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离子束缺陷工程与离子注入激活率的提高
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作者 卢武星 刘洁 J.R.Liefting 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1997年第4期487-491,共5页
研究了运用离子束缺陷工程提高离子注入Si中掺杂激活率的新方法．MeV高能Si注入被有效地用于防止缺陷（损伤）层对P激活的有害影响，大大提高了掺杂杂质的平均激活水平．
关键词 离子束缺陷工程 掺杂 激活率 离子注入
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