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离子束诱导电荷显微术的现状与发展趋势 被引量:1
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作者 陆荣荣 裘惠源 朱德彰 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第8期591-596,共6页
离子束诱导电荷显微术 (IBIC)是核子微探针显微成像技术的又一新发展 ,它具有低束流(fA量级 )、高效率的特点 ,已被广泛应用于半导体材料和微电子材料研究中。本文简述了离子束诱导电荷显微术 (IBIC)的原理和实验方法 ,综述了IBIC研究... 离子束诱导电荷显微术 (IBIC)是核子微探针显微成像技术的又一新发展 ,它具有低束流(fA量级 )、高效率的特点 ,已被广泛应用于半导体材料和微电子材料研究中。本文简述了离子束诱导电荷显微术 (IBIC)的原理和实验方法 ,综述了IBIC研究的现状和进展。 展开更多
关键词 发展趋势 核子微探针 离子束诱导电荷显微术 原理 实验方法学 应用 微电子学
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离子束诱导转型成结的碲镉汞光伏器件 被引量:5
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作者 贾嘉 《红外》 CAS 2003年第8期1-9,共9页
离子束诱导转型成结技术是一种可以获得高质量p-n结的新型成结方法,它克服了传统碲镉汞(MCT)离子注入成结工艺中钝化层有损伤的弊病,且工艺相对简单,有希望成为碲镉汞红外焦平面器件的新一代成结技术。本文介绍了以环孔工艺和氢化技术... 离子束诱导转型成结技术是一种可以获得高质量p-n结的新型成结方法,它克服了传统碲镉汞(MCT)离子注入成结工艺中钝化层有损伤的弊病,且工艺相对简单,有希望成为碲镉汞红外焦平面器件的新一代成结技术。本文介绍了以环孔工艺和氢化技术为代表的常规离子束刻蚀(Ion Beam Milling)及以H_2/CH_4为代表的反应离子束刻蚀(Reactive Ion Etching)两大类离子束诱导转型(Plasma induced type conversion)成结技术的基本原理、特点及其工艺过程。并以反应离子束刻蚀(RIE)为例,列举了现有报道的典型器件性能。同时还把离子束诱导与离子注入工艺在各方面作了比较。 展开更多
关键词 离子束诱导转型成结 碲镉汞光伏器件 红外探测器 碲镉汞红外焦平面器件 环孔工艺 氢化技术 离子刻蚀
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离子束诱导碳圆锥室温生长锥角的可控性研究
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作者 李勤涛 倪志春 +3 位作者 杨树敏 巩金龙 朱德彰 朱志远 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第11期956-960,共5页
采用荷能Ar^+束室温倾角溅射石墨的方法制备可控锥角的碳纳米纤维/圆锥结构。扫描电子显微镜结果表明样品表面产生的圆锥密度达1×10~9—1×10^(10)·cm^(-2),沿离子束方向排列,且在每个圆锥上都有碳纳米纤维长出。随着入... 采用荷能Ar^+束室温倾角溅射石墨的方法制备可控锥角的碳纳米纤维/圆锥结构。扫描电子显微镜结果表明样品表面产生的圆锥密度达1×10~9—1×10^(10)·cm^(-2),沿离子束方向排列,且在每个圆锥上都有碳纳米纤维长出。随着入射倾角由30°增大到60°,碳圆锥的锥角从33°降到20°、长径比从250nm/150nm增大到1200nm/400 nm。随着入射角度的增加,离子束诱导的表面原子有效扩散系数减小和溅射速率增大是碳圆锥的长径比增大、碳圆锥的锥角减小及其密度增加的原因。随着离子束流强度由200μA·cm^(-2)增加到800μA·cm^(-2),碳圆锥的锥角从90°降到20°、碳圆锥的高度从100nm增加到1200nm。相同时间内,随束流强度的增大,碳圆锥表面单位面积内离子的注入剂量增大,导致溅射出来的碳原子数目增多。这是随离子束流强度增大形成碳圆锥的锥角变小且高度增加的原因。 展开更多
关键词 碳圆锥 锥角 离子束诱导
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离子束诱导小偃81突变系麦谷蛋白和醇溶蛋白遗传变异分析
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作者 石立旗 焦浈 +1 位作者 张鲁军 秦广雍 《麦类作物学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期1029-1033,共5页
为给离子束诱变技术在小麦品质育种方面的应用提供理论依据,以N^+(30Kev)注入诱导获得的小偃81突变系M_4代种子为材料,采用SDS-PAGE和A-PAGE技术对其高分子量麦谷蛋白亚基和醇溶蛋白进行系统分析。结果表明,在供试材料中,检测到3个高分... 为给离子束诱变技术在小麦品质育种方面的应用提供理论依据,以N^+(30Kev)注入诱导获得的小偃81突变系M_4代种子为材料,采用SDS-PAGE和A-PAGE技术对其高分子量麦谷蛋白亚基和醇溶蛋白进行系统分析。结果表明,在供试材料中,检测到3个高分子量麦谷蛋白亚基缺失系:1Ax1缺失系、1Bx14+1By15缺失系和1Dx2+1Dy12缺失系,出现频率由大到小依次为1Ax1>1Bx14+1By15>1Dx2+1Dy12。检测到5种醇溶蛋白变异类型,其中,1Ax1缺失系有3种突变类型,1Bx14+1By15缺失系和1Dx2+1Dy12缺失系各有1种突变类型,ω区变异类型最多,其次是α和γ区,β区没有发现变异类型,在5种变异类型中有一条相同的变异谱带。以上结果说明,N^+离子束注入能有效地诱导小麦种子高分子量谷蛋白亚基和醇溶蛋白的变异,并能够在后代中稳定遗传。 展开更多
