第10届离子束材料改性国际会议综述

离子束材料改性国际会议(IBMM)是离子束材料改性和离子束材料合成领域的重要国际会议之一,每两年举行一次。第10届离子束材料改性国际会议(IBMM-96)由美国Los Alamos国家实验室和Sandia国家实验室联合主办,于1996年9月1—6 日在美国新墨西哥州首府Al-buquerque举行。来自32个国家和地区的近300名专家和学者参加了会议。会议收到论文350余篇,其中中国代表4人,提交论文8篇。会议设有6个主题:离子与固体相互作用基础,模型、模拟及理论,光学、电子材料的离子束处理,金属、陶瓷和绝缘体的离子束合成和改性,用等离子体和低能离子束进行离子束合成和处理,应用。

第十七届离子束材料表面改性国际会议、第十一届等离子注入与沉积国际会议在哈工大举行

继第十一届等离子体离子注入与沉积国际会议（9月8—12）在哈工大举办之后，先进焊接与连接国家重点实验室又成功主办第十七届离子束材料表面改性国际会议（9月13—17）。大会主席为哈工大先进焊接与连接国家重点实验室副主任田修波教授。来自近20个国家和地区的160余位学者就离子束材料效应领域的前沿问题进行了深入的交流。

第十七届离子束材料表面改性国际会议在哈工大举行

由哈工大先进焊接与连接国家重点实验室主办的第十七届离子束材料表面改性国际会议于2011年9月14～17日在该校举行。来自近20个国家和地区的160余位学者就离子束材料效应领域的前沿问题进行了深入交流。

离子束与固体相互作用及材料改性研讨会纪要

在国家自然科学基金委数理学部和工程与材料学部的支持和参与下，来自全国的２２位曾承担过物理Ⅱ学科资助项目的专家聚集在武汉大学，就离子束材料学科领域的研究进展和未来发展进行了广泛和深入的讨论。我国从事该领域研究的主要单位和主要学术带头人基本上都出席了本次...

离子束金属材料的改性

1995年9月4—8日在西班牙圣塞瓦斯提安召开的第9届离子束金属材料改性国际会议,有来自32个国家的199人与会。会上发表论文199篇,内容涉及到离子注入、离子束增强薄膜淀积、离子束混合和注入的工业应用等方面。这次会议有几个显著的特点:直接注入仍是当前研究的主流,气体离子注入向金属离子注入方面发展;克服注入浅层问题,注入硬膜(硬Cc镀层,TiN,TiC膜等)被认为是新的研究方向;MEVVA金属离子注入、等离子体离子注入和高功率脉冲离子注入等新技术发展迅速;离子束增强薄膜淀积呈强劲发展势头;离子束混合技术仍受重视。会议的重点是下述几个专题。

离子束改善轴承（钢）材料表面特性研究

离子束材料表面改性技术，作为一门多学科相互渗透和交叉发展的边缘学科。由于具有独特的优点。在材料表面的优化处理方面有着广阔的发展前景。在这个领域中，国内、外的相关研究十分丰富。其工业化应用已经覆盖军事、民用等多个行业。

离子束研究和应用走上新台阶——我国成功举办SMMIB′99国际会议记述

第11届离子束材料表面改性国际会议(SMMIB’99),已于1999年9月19—24日在北京举行。来自世界各国的离子束研究专家、物理、化学、材料学家们,在优美、洁净的北京郊外——怀柔聚集一堂,就离子束的研究及应用交流了所取得的成果,讨论了未来的发展。 SMMIB是离子束领域中重要的国际系列会议之一,每两年举行一次。在总共由18名委员组成的国际委员会中,我国有2名委员,即李恒德院士和柳襄怀研究员。过去,SMMIB国际会议均在欧洲、美国和日本举行。1997年在美国田纳西举行的SMMIB’97国际会议上,经过激烈竞争,终于争取到了在我国举行SMMIB’99国际会议的主办权。这是第一次在中国举办SMMIB国际会议,又正值世纪之交,显得更有意义。 此次国际会议共有正式代表115人。

视线离子注入温度效应

离子束材料表面改性有着许多优点，不仅注入离子可以任意选取，且注入或添加元素时样品的温度不受限制。在离子注入过程中，温升效应主要来自于入射离子的能量传递，其作用对化合物的形成、增强混合和增强扩散有着显著效果，促进化合物形成和相析出，在材料表面强化处理方面有着独特的意义。

离子束科学与技术的发展及前景——代前言

离子束科学与技术的发展及前景———代前言柳襄怀杨根庆邹世昌（中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室上海２０００５０）离子束材料表面改性和合成是一门由核物理、材料科学、凝聚态物理、微电子等学科交叉而发展起来的边缘学科。它的兴起和发展为新材料合成以...

离子注入技术在光解水电极材料改性中的应用

半导体光催化分解水制氢是一种装置简单,相对廉价可靠的能源利用方式.开发具有高光制氢效率的光电极材料一直是材料科学研究领域的热点.目前的半导体光催化材料普遍面临缺乏可见光吸收和载流子分离效率低的问题.这些问题导致目前光解水制氢电极材料的效率较低,达不到商业应用的要求.因此,发展改性的光电极材料尤为重要.离子注入技术作为一种重要的半导体改性技术,相对于传统的化学掺杂方法具有诸多优点.离子注入方法能够保证注入离子的纯度,能够通过控制注入离子的能量和剂量从而控制注入杂质的浓度和深度分布.离子注入技术可以使掺杂不受扩散系数和化学结合力等因素的限制,各种元素均可掺杂.因此,离子注入技术在光电极材料改性方面具有很大的应用前景.本文首先介绍了光解水制氢及离子注入技术的基本原理,然后结合本课题组及其他学者的工作,综述了目前离子注入技术改性光电极材料的特点和研究进展,最后展望了离子注入技术在光解水电极改性应用的未来发展方向.

Respondence of Sample Temperature during Straight-Line Ion Implantation

There are many advantages of material surface modification by ion beam, such as the ions are selected freely and the temperature of specimens is unconfined during the process of implantation. Due to the conduction of energy provided by the implanted ions,it will bring about the respondence of sample temperature which promotes the compound to form, integrate and diffuse efficiently.

北京大学静电加速器及其应用

加速器在核物理、材料科学、考古等领域都有着广泛应用.北京大学在20世纪90年代左右有3台静电加速器投入运行,分别是1.7 MV串列静电加速器、4.5 MV单级静电加速器和6 MV串列静电加速器.1.7 MV串列静电加速器配备有高频电荷交换负离子源和铯溅射负离子源,可引出从H到Au之间大部分元素的离子,离子能量从几百keV到若干MeV,主要开展室温及高温离子辐照实验、背散射和沟道分析等离子束分析工作.近年,利用离子辐照束线在核材料研究等方面取得了许多重要科研成果.4.5 MV静电加速器端电压在0.7~3.8 MV连续可调,主要加速氢/氦同位素离子,并可通过辐照靶材料产生准单能直流/脉冲中子场.该中子场主要应用于(n,α)核反应截面的测量.近年,基于4.5 MV静电加速器建立了综合离子束分析系统,可进行卢瑟福背散射、核反应分析和粒子诱发X射线分析3种离子束分析方法的综合应用.利用该方法,对Fe合金样品中杂质元素的含量和部分元素的深度分布进行了测量.6 MV EN串列加速器是牛津大学赠于北京大学,为许多基础和应用研究提供了支持,其主要用于加速器质谱、离子辐照以及离子束分析工作,也可以用来对探测器进行刻度.随着现代离子束分析技术和多束离子辐照装置的发展,3台加速器将为科研提供更好的技术支持.