、可量产的ISFET生物传感器具有重要作用。

杂多酸修饰离子敏感场效应晶体管的研究Ⅱ──硅钨酸 FET 的制备和应用

用硅钨酸修饰离子敏感场效应晶体，并且其分析盐酸黄莲素．传感器对黄莲素的能斯特响应范围是１．０×１０－３－５．０×１０－７ｍｏｌ／Ｌ斜率为５９ｍＶ／ＰＣ，适宜ｐＨ范围为２．０～１１．５，检测下限为７．０×１０－７ｍｏｌ／Ｌ。用其分析盐酸黄莲素片含量分析结果和药典方法相一致。

杂多酸修饰离子敏感场效应晶体管的研究Ⅰ──磷钨酸 FET 的制备和应用

用磷钨酸修饰离子敏感场效应晶体管，并用其分析盐酸麻黄碱。传感器对麻黄碱的能斯特响应范围是１．０×１０－１～３．０×１０－５ｍｏｌ／Ｌ，斜率为５８ｍＶ／ＰＣ，适宜ｐＨ范围为３．０～８．０，检测下限为１．０×１０－６ｍｏｌ／Ｌ．用其分析盐酸麻黄碱片剂含量，分析结果和药典方法相一致。

一种离子敏感场效应晶体管的建模策略

基于半导体仿真软件TCAD设计了一种离子敏感场效应晶体管的模型,首先介绍了离子敏感场效应晶体管的结构及工作原理,其次分析了敏感场效应晶体管在仿真中存在的难题,在此基础上提出了相应的建模方式,最后在TCAD中成功搭建了仿真模型,通过仿真敏感场效应晶体管的灵敏度验证了该模型的准确性,解决了TCAD无法模拟溶液的难题,为离子敏感场效应晶体管的研究开辟了新的道路。

基于氮化镓的离子敏感场效应管建模分析

离子敏感场效应管是应用于离子浓度测量的一种器件,它的性质与金属氧化物场效应晶体管相似,最大的区别在于它可以直接用于电解质溶液中的离子浓度变化测量。该器件结构简单,操作方便,便于大规模生产使用。目前使用最广泛的是基于H+浓度的p H值测量器件,文章分析其结构并详细计算其工作原理,最后结合电解质溶液相关性质进行仿真建模。为提高器件的工作性能,文章采用不同材料进行离子敏感场效应管的设计。结果显示相比于硅材料器件,采用氮化镓材料设计的器件在工作精度与离子浓度敏感度2个方面都有较大提升。

一种提高离子敏感场效应晶体管灵敏度的方法

本文通过分析背栅电压和源漏电流的I-V特性来研究灵敏度(背栅电压测量法)。首先介绍了离子敏感场效应晶体管工作原理及灵敏度受限的原因,而后对背栅电压测量法进行了可行性分析,最后通过仿真软件TCAD进行仿真实验,研究了背栅电压测量法所得到的灵敏度大小。结果表明,流体栅压测量法的灵敏度为59.5mV/pH,与能斯特极限基本一致,背栅电压测量方法可以突破能斯特极限,有效地提高器件的灵敏度至209.04mV/pH。

离子敏感场效应管的结构优化建模

离子敏感场效应管是在金属氧化物场效应管的基本结构上,通过改变栅极结构与材料得到的一种可以直接测量电解质溶液里离子浓度变化的新型器件。该器件除了有传统场效应管的基本性质之外,还有一个重要的性质,即其栅极电压会跟着电解质溶液中离子浓度浓度变化而直接变化。首先对离子敏感场效应管进行仿真建模,分析其工作原理。建模过程主要解决了对于液体电解质的自建材料计算与半导体电解质接触面边界条件的模拟仿真。传统的离子敏感场效应管的敏感度上限为59.6 mV/pH,又称为能斯特极限。为了突破能斯特极限提高器件性能,通过采用无结型场效应管的结构来设计离子敏感场效应管,最后仿真得到敏感度更高、精度更好的器件结构。

