离子束溅射法在PET基防水透湿织物制造中的应用

利用离子束溅射法制备了防水透湿织物 ,发现溅射后织物的憎水性明显提高且随溅射能量的增大而增大 ,而束流密度对憎水性的影响呈复杂变化 ,织物原有的透湿性几乎没有改变。

双离子束溅射法制备铁氮薄膜

使用双离子束溅射法制得了铁氮薄膜 ,随着基片温度的变化 ,薄膜的成分是ε Fe2～ 3N、γ′ Fe4 N或是二相的混合物 ,薄膜的晶粒尺寸随基片温度的升高而增大。以振动样品磁强计(VSM)测定了薄膜的磁性能。另外 ,研究了在基片温度为 16 0℃时 ,改变主源中通入N2

离子束溅射法制备非晶态和晶态Ti-Nj贮氢薄膜合金

粉末贮氢合金作为一种功能材料在许多领域已有广泛应用。而薄膜贮氢合金是80年代国外新开发的功能材料。目前国外制备薄膜贮氢合金的方法主要有热蒸发法(包括闪蒸)和磁控溅射法。最近我们采用一种新颖的制备方法——离子束溅射法研制非晶态、晶态Ti-Ni薄膜合金。

离子束溅射法制备YBa_(2)Cu_(3)O_(7-x)超导薄膜

采用 YBa_2Cu_3O_(7-x)靶材,用离子束溅射法在多种衬底上得到了接近化学计量的YBa_2Cu_3O_(7-x)单相超导薄膜。

双离子束溅射淀积DLC膜的结构分析

用双离子束溅射法在５０℃以下的基底上淀积了类金刚石（ＤＬＣ）膜。对ＤＬＣ膜采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜及拉曼谱仪进行了结构分析。通过对扫描电子显微镜观察，发现在ＤＬＣ膜中存在金刚石微晶。通过透射电子显微镜分析，确定金刚石微晶具有面心立方结构，计算出的晶格常数与标准值基本相同。通过拉曼光谱分析后，进一步验证了薄膜中金刚石微晶的存在并得出了膜中ＳＰ３Ｃ－Ｃ键所占的比例。

双离子束溅射Al_(2)O_(3)高温绝缘薄膜的氧分压研究

采用双离子束溅射沉积法(DIBSD)制备了用作高温绝缘层的Al_(2)O_(3)薄膜,分析了所制备Al_(2)O_(3)薄膜的表面和截面形貌,研究了溅射氧分压对薄膜氧铝元素比的影响,并进一步探讨了氧铝元素比对Al_(2)O_(3)薄膜高温绝缘性能的影响。研究结果表明:双离子束溅射沉积法制备的Al_(2)O_(3)薄膜表面平整度高,粗糙度约为2.86 nm,截面形貌致密,没有微裂纹、空隙等缺陷;溅射氧分压的提高可以增加所制备Al_(2)O_(3)薄膜的氧铝元素比例,18%溅射氧分压下制备的Al_(2)O_(3)薄膜O∶Al约为1.44,接近Al_(2)O_(3)化合物的元素比;18%氧分压溅射的Al_(2)O_(3)薄膜,在1000℃具有6.5 MΩ的绝缘电阻值,高温绝缘性能良好。

软X射线激光用分束镜研究

软X射线干涉测量是通过软X射线激光经过马赫-詹德干涉仪完成的，是测量驱动激光临界面附近等离子体状态的重要方法。本文基于软X射线多层膜的性能特点，指出软X射线干涉测量的干涉仪各光学元件的入射角越接近正入射越好，分束镜的设计应以其反射率和透过率的乘积为衡量标准。用离子束溅射法制作了类镍银13．9nm软X射线激光干涉测量所需的分束镜，实测表明其面形精度达到纳米量级，反射率和透过率乘积大于1．6％。

氮化碳薄膜的制备及研究现状

氮化碳具有良好的物理、化学性质和广泛的应用前景。目前主要采用化学气相沉积法、离子束溅射法、激光等离子体沉积和激光烧蚀、离子镀、离子注入法等制备方法。文中对氮化碳的结构、性质、制备、性能表征以及研究现状进行了比较详细的介绍。

基片温度对Fe-N化合物薄膜制备及磁性能的影响

用X射线衍射仪和振动样品磁强计研究了双离子束溅射法制备的Fe-N薄膜的相组成和磁性能。结果表明 ,基片温度对不同基片上制得的薄膜的结构和磁性能有显著影响。基片温度为250℃和300℃时 ,在 (111)硅片基片上制得无晶粒择优取向的单一γ′-Fe4N相 ;基片温度为160℃时 ,可在玻璃基片上制得具有 (100)面晶粒取向的单一γ′-Fe4N相薄膜。薄膜磁性测量表明 ,与无晶粒择优取向的γ′-Fe4N相比较 ,具有 (100)面晶粒取向的γ′-Fe4N相的矫顽力较低 ,易达到磁饱和 。

α-SiO_x∶C薄膜的结构与发光特性研究

采用双离子束共溅射法制备了SiOx∶C薄膜。对样品的XRD和TEM测试结果表明薄膜为非晶结构 ;PL谱图显示有两个发光峰分别位于 4 2 0nm(紫光 )、4 70nm(蓝绿光 )处 ;4 70nm处的发光峰位来自于硅基薄膜中富硅引起的中性氧空位缺陷 (O3 Si- SiO3 ) ,是由与氧原子配位的二价硅的单态以及三态 单态之间的跃迁所致 ,而与掺碳无关。进一步的XPS测试分析表明 ,4 2 0nm处的PL峰位可能来自于Si、C。

温度对非晶SiO_x薄膜的光致发光特性的影响

采用双离子束共溅射法制备的SiOx 薄膜为非晶结构 ,在室温下观察到了可见光致发光 (PL)现象 ,探测到样品有四个PL峰 ,它们的峰位分别为～ 32 0nm ,～ 4 10nm ,～5 6 0nm和～ 6 30nm ,且峰位和峰强随温度 (基片温度Ts 和退火温度Ta)的变化而发生变化 。

Monte Carlo simulation for the sputtering yield of Si_3N_4 thin film milled by focused ion beams

The sputtering yield of the Si3N4 thin film is calculated by Monte Carlo method with different parameters. The dependences of the sputtering yield on the incident ion energy, the incident angle and the number of Gallium （Ga） and Arsenic （As） ions are predicted. The abnormal sputtering yield for As at 90 keV occurs when the incident angle reaches the range between 82° and 84°.

软X射线激光用分束镜研制

软X射线干涉测量是通过软X射线激光经过Mach-zehnder干涉仪完成的,是测量临界面附近等离子体状态的重要方法。基于软X射线多层膜的性能特点,指出软X射线干涉测量的干涉仪各光学元件的入射角越接近正入射越好,分束镜的设计应以其反射率和透过率的乘积为衡量标准。用离子束溅射法制作了类镍银13.9 nm软X射线激光干涉测量所需的分束镜,实测表明其面形精度达到纳米量级,反射率和透过率乘积大于1.6％。

[（Nd2Fe14B）x／M]n多层膜的组织及磁性能

通过离子束溅射法可制备[（Nd2Fe14B）x／M]n（M=Nb或Cr）多层膜（X表示厚度，n为层数，M为Nb或Cr）。台湾的Jai—Lin Tsai等人研究了隔离层（spacer layer）的作用及对薄膜的组织和性能的影响。