关键词 小麦 离子束诱导 高分子量麦谷蛋白 醇溶蛋白
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CVD金刚石微剂量仪的辐射优化研究 被引量:2
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作者 陆荣荣 裘惠源 +2 位作者 姜达 李晓林 朱节清 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期207-211,共5页
金刚石材料具有大的能带间隙、快的电荷收集和低的介电常数等,在较恶劣的实验环境下(如对于超大规模的强子对撞机和同步辐射加速器进行近距离、高辐射条件下的信号探测),有望成为常规的硅、砷化镓等探测器的替代品。为了改进金刚石探测... 金刚石材料具有大的能带间隙、快的电荷收集和低的介电常数等,在较恶劣的实验环境下(如对于超大规模的强子对撞机和同步辐射加速器进行近距离、高辐射条件下的信号探测),有望成为常规的硅、砷化镓等探测器的替代品。为了改进金刚石探测器的性能,本文采用5MeV质子对CVD金刚石微剂量仪进行了辐照,并采用侧向微束离子诱导电荷(IBIC)技术分析研究其性能。实验发现:①经46 Gy质子辐照后金刚石探测器的收集效率得到了很大的改善;②收集效率和计数的均匀性也得到了提高,尤其是计数的均匀性,在窄条宽很小情况下其均匀性已达95%以上。可见用质子辐照CVD金刚石是提高其性能的有效途径之一。 展开更多
关键词 CVD金刚石微剂量仪 收集效率 侧向微离子诱导电荷 半导体 金刚石薄膜 化学气相沉积 辐射优化
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Evidence for Base Substitutions and Repair of DNA Mismatch Damage Induced by Low Energy N^+ Ion Beam Implantation in E. coli
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作者 谢传晓 Guo +6 位作者 Jinhua Yao Jianmin Wu Lijun Yu Zengliang 《High Technology Letters》 EI CAS 2003年第2期1-6,共6页
Ever since the low energy N + ion beam has been accepted, the mutations of ionizing radiation are attributable mainly to avoidance of DNA damages repair. Evidences based on in vivo proof results are limited. Using the... Ever since the low energy N + ion beam has been accepted, the mutations of ionizing radiation are attributable mainly to avoidance of DNA damages repair. Evidences based on in vivo proof results are limited. Using the E.coli wild type and mutator strains, the mutant frequencies suggest that base substitutions in rpoB gene are induced by the N + implantation. A highly conserved region is selected to get the direct evidence for base substitutions by sequence of the high fidelity PCR amplification products in mutants. Most of the mutants (90.9%, 40/44) have at least one base substitution in the amplification region. The evidences for CG to TA (55%, 22/40), AT to GC (20%, 8/40) and TA to CG (5%, 2/40) transitions are identified. The transversions are AT to TA (15%, 6/40) and GC to CG (5%, 2/40). It is suggested that DNA cytosine methylase might play an important role in mismatch repair of DNA damage induced by N + implantation by analysis of the mutant frequencies of mutator strains. 展开更多
关键词 low energy N + ion beam base substitutions mismatch repair mutator strains
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