期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
ECR-PECVD制备SiO_2薄膜中衬底射频偏压的作用 被引量:6
1
作者 张劲松 任兆杏 +2 位作者 梁荣庆 隋毅峰 刘卫 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期59-64,共6页
采用微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积 (ECR PECVD)技术在单晶衬底上制备了SiO2 薄膜 ,研究了射频偏压对薄膜特性的影响。通过X射线光电子能谱 (XPS)、傅里叶变换红外线光谱 (FTIR)、原子力显微镜 (AFM)和扫描隧道显微镜 (STM... 采用微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积 (ECR PECVD)技术在单晶衬底上制备了SiO2 薄膜 ,研究了射频偏压对薄膜特性的影响。通过X射线光电子能谱 (XPS)、傅里叶变换红外线光谱 (FTIR)、原子力显微镜 (AFM)和扫描隧道显微镜 (STM)三维形貌图测量等手段 ,对成膜特性进行了分析。实验结果表明 ,通过改变射频偏压的参数来控制离子轰击能量 ,对ECR PECVD成膜的内应力、溅射现象。 展开更多
关键词 电子回旋共振等离子 SIO2薄膜 射频偏压 ECR-PECVD 二氧化硅薄膜 离子轰击能量 成膜特性
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部