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加热去氩处理工艺对离子束混合沉积的C-SiC涂层阻氢性能的影响
被引量:
1
1
作者
任丁
张瑞谦
+3 位作者
黄宁康
曾俊辉
杜良
张东
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第5期586-590,共5页
利用Ar^+离子束混合技术在不锈钢基体上沉积C-SiC涂层,然后对部分样品进行加热去氩处理(400℃,30min),再用5keV氢离子源辐照样品。通过扫描电镜(SEM)的表面形貌观察、二次离子质谱仪(SIMS)的H与Ar元素深度分布和正离子质谱分析,研究去...
利用Ar^+离子束混合技术在不锈钢基体上沉积C-SiC涂层,然后对部分样品进行加热去氩处理(400℃,30min),再用5keV氢离子源辐照样品。通过扫描电镜(SEM)的表面形貌观察、二次离子质谱仪(SIMS)的H与Ar元素深度分布和正离子质谱分析,研究去氩处理对氢离子辐照的C-SiC涂层的形貌和阻氢性能的影响。结果表明,经去氩处理,样品中不锈钢基体内的氢浓度降低了80%,显示出去氩处理的C-SiC涂层具有更高的阻氢性能。研究结果将为该技术应用于不锈钢基体上C-SiC涂层制备工艺的进一步改善提供依据。
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关键词
C-SiC涂层
离子束混合沉积
阻氢
扫描电镜
二次
离子
质谱
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职称材料
题名
加热去氩处理工艺对离子束混合沉积的C-SiC涂层阻氢性能的影响
被引量:
1
1
作者
任丁
张瑞谦
黄宁康
曾俊辉
杜良
张东
机构
四川大学原子核科学技术研究所教育部辐射物理和技术重点实验室
中国工程物理研究院核物理与化学研究所
出处
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第5期586-590,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(59781002)
中国工程物理研究院基金资助项目
四川大学协作项目
文摘
利用Ar^+离子束混合技术在不锈钢基体上沉积C-SiC涂层,然后对部分样品进行加热去氩处理(400℃,30min),再用5keV氢离子源辐照样品。通过扫描电镜(SEM)的表面形貌观察、二次离子质谱仪(SIMS)的H与Ar元素深度分布和正离子质谱分析,研究去氩处理对氢离子辐照的C-SiC涂层的形貌和阻氢性能的影响。结果表明,经去氩处理,样品中不锈钢基体内的氢浓度降低了80%,显示出去氩处理的C-SiC涂层具有更高的阻氢性能。研究结果将为该技术应用于不锈钢基体上C-SiC涂层制备工艺的进一步改善提供依据。
关键词
C-SiC涂层
离子束混合沉积
阻氢
扫描电镜
二次
离子
质谱
Keywords
C-SiC films
ion beam mixing
hydrogen resistance
scanning electron microscope
secondary ion mass spectrometry
分类号
TL93 [核科学技术—辐射防护及环境保护]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
加热去氩处理工艺对离子束混合沉积的C-SiC涂层阻氢性能的影响
任丁
张瑞谦
黄宁康
曾俊辉
杜良
张东
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
1
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职称材料
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