稀土Er离子注入GaAs:Er光学性质的研究

用离子注入法掺Er,制成发光材料GaAs:Er.探索了离子注入和退火最佳条件,通过对GaAs:Er样品的光致发光谱和吸收光谱的测量,分析、探讨发光中心Er的光激发和能量传输机制.

脉冲LDA泵浦Nd:YVO_4/GaAs被动调Q锁模激光器

用脉冲激光二极管阵列(LDA)作为泵浦源、微柱透镜阵列和透镜导管作为耦合系统,以As+注入GaAs可饱和吸收片作为被动调Q锁模元件,实现了Nd∶YVO4激光器调Q锁模运转.调Q运转阶段,激光器每泵浦脉宽内输出一个调Q脉冲,调Q脉宽7ns.调Q锁模运转阶段,初始透过率60%的GaAs晶片对调Q包络内的锁模脉冲的调制深度达到95%以上,锁模脉冲重复频率991MHz.研究了加在LDA上的电压、方波脉冲的脉宽和重复频率对调Q锁模脉冲特性的影响,并对实验结果进行了讨论.

LDA泵浦Nd:YVO_4/GaAs饱和吸收调Q激光器

用脉冲激光二极管阵列(LDA)作为泵浦源,微柱透镜阵列和透镜导管作为耦合系统,以As+注入GaAs可饱和吸收片作为被动调Q元件,实现了Nd:YVO4激光器每泵浦脉冲单调Q脉冲输出。获得调Q脉冲宽度为7ns,脉冲峰值功率为3.4kW,激光器调Q效率为26.8%。对泵浦脉冲峰值、脉冲宽度和重复频率对调Q脉冲特性的影响进行了实验研究,并对实验结果进行了讨论。