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源极跟随器离子注入工艺对RTS噪声影响分析
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作者 王玮 《光电子》 2024年第2期19-24,共6页
随机电报信号(Random Telegraph Signal, RTS)噪声是影响CMOS图像传感器图像质量的主要因素之一。伴随着集成电路制造工艺技术的高速发展,源极跟随器(Source Follower, SF)晶体管栅极尺寸不断缩小,使得对RTS噪声影响也愈发增大。文章研... 随机电报信号(Random Telegraph Signal, RTS)噪声是影响CMOS图像传感器图像质量的主要因素之一。伴随着集成电路制造工艺技术的高速发展,源极跟随器(Source Follower, SF)晶体管栅极尺寸不断缩小,使得对RTS噪声影响也愈发增大。文章研究了不同源极跟随器离子注入工艺对RTS噪声的影响,通过工艺优化后,可获得最佳的RTS噪声改善效果。 展开更多
关键词 随机电报信号噪声 源极跟随器 离子注入工艺 工艺优化
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全离子注入NPN型偶载场效应晶体管的离子注入工艺研究
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作者 于理科 郭慧民 +2 位作者 任永玲 李国辉 姬成周 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期320-324,共5页
通过trim软件和高斯模型对离子注入后快速退火载流子分布进行设计 ,初步构造出离子注入的分布图像 ,通过与实验结果比较 ,进一步完善模型 .选用高斯与半高斯混合模型 ,得到了与实验结果更吻合的模拟方案 .从而找到了研制NPN型偶载场效... 通过trim软件和高斯模型对离子注入后快速退火载流子分布进行设计 ,初步构造出离子注入的分布图像 ,通过与实验结果比较 ,进一步完善模型 .选用高斯与半高斯混合模型 ,得到了与实验结果更吻合的模拟方案 .从而找到了研制NPN型偶载场效应晶体管 (VDCFET)离子注入的最佳条件 ,并研制了性能良好的VDCFET . 展开更多
关键词 NPN型偶载场效应晶体管 离子注入工艺 VDCFET 离子注入射程分布理论 高斯模型 混合模型
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B^+、As^+离子注入工艺模拟模型的比较
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作者 庞海舟 阮刚 +2 位作者 杨文清 郑国祥 曹永明 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 1999年第6期407-412,共6页
对离子注入分布杂质浓度模拟的不同模型进行了简短的回顾,介绍了在Suprem Ⅳ中采用的双Pearson 分布模型。通过对B+ 及As+ 在不同剂量和能量下对硅中的注入,采用SIMS进行浓度分布测试,对双Pearson
关键词 半导体器件 离子注入工艺 B^+ As^+
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离子注入工艺简介
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作者 蔡宁 张伯昌 《集成电路应用》 2002年第6期71-72,共2页
关键词 离子注入工艺 沟道掺杂 井区掺杂 多晶硅注入 源漏区注入
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离子注入工艺简介
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作者 蔡宁 张伯昌 《集成电路应用》 2002年第9期71-72,共2页
在过去的三十多年中,CMOS工艺的发展极大地推动了离子注入工艺的发展。反言之,离子注入工艺的不断成熟进一步改善了半导体产品的质量,尤其是CMOS产品的性能,当线宽进入亚微米后,离子注入在整个半导体生产中更成了不可或缺的一部分。
关键词 离子注入工艺 CMOS工艺 半导体 产品质量 阈值电压调节注入工艺 吸取注入工艺
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用离子注入工艺进行表面改性
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作者 宋忠烈 《国外产品与技术》 1992年第4期17-19,共3页
关键词 离子注入工艺 表面改性
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钒离子注入改进Pilkington自洁玻璃材料的亲水性研究 被引量:4
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作者 刘欣 唐振方 +2 位作者 叶勤 吴奎 张楠 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期137-139,共3页
ActivTM玻璃是Pilkington公司推出的具有优异光催化性能和光致亲水性的自洁防雾玻璃,是近几年发展起来的新型建筑材料。其表面的Ti O2薄膜的光催化性和亲水性性能都很稳定,但亲水性的光致响应时间较长。采用钒离子注入工艺对ActivTM玻... ActivTM玻璃是Pilkington公司推出的具有优异光催化性能和光致亲水性的自洁防雾玻璃,是近几年发展起来的新型建筑材料。其表面的Ti O2薄膜的光催化性和亲水性性能都很稳定,但亲水性的光致响应时间较长。采用钒离子注入工艺对ActivTM玻璃进行掺杂改性,研究了钒离子在不同注入能量、浓度和后处理退火温度的条件下对玻璃光致亲水性的影响。研究表明,钒离子注入能够有效改善玻璃表面Ti O2薄膜的亲水性,而且,较高钒离子注入能量(90keV)和掺杂浓度(6×1016ions/cm2),玻璃光致亲水性要好,在紫外光照射1h后接触角均能小于7°,退火温度取500℃为宜。 展开更多
