离子束淀积方法制备GdSi_2薄膜

采用离子束淀积方法制备了单相 Gd Si2 薄膜 .用俄歇电子谱仪对样品的成分进行了分析 ,用 X射线衍射方法分析了样品的结构 ,并用扫描电子显微镜观察了样品的表面形貌 .X射线衍射分析发现在 4 0 0℃沉积的样品中仅存在正交的 Gd Si2 相 .样品在氩气氛中 35 0℃ ,30 m in退火处理后 ,Gd Si2 相衍射峰的半高宽变窄 ,说明经过退火处理 ,Gd Si2

图形衬底上硅区双离子束选择淀积Co研究

本文报道了利用质量分离低能双离子束淀积法在硅氧化硅图形衬底上采用不同的工艺条件淀积钴（Ｃｏ）离子，并生长硅化钴薄膜．扫描俄歇微探针（ＳＡＭ）和Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）测量结果表明，只在纯硅区探测到了硅化钴；而氧化硅区始终未见有钴的迹象．很好地实现了在图形衬底上钴离子的选择淀积和硅化钴薄膜的选择生长．

氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的研究

利用 X 射线衍射(XRD),X 射线摇摆曲线(XRC)和 X 射线光电子能谱(XPS)分析方法对氧离子束辅助激光淀积生长的 ZnO/Si 异质结薄膜进行了分析。结果表明:用该法可生长出高度 c 轴单一取向 ZnO 薄膜,XRC 的半高宽度(FWHM)仅为2.918°。表明此生长方法经优化,可生长出单晶质量很好的 ZnO/Si 薄膜。

X光电子能谱研究氧离子束辅助PLD共淀积ZnO薄膜

在ZnO的XPS分析中,ZnLMM俄歇峰能很好地指认氧化锌淀积膜中Zn的价态,结合O1s光电子峰的分析,可表征ZnO中缺氧程度。通过XPS的对比实验,表明采用氧(O)离子辅助PLD共淀积ZnO薄膜,能明显改善淀积ZnO膜的缺氧问题,降低薄膜层中的孔隙率,提高淀积ZnO薄膜质量。XPS深度剖析结果还表明采用O离子辅助PLD共淀积后膜层中Zn的氧化组分和孔隙率随深度变化平缓。

氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的椭偏仪及背散射研究

通过对ZnO/Si(Ⅲ)样品的椭偏仪及背散射(RBS)测量及分析,探究了氧离子束辅助(O+-assisted)脉冲激光淀积(PLD)生长ZnO/Si的薄膜厚度。

离子束增强沉积TiB_2薄膜的耐蚀性能研究

研究了在紫铜基材上用离子束增强沉积法（ＩＢＥＤ）沉积ＴｉＢ２薄膜后，在６００，７００和８００℃的空气中氧化的动力学曲线；在ＩＮＨ２ＳＯ４溶液中，用动电位扫描法测定了其极化曲线和极化阻力，用ＳＥＭ观察了其形貌，用俄歇电子谱仪（ＡＥＳ）分析了膜的成份，用Ｘ－射线衍射仪（ＸＲＤ）研究了膜的微观结构；讨论了ＴｉＢ２薄膜具有优良耐蚀性的机理。

宽束冷阴极离子源及其应用

本文介绍一种新研制的用于离子束辅助淀积薄膜的宽束冷阴积离子源,与目前国内外普遍采用的考夫曼(Kaufman)型热阴极离子源相比,它具有寿命长,无污染,结构简单,所需供电电源少,操作方便等优点。实验结果证明,用宽束冷阴极离子源进行离子束辅助淀积所得 Zns 膜层强度超过国标规定的10倍,G|AlSIO_x|A膜层强度超过国标规定的8倍。该离子源有广泛的应用前景。

多阳极束形可变的冷阴极离子源的放电特性的研究

研制了新型多阳极永磁冷阴极离子源，它可用于低能离子束辅助淀积、离子束刻蚀和离子束表面改性等领域。该新型离子源具有引出束形状、密度分布易于改变管制的优点，从而能预期离子束轰击靶面上的密度分布。本文研究了几种多阳极结构，其单元阳极为矩形或圆形。论述了子阳极几何形状及它们的布局对放电的影响，阐明了放电特性与气压、磁场和阳极纵宽比的关系。文中特别讨论了子阳极间沟道的作用。

用离子束溅射淀积的氧化物薄膜的折射率

介绍了用于波长为 15 5 0nm光通讯波分复用 /解复用滤光片的离子束溅射的Ta2 O5和SiO2 薄膜在法里珀罗多层膜中的折射率的实时拟合方法及拟合结果 ,给出了它们的淀积时间、淀积速率和计算的光学厚度 。

