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在Si基体上外延生长Si—Ge薄膜的离子束气相沉积技术
1
作者
民众
《等离子体应用技术快报》
1997年第9期4-5,共2页
关键词
硅基体
硅
锗
薄膜
离子束气相沉积
半导体
下载PDF
职称材料
题名
在Si基体上外延生长Si—Ge薄膜的离子束气相沉积技术
1
作者
民众
出处
《等离子体应用技术快报》
1997年第9期4-5,共2页
关键词
硅基体
硅
锗
薄膜
离子束气相沉积
半导体
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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1
在Si基体上外延生长Si—Ge薄膜的离子束气相沉积技术
民众
《等离子体应用技术快报》
1997
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