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离子束增强沉积技术 被引量：5
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作者 席仕伟 何锦涛 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 2002年第4期458-461,共4页
采用离子束增强沉积 (IBED)铜过渡层和电子束蒸镀铜膜结合制备的单质膜结构 ,比采用电子束蒸镀钛 铜多层膜结构工艺简单 ,且不增加光刻腐蚀工艺难度 ,铜膜沉积于低表面粗糙度 (Ry≤ 0 .1μm )的氧化铝陶瓷基片表面获得了良好的膜 基... 采用离子束增强沉积 (IBED)铜过渡层和电子束蒸镀铜膜结合制备的单质膜结构 ,比采用电子束蒸镀钛 铜多层膜结构工艺简单 ,且不增加光刻腐蚀工艺难度 ,铜膜沉积于低表面粗糙度 (Ry≤ 0 .1μm )的氧化铝陶瓷基片表面获得了良好的膜 基附着力。实验证明 展开更多
关键词 离子束增强沉积技术 铜膜 离子源 镀膜工艺 氧化铝陶瓷基片 界面附着力 结构
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