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GaN的补偿度与离子束沟道最小产额比的关系的研究 被引量:4
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作者 姚冬敏 王立 +2 位作者 熊传兵 彭学新 江风益 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期109-114,共6页
用RBS/沟道技术对MOCVD生长的未故意掺杂的GaN的结构性能进行了测试,同时用霍耳方法测试了样品的电学性能。结果表明:GaN薄膜的背散射沟道谱与随机谱之比Xmin和其补偿度存在一定的依赖关系。补偿度小的样品,其X... 用RBS/沟道技术对MOCVD生长的未故意掺杂的GaN的结构性能进行了测试,同时用霍耳方法测试了样品的电学性能。结果表明:GaN薄膜的背散射沟道谱与随机谱之比Xmin和其补偿度存在一定的依赖关系。补偿度小的样品,其Xmin小;随着样品补偿度的增大,Xmin也逐渐增大;但它们之间的关系变化是非线性的。对这些结果给予了一定的解释。 展开更多
关键词 氮化缘 离子束沟道 补偿度
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