离子束辅助淀积低温微光学元件红外宽带增透膜

简要叙述了锗基片微光学元件红外宽带减反膜的设计与制作。着重介绍了离子束辅助淀积制备该膜系的过程，给出了用该方法制作８～１２μｍ波段的减反膜的测试曲线，它具有峰值透过率高，在设计波长范围内的平均透过率大于９７％以上，膜层附着好，可以切割和擦洗，可以在室温和１００Ｋ低温下反复循环使用。

电子能谱研究生长高质量CeO_2/Si异质结

用低能双离子束淀积技术，在清洁的Si衬底上外延生长出了CeO2／Si异质结构。利用俄歇电子能谱、X射线光电子能谱的深度剖析技术对此类样品进行了测量分析。结果表明，样品界面清晰、陡峭，无氧化硅生成，这反映了外延层与Si衬底间过渡区很窄；外延层内组成元素Ce，O分布均匀，为正化学比CeO2相。原生样品经高温退火后，界面出现了氧化硅层，且过渡层增厚。最后讨论了有关影响CeO2／Si外延生长质量的因素，可认为高质量CeO2／Si结构生长的关键主要依赖于生长初期Si衬底表面不受氧化污染。为此，在IBD生长时，采取了一系列技术措施，得到了满意的结果。

一种制备氧化钒薄膜的新工艺

采用两步法工艺,即先在衬底上溅射一层金属钒膜,再对其进行氧化的方法,在硅和氮化硅衬底上制备了高电阻温度系数的混合相VOx多晶薄膜。电学测试结果表明:厚度为50nm的氧化钒薄膜的方块电阻和电阻温度系数(TCR)在室温时分别达到50kΩ和0.021K-1。

IBAD技术的开发

IBAD(离子束辅助淀积)是一种很有潜力的材料表面改性和优质薄膜合成技术。本文在论述它在薄膜科学研究中的特点和应用基础上,提出了IBAD技术的开发方向,给出了利用IBAD—PVD复合镀膜技术进行异质材料界面设计和利用IBAD—PVD复合淀积多层膜技术进行CoSi_2薄膜合成的研究实例。这些研究为合成满足需要的优质薄膜提出了优化的技术路线。

橡树岭的表面改性中心

【美国《橡树岭国家实验室评论》1992年第25卷第2页第129页报道】橡树岭国家实验室的表面改性和性质表征合作研究中心(SMAC)的研究人员,专门从事将离子束打入或打后附着在各种各样靶的表面,以改变这些材料的物理性质。进行离子束处理目的,是产生或加强材料的特定表面性质,例如硬度、导电性。

PMMA镀减反射膜的研制

通过对PMMA光学塑料红、绿、蓝三种光减反射膜的设计和制备 ,研究了这种材料的真空镀膜技术 ,对制备的膜层进行了光谱、牢固性和防水性能的测试 ,并给出了其中一些实验结果。最后进行了简短的分析 ,对进一步提高薄膜质量提出了改进方法。

本刊特邀编委介绍(三)

卢道明，男，教授。1968年台湾成昆大学理学士，1971年乌司特综合工业大学理硕土，1976年威斯康星大学哲学博士。目前任美国罗斯利尔综合工业大学教授、系主任。从事研究不良表面、覆盖层和动态生长面的衍射；表面、界面和薄膜序列；低温薄膜的离子束／局部离子束淀积；微电子和光子应用金属、陶瓷和聚合薄膜的生长及表征。1986年获得罗斯利尔早期发展奖，1988年获得半导体研究公司（SRC）发明奖，1993年获得利罗斯利尔集成电子专科奖；1994年为纽约科学院成员和美国物理协会成员，1995年为美国真空协会成员。曾编辑、出版书刊，发表230篇技术论文，3项专利，130场次全国。

MoS_x FILMS DEPOSITED ON DIFFERENT MATRIXES BY ION BEAM TECHNIQUE

MoSx (x = 1.79 ￣ 2.34) films of 200 nm thickness are deposited onto brass and C20 steel substrates by the ion beam assisted technique, respectively. Structures and compositions of these films, and changes in valence states of the Mo element are examined by XRD and XPS before and after wear. The lubrication properties and wear resistances for two kinds of samples are evaluated using a pin-on-disk installation in atmosphere at the room temperature. Tribo-wear behaviours and the microstructures between two kinds of samples exhibit obvious differences.