药物敏感场效应晶体管的研究 Ⅲ磷钨酸-麻黄碱敏感场效应晶体管的研制与应用

将离子敏感场效应晶体管（ＩＳＦＥＴ）与药物敏感膜相结合，研制成一种对麻黄碱有良好响应的药物敏感场效应晶体管传感器（ＤｒｕｇＦＥＴ）．该器件具有全固态化、体积小、易微型化、集成化和多功能化等优点．采用磷钨酸作电活性物质，制成ＰＶＣ膜ＩＳＦＥＴ，对麻黄碱的线性响应范围为３．０×１０－６～１．０×１０－１ｍｏｌ／Ｌ，检出限为１．０×１０－６ｍｏｌ／Ｌ，传感器适宜的ｐＨ范围为３．０～８．０．用该传感器分析麻黄碱片剂的含量，结果和药典方法吻合．

场效应管药物传感器

将场效应管与药物敏感膜结合,以硅钨酸或四苯硼钠未转型的定域体试剂为电活性物质的药物传感器。该传感器制作简单,线性范围宽于或检测下限低于文献值。并对器件的影响因素进行了详尽的讨论。

硫酸根离子敏感半导体器件的研究

本文报导一种基于四苯硼钠的离子敏感半导体器件。该器件的线性响应范围为 1 0×10 - 1- 1 0× 10 - 3mol/L ,斜率为 32ml/pc (13℃ ) ,检测下限为 6 0× 10 - 4mol/L。适宜的PH范围为 4 - 4 6。

氯酸根离子敏感化学传感器的研究

用乙基紫修饰离子敏感场效应晶体管 (ISFET)制成氯酸根离子敏感器件。该器件的斜率为5 4mv/decade ,线性响应范围为 1 .0× 1 0 - 1 ～ 7.0× 1 0 - 5mol.l- 1 ,检测下限为 5 .0× 1 0 - 5mol.l- 1 ,回收收率 97.2 %～ 1 0 9‰。

一次性铵离子ISFET的研究

本文报道一种基于四苯硼钠的离子敏感场效应晶体管(ISFET)。并对器件性能的影响因素进行详尽讨论,确立了以邻苯二甲酸二丁酯(DBP)为增型塑剂,器件的性能最佳。ISFET的线性范围为1.0～7.5×10-5mol/L,检出限为6.0×10-5mol/L,斜率为58mV/decade,适宜的pH范围为4.2～8.4。

DrugFET的研究(XⅡ): 药物敏感膜的研究

药物敏感场效应晶体管（ＤｒｕｇＦＥＴ）是离子敏感场效应晶体管（ＩＳＦＥＴ）和药物敏感膜相结合的产物。本文研究了药物敏感膜的组成和配比，探讨了成膜的最佳条件，并对一些成膜体系对药物的响应性能进行了研究。以β－环糊精为电活性物质，邻苯二甲酸二辛酯为增塑剂制成药物敏感膜，对麻黄碱的响应范围为１．０ｍｏｌ／Ｌ～４．０×１０－５ｍｏｌ／Ｌ，斜率为５８．０ｍＶ／ｐＣ，适宜ｐＨ范围为４．５～８．０。用其分析麻黄碱片剂含量，分析结果和药典方法相一致。

采用H^+-ISFET的便携式上消化道pH值记录仪的研制

上消化道 pH值记录仪是为临床医学上对胃、食管的 pH值进行长时间监测而专门设计的仪器。本文介绍了一种便携式的上消化道 pH值记录仪的研制。它采用H+ ISFET和内参比电极组成的双通道上消化道pH值传感器 ,以高性能的嵌入式微控制器为控制核心 ,在 2节普通 5号电池供电、采样间隔 4s、同时记录 2通道 pH值的条件下可稳定工作 2 4h以上 ,pH值测量误差小于 0 .1。仪表轻便 ,重量仅 15 0 g ,并具有性能稳定 ,使用简便 ,低功耗 ,低成本等优点。

基于ISFET的尼古丁传感器的研究

报道了一种测定尼古丁的新方法。用二苦胺作电活性物质 ,将离子敏感场效应晶体管与药物敏感膜相结合 ,制成尼古丁传感器 ,测定尼古丁的线性范围为 1 .0×1 0 - 2 ～ 3.0× 1 0 - 5mol/L,适宜的 p H值范围为 5 .0～ 8.5 ,传感器灵敏度为 5 8.0 m V/pc。用该传感器分析烟草中的尼古丁含量 。