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x光纳米光刻掩模的离子束制备法
被引量:
1
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作者
韩勇
彭良强
+3 位作者
巨新
伊福廷
张菊芳
吴自玉
《微纳电子技术》
CAS
2002年第1期44-45,共2页
重离子束轰击聚碳酸酯后,对样品进行陈化和紫外线照射敏化,在优化条件下蚀刻后得到纳米孔径核孔膜。利用电化学沉积技术在核孔膜中制备了最小孔径为30纳米的铜纳米线。获得的铜纳米线/聚碳酸酯可以作为x光纳米光刻的掩模。
关键词
纳米光刻
纳米线
x光掩模
离子束制备法
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职称材料
X光纳米充刻掩模的离子束制备法
2
作者
韩勇
彭良强
+3 位作者
巨新
伊福廷
张菊芳
吴自玉
《Beijing Synchrotron Radiation Facility》
2001年第2期117-118,共2页
重离子柬轰击聚碳酸酯后.对样品进行陈化和紫外线照射数化,在优化条件下蚀刻后得到纳米孔径核孔膜。利用电化学沉积技术在核孔膜中制备了最小孔径为30纳米的铜纳米线。获得的钥纳米线/聚碳酸酯可以作为x光纳米光刻的腌膜。
关键词
X光
纳米结构
光刻
纳米线
掩模
核孔膜
电化学沉积
离子束制备法
高能重
离子
下载PDF
职称材料
题名
x光纳米光刻掩模的离子束制备法
被引量:
1
1
作者
韩勇
彭良强
巨新
伊福廷
张菊芳
吴自玉
机构
中国科学院高能物理所
出处
《微纳电子技术》
CAS
2002年第1期44-45,共2页
文摘
重离子束轰击聚碳酸酯后,对样品进行陈化和紫外线照射敏化,在优化条件下蚀刻后得到纳米孔径核孔膜。利用电化学沉积技术在核孔膜中制备了最小孔径为30纳米的铜纳米线。获得的铜纳米线/聚碳酸酯可以作为x光纳米光刻的掩模。
关键词
纳米光刻
纳米线
x光掩模
离子束制备法
Keywords
nano-lithography
nanowires
x-ray mask
分类号
TN405.7 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN405.985 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
X光纳米充刻掩模的离子束制备法
2
作者
韩勇
彭良强
巨新
伊福廷
张菊芳
吴自玉
机构
中国科学院高能物理所
出处
《Beijing Synchrotron Radiation Facility》
2001年第2期117-118,共2页
文摘
重离子柬轰击聚碳酸酯后.对样品进行陈化和紫外线照射数化,在优化条件下蚀刻后得到纳米孔径核孔膜。利用电化学沉积技术在核孔膜中制备了最小孔径为30纳米的铜纳米线。获得的钥纳米线/聚碳酸酯可以作为x光纳米光刻的腌膜。
关键词
X光
纳米结构
光刻
纳米线
掩模
核孔膜
电化学沉积
离子束制备法
高能重
离子
分类号
O571.33 [理学—粒子物理与原子核物理]
TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]
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作者
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被引量
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1
x光纳米光刻掩模的离子束制备法
韩勇
彭良强
巨新
伊福廷
张菊芳
吴自玉
《微纳电子技术》
CAS
2002
1
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职称材料
2
X光纳米充刻掩模的离子束制备法
韩勇
彭良强
巨新
伊福廷
张菊芳
吴自玉
《Beijing Synchrotron Radiation Facility》
2001
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