加热去氩处理工艺对离子束混合沉积的C-SiC涂层阻氢性能的影响

利用Ar^+离子束混合技术在不锈钢基体上沉积C-SiC涂层,然后对部分样品进行加热去氩处理(400℃,30min),再用5keV氢离子源辐照样品。通过扫描电镜(SEM)的表面形貌观察、二次离子质谱仪(SIMS)的H与Ar元素深度分布和正离子质谱分析,研究去氩处理对氢离子辐照的C-SiC涂层的形貌和阻氢性能的影响。结果表明,经去氩处理,样品中不锈钢基体内的氢浓度降低了80%,显示出去氩处理的C-SiC涂层具有更高的阻氢性能。研究结果将为该技术应用于不锈钢基体上C-SiC涂层制备工艺的进一步改善提供依据。