关键词 自洁防雾玻璃 光致亲水性 离子注入 TIO2薄膜 离子注入工艺 玻璃材料 离子 自洁 光催化性能 注入能量
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掺杂、扩散、离子注入工艺
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《电子科技文摘》 2006年第2期36-36,共1页
0603470 氧与水等离子体注入分离绝缘体上硅埋氧层厚度增加 =Increased thickness of buried oxide lyaer of silicon on insulator in separation by implantation of oxygen with water plasma[刊,英]/Jing Chen,Meng Chen,Yemin Don... 0603470 氧与水等离子体注入分离绝缘体上硅埋氧层厚度增加 =Increased thickness of buried oxide lyaer of silicon on insulator in separation by implantation of oxygen with water plasma[刊,英]/Jing Chen,Meng Chen,Yemin Dong.Xiang Wang//Journal of Vacuum Science& Technology B.-2002,20(4).-1570(E) 展开更多
关键词 离子注入工艺 埋氧层 离子
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离子注入型硅掺砷阻挡杂质带长波红外探测器的研究 被引量:3
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作者 王超 李宁 +2 位作者 戴宁 石旺舟 胡古今 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第3期290-294,共5页
研究了基于离子注入技术制备硅掺砷阻挡杂质带探测器的工艺,通过优化工艺条件和相关器件的结构与材料参数,制造了具有良好光电响应性能的长波红外探测器。在温度5 K,-3.8 V工作偏压下,探测器的峰值响应波长为23.8μm,黑体响应率为3.7 A/... 研究了基于离子注入技术制备硅掺砷阻挡杂质带探测器的工艺,通过优化工艺条件和相关器件的结构与材料参数,制造了具有良好光电响应性能的长波红外探测器。在温度5 K,-3.8 V工作偏压下,探测器的峰值响应波长为23.8μm,黑体响应率为3.7 A/W,3.2 V时最大探测率为5.2×10^13 cm·Hz^1/2/W。性能指标堪与文献报道的结果相媲美甚至更好,展示了离子注入工艺在制作阻挡杂质带探测器方面的潜在优势,特别是离子注入工艺与目前的微电子电路技术相兼容,能将探测器与读出电路集成到一块芯片上,在降低成本的同时提高探测器成像性能。 展开更多
关键词 阻挡杂质带 长波红外探测器 硅掺砷 离子注入工艺
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离子注入机失效检测新方法
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作者 Alexander E.Braun 《集成电路应用》 2007年第9期49-49,共1页
随着器件线宽和层厚的缩小,离子注入计量设备对硅片上杂质分布均匀性进行直接监测的能力已经开始受到限制。同时,特征尺寸的缩小和参数性能的要求,使关键注入参数的工艺窗口不断变窄,而离子束电流和硅片尺寸却在不断增大。这样一来... 随着器件线宽和层厚的缩小,离子注入计量设备对硅片上杂质分布均匀性进行直接监测的能力已经开始受到限制。同时,特征尺寸的缩小和参数性能的要求,使关键注入参数的工艺窗口不断变窄,而离子束电流和硅片尺寸却在不断增大。这样一来,就使得通过测量平均偏差与标准偏差(SD,或分布展宽)来量化硅片上注入掺杂均匀性的传统方法,缺乏所需的统计信息来监测离子注入工艺。 展开更多
关键词 离子注入 失效检测 分布均匀性 离子注入工艺 直接监测 特征尺寸 计量设备 参数性能
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基于MPX5050GP的便携式数字血压计 被引量:1
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作者 董雪峰 《电子世界》 2006年第8期59-60,共2页
MPX5050GP 是 Motorala 公司生产的一款采用离子注入工艺生产的压力传感器,其压敏电阻元件是利用离子注入工艺光刻在单个硅膜片上,同时采用计算机控制的激光修正技术和温度补偿技术,使得 MPX5050GP 压力传感器精度极高,具有广泛的应用... MPX5050GP 是 Motorala 公司生产的一款采用离子注入工艺生产的压力传感器,其压敏电阻元件是利用离子注入工艺光刻在单个硅膜片上,同时采用计算机控制的激光修正技术和温度补偿技术,使得 MPX5050GP 压力传感器精度极高,具有广泛的应用范围。MPX5050GP 传感器内置运算放大器,使得其模拟输出电压正比于所测量的压力值和其正常工作的偏置电压,并且可以直接与 A/D 转换器接口,以便进行数字化处理。由于 MPX5050GP 具有上述特点,因而由 MPX5050GP 构成的数字血压计测量系统具有电路简单、性能稳定、使用方便的特点。 展开更多
关键词 数字血压计 MPX5050GP 传感器 换能器 电子技术 离子注入工艺 积分器 GP
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WSD0005型GaAs单片可变衰减器
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《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期365-365,共1页
关键词 WSD0005型 GaAs单片可变衰减器 离子注入工艺 电特性 砷化镓
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全湿法、无灰化的全新去胶技术
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作者 Jeff Butterbaugh 《集成电路应用》 2006年第8期51-51,共1页
在集成电路(IC)制造中,需要多次重复去除掩模用光刻胶这一步骤,因此清洁、高效地去胶工艺非常重要。90nm高性能逻辑器件的制造过程使用超过30次光刻工艺。从晶圆表面去除光刻胶的能力在很大程度是由光刻胶性质和工艺历史决定的。在... 在集成电路(IC)制造中,需要多次重复去除掩模用光刻胶这一步骤,因此清洁、高效地去胶工艺非常重要。90nm高性能逻辑器件的制造过程使用超过30次光刻工艺。从晶圆表面去除光刻胶的能力在很大程度是由光刻胶性质和工艺历史决定的。在离子注入工艺中,图形化的光刻胶起掩模的作用,特别难以清除。大剂量的离子注入(〉1×l014ions/cm^2)将光刻胶表面脱氢并高度交联,其性能很像非晶碳。改性光刻胶的厚度由注入剂量、注入能量和注入离子种类决定。 展开更多
关键词 集成电路 全湿法 离子注入工艺 表面去除 去胶工艺 制造过程 光刻胶 光刻工艺
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Formaldehyde gas sensor based on TiO_2 thin membrane integrated with nano silicon structure
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作者 郑轩 明安杰 +7 位作者 叶丽 陈凤华 孙西龙 刘卫兵 李超波 欧文 王玮冰 陈大鹏 《Optoelectronics Letters》 EI 2016年第4期308-311,共4页
An innovative formaldehyde gas sensor based on thin membrane type metal oxide of Ti O2 layer was designed and fabricated. This sensor under ultraviolet(UV) light emitting diode(LED) illumination exhibits a higher resp... An innovative formaldehyde gas sensor based on thin membrane type metal oxide of Ti O2 layer was designed and fabricated. This sensor under ultraviolet(UV) light emitting diode(LED) illumination exhibits a higher response to formaldehyde than that without UV illumination at low temperature. The sensitivities of the sensor under steady working condition were calculated for different gas concentrations. The sensitivity to formaldehyde of 7.14 mg/m^3 is about 15.91 under UV illumination with response time of 580 s and recovery time of 500 s. The device was fabricated through micro-electro-mechanical system(MEMS) processing technology. First, plasma immersion ion implantation(PIII) was adopted to form black polysilicon, then a nanoscale TiO_2 membrane with thickness of 53 nm was deposited by DC reactive magnetron sputtering to obtain the sensing layer. By such fabrication approaches, the nanoscale polysilicon presents continuous rough surface with thickness of 50 nm, which could improve the porosity of the sensing membrane. The fabrication process can be mass-produced for the MEMS process compatibility. 展开更多
关键词 Crystal symmetry Fabrication FORMALDEHYDE Gas detectors Ion implantation MEMS METALS NANOTECHNOLOGY Plasma applications Polycrystalline materials POLYSILICON Temperature Titanium dioxide
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