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ECR-PECVD制备SiO_2薄膜中衬底射频偏压的作用
被引量:
6
1
作者
张劲松
任兆杏
+2 位作者
梁荣庆
隋毅峰
刘卫
《核聚变与等离子体物理》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第1期59-64,共6页
采用微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积 (ECR PECVD)技术在单晶衬底上制备了SiO2 薄膜 ,研究了射频偏压对薄膜特性的影响。通过X射线光电子能谱 (XPS)、傅里叶变换红外线光谱 (FTIR)、原子力显微镜 (AFM)和扫描隧道显微镜 (STM...
采用微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积 (ECR PECVD)技术在单晶衬底上制备了SiO2 薄膜 ,研究了射频偏压对薄膜特性的影响。通过X射线光电子能谱 (XPS)、傅里叶变换红外线光谱 (FTIR)、原子力显微镜 (AFM)和扫描隧道显微镜 (STM)三维形貌图测量等手段 ,对成膜特性进行了分析。实验结果表明 ,通过改变射频偏压的参数来控制离子轰击能量 ,对ECR PECVD成膜的内应力、溅射现象。
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关键词
电子回旋共振等
离子
体
SIO2薄膜
射频偏压
ECR-PECVD
二氧化硅薄膜
离子轰击能量
成膜特性
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职称材料
题名
ECR-PECVD制备SiO_2薄膜中衬底射频偏压的作用
被引量:
6
1
作者
张劲松
任兆杏
梁荣庆
隋毅峰
刘卫
机构
中国科学院等离子体物理研究所
出处
《核聚变与等离子体物理》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第1期59-64,共6页
文摘
采用微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积 (ECR PECVD)技术在单晶衬底上制备了SiO2 薄膜 ,研究了射频偏压对薄膜特性的影响。通过X射线光电子能谱 (XPS)、傅里叶变换红外线光谱 (FTIR)、原子力显微镜 (AFM)和扫描隧道显微镜 (STM)三维形貌图测量等手段 ,对成膜特性进行了分析。实验结果表明 ,通过改变射频偏压的参数来控制离子轰击能量 ,对ECR PECVD成膜的内应力、溅射现象。
关键词
电子回旋共振等
离子
体
SIO2薄膜
射频偏压
ECR-PECVD
二氧化硅薄膜
离子轰击能量
成膜特性
Keywords
Electron cyclotron resonance plasma
SiO 2 film
RF bias
分类号
TB43 [一般工业技术]
O53 [理学—等离子体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
ECR-PECVD制备SiO_2薄膜中衬底射频偏压的作用
张劲松
任兆杏
梁荣庆
隋毅峰
刘卫
《核聚变与等离子体物理》
CAS
CSCD
北大核心
2001